Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BFN 24 E6327
BFN 24 E6327

BFN 24 E6327 Infineon Technologies

Infineon-BFN24_BFN26-DS-v01_01-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Bipolar Transistors - BJT NPN Silicon Hi-Volt TRANSISTOR
на замовлення 9406 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
28+12.59 грн
100+10.49 грн
500+9.50 грн
24000+3.12 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BFN 24 E6327 Infineon Technologies

Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 2mA, 20mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 30mA, 10V, Frequency - Transition: 70MHz, Supplier Device Package: PG-SOT23-3-1, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V, Power - Max: 360 mW.

Інші пропозиції BFN 24 E6327 за ціною від 5.76 грн до 5.76 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BFN24E6327 Виробник : Infineon Technologies INFNS10738-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 2mA, 20mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 30mA, 10V
Frequency - Transition: 70MHz
Supplier Device Package: PG-SOT23-3-1
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Power - Max: 360 mW
на замовлення 5470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5470+5.76 грн
Мінімальне замовлення: 5470
В кошику  од. на суму  грн.
BFN24E6327
Код товару: 165234
Додати до обраних Обраний товар

INFNS10738-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Транзистори > Біполярні NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFN 24 E6327 Виробник : Infineon Technologies INFNS10738-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 2mA, 20mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 30mA, 10V
Frequency - Transition: 70MHz
Supplier Device Package: PG-SOT23-3-1
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Power - Max: 360 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFN24E6327 BFN24E6327 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE586C80812817AA469&compId=BFN24.pdf?ci_sign=f068f47347575ac45203495cc5a97ebd6f12e29c Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 250V; 0.2A; 0.36W; SOT23
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 250V
Frequency: 70MHz
Polarisation: bipolar
Type of transistor: NPN
Case: SOT23
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.36W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.