Продукція > INFINEON > BFN26E6327HTSA1
BFN26E6327HTSA1

BFN26E6327HTSA1 Infineon

bfn24_bfn26.pdf?folderId=db3a304314dca38901155ffc06d51dc7&fileId=db3a304314dca38901156a1bcc68214d
Виробник: Infineon
BFN26E6327HTSA1 Транзистори
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
116+6.77 грн
Мінімальне замовлення: 116 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BFN26E6327HTSA1 Infineon

Description: INFINEON - BFN26E6327HTSA1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 300 V, 200 mA, 360 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung: 360mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 200mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 70MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції BFN26E6327HTSA1 за ціною від 10.13 грн до 10.13 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BFN26E6327HTSA1 BFN26E6327HTSA1 Infineon Technologies bfn24_bfn263.pdf Trans GP BJT NPN 300V 0.2A 360mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24000+10.13 грн
Мінімальне замовлення: 24000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFN26E6327HTSA1 BFN26E6327HTSA1 Infineon Technologies Infineon-BFN24_BFN26-DS-v01_01-en.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN Silicon Hi-Volt TRANSISTORS
на замовлення 524 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BFN26E6327HTSA1 BFN26E6327HTSA1 INFINEON INFNS10738-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BFN26E6327HTSA1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 300 V, 200 mA, 360 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 360mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 200mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 70MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2984 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFN26E6327HTSA1 BFN26E6327HTSA1 INFINEON INFNS10738-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BFN26E6327HTSA1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 300 V, 200 mA, 360 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 360mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 200mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 70MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2984 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFN26E6327HTSA1 bfn24_bfn263.pdf
BFN26E6327HTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans GP BJT NPN 300V 0.2A 360mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
24000+10.13 грн
Мінімальне замовлення: 24000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFN26E6327HTSA1 Infineon-BFN24_BFN26-DS-v01_01-en.pdf
BFN26E6327HTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Bipolar Transistors - BJT NPN Silicon Hi-Volt TRANSISTORS
на замовлення 524 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BFN26E6327HTSA1 INFNS10738-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BFN26E6327HTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BFN26E6327HTSA1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 300 V, 200 mA, 360 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 360mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 200mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 70MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2984 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFN26E6327HTSA1 INFNS10738-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BFN26E6327HTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BFN26E6327HTSA1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 300 V, 200 mA, 360 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 360mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 200mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 70MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2984 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.