на замовлення 3000 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 47+ | 6.77 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BFN26E6327HTSA1 Infineon
Description: INFINEON - BFN26E6327HTSA1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 300 V, 200 mA, 360 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 360mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 200mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 70MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції BFN26E6327HTSA1 за ціною від 9.95 грн до 9.95 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
BFN26E6327HTSA1 | Infineon Technologies |
Trans GP BJT NPN 300V 0.2A 360mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
|
BFN26E6327HTSA1 | Infineon Technologies |
Bipolar Transistors - BJT NPN Silicon Hi-Volt TRANSISTORS |
на замовлення 22057 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||
|
BFN26E6327HTSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BFN26E6327HTSA1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 300 V, 200 mA, 360 mW, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 360mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 200mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 70MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 3005 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||
|
BFN26E6327HTSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BFN26E6327HTSA1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 300 V, 200 mA, 360 mW, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 360mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 200mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 70MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 3005 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| BFN26E6327HTSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans GP BJT NPN 300V 0.2A 360mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
Trans GP BJT NPN 300V 0.2A 360mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 24000+ | 9.95 грн |
| BFN26E6327HTSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Bipolar Transistors - BJT NPN Silicon Hi-Volt TRANSISTORS
Bipolar Transistors - BJT NPN Silicon Hi-Volt TRANSISTORS
на замовлення 22057 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| BFN26E6327HTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BFN26E6327HTSA1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 300 V, 200 mA, 360 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 200mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 70MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - BFN26E6327HTSA1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 300 V, 200 mA, 360 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 200mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 70MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3005 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BFN26E6327HTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BFN26E6327HTSA1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 300 V, 200 mA, 360 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 200mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 70MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - BFN26E6327HTSA1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 300 V, 200 mA, 360 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 200mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 70MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3005 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)






