BFN26E6327HTSA1 Infineon Technologies
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 3.61 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BFN26E6327HTSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BFN26E6327HTSA1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 300 V, 200 mA, 360 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 360mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 200mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 70MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції BFN26E6327HTSA1 за ціною від 3.18 грн до 12.20 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BFN26E6327HTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans GP BJT NPN 300V 0.2A 360mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 57000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BFN26E6327HTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans GP BJT NPN 300V 0.2A 360mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 57000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BFN26E6327HTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans GP BJT NPN 300V 0.2A 360mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 96000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BFN26E6327HTSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BFN26E6327HTSA1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 300 V, 200 mA, 360 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 360mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 200mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 70MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 15020 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BFN26E6327HTSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BFN26E6327HTSA1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 300 V, 200 mA, 360 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 360mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 200mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 70MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 15020 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BFN26E6327HTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Bipolar Transistors - BJT NPN Silicon Hi-Volt TRANSISTORS |
на замовлення 43445 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| BFN26E6327HTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
BFN26E6327HTSA1 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
||||||||||||||||||
|
|
BFN26E6327HTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans GP BJT NPN 300V 0.2A 360mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
BFN26E6327HTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans GP BJT NPN 300V 0.2A 360mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
BFN26E6327HTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans GP BJT NPN 300V 0.2A 360mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
BFN26E6327HTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: TRANS NPN 300V 0.2A PG-SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 30mA, 10V Frequency - Transition: 70MHz Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V Power - Max: 360 mW |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
BFN26E6327HTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: TRANS NPN 300V 0.2A PG-SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 30mA, 10V Frequency - Transition: 70MHz Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V Power - Max: 360 mW |
товару немає в наявності |