BFN39H6327XTSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRANS PNP 300V 0.2A PG-SOT223-4
Power - Max: 1.5 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Part Status: Last Time Buy
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Frequency - Transition: 100MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 30mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Bulk
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BFN39H6327XTSA1 Infineon Technologies
Description: TRANS PNP 300V 0.2A PG-SOT223-4, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 30mA, 10V, Frequency - Transition: 100MHz, Supplier Device Package: PG-SOT223-4, Part Status: Last Time Buy, Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V, Power - Max: 1.5 W.
Інші пропозиції BFN39H6327XTSA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
BFN39H6327XTSA1 | Infineon Technologies |
Bipolar Transistors - BJT AF TRANSISTORS |
на замовлення 4825 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| BFN39H6327XTSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Bipolar Transistors - BJT AF TRANSISTORS
Bipolar Transistors - BJT AF TRANSISTORS
на замовлення 4825 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)