BFP 182W H6327 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: RF BIPOLAR TRANSISTOR
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-SOT343-4
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
Frequency - Transition: 8GHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 8V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
Current - Collector (Ic) (Max): 35mA
Power - Max: 250mW
Gain: 22dB
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-82A, SOT-343
Packaging: Bulk
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BFP 182W H6327 Infineon Technologies
Description: RF BIPOLAR TRANSISTOR, Part Status: Active, Supplier Device Package: PG-SOT343-4, Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz, Frequency - Transition: 8GHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 8V, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V, Current - Collector (Ic) (Max): 35mA, Power - Max: 250mW, Gain: 22dB, Operating Temperature: 150°C (TJ), Transistor Type: NPN, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SC-82A, SOT-343, Packaging: Bulk.
Інші пропозиції BFP 182W H6327
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| BFP182WH6327 | Infineon technologies |
на замовлення 8946 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| BFP182WH6327 |
Виробник: Infineon technologies
на замовлення 8946 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)