BFP 420 H6433

BFP 420 H6433 Infineon Technologies


Infineon_BFP420_DS_v02_00_EN-2309358.pdf Виробник: Infineon Technologies
RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTOR
на замовлення 8789 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+43.69 грн
10+ 34.03 грн
100+ 22.13 грн
500+ 18.76 грн
1000+ 14.47 грн
2500+ 12.35 грн
10000+ 10.96 грн
Мінімальне замовлення: 8
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BFP 420 H6433 Infineon Technologies

Description: RF TRANSISTOR, X BAND, NPN, Packaging: Bulk, Package / Case: SC-82A, SOT-343, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Gain: 21dB, Power - Max: 210mW, Current - Collector (Ic) (Max): 60mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.5V, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 20mA, 4V, Frequency - Transition: 25GHz, Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1.8GHz, Supplier Device Package: PG-SOT343-4-2, Part Status: Active.

Інші пропозиції BFP 420 H6433

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
BFP 420 H6433 Виробник : Infineon Technologies 8539infineon_lna_bfp420.pdffolderiddb3a30431400ef68011425b291f205c5fi.pdf Trans RF BJT NPN 4.5V 0.06A 210mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R
товар відсутній
BFP420H6433 BFP420H6433 Виробник : Infineon Technologies INFNS15718-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: RF TRANSISTOR, X BAND, NPN
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-82A, SOT-343
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 21dB
Power - Max: 210mW
Current - Collector (Ic) (Max): 60mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.5V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 20mA, 4V
Frequency - Transition: 25GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1.8GHz
Supplier Device Package: PG-SOT343-4-2
Part Status: Active
товар відсутній