BFP 420 H6433 Infineon Technologies


Infineon_BFP420_DS_v02_00_EN.pdf
Виробник: Infineon Technologies
RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTOR
на замовлення 6072 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+33.79 грн
15+20.94 грн
100+14.70 грн
500+14.04 грн
1000+13.38 грн
2500+12.80 грн
5000+12.43 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 31-40 дні (днів)
Мінімальна партія: 9 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BFP 420 H6433 Infineon Technologies

Description: RF TRANSISTOR, X BAND, NPN, Packaging: Bulk, Package / Case: SC-82A, SOT-343, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Gain: 21dB, Power - Max: 210mW, Current - Collector (Ic) (Max): 60mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.5V, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 20mA, 4V, Frequency - Transition: 25GHz, Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1.8GHz, Supplier Device Package: PG-SOT343-4-2, Part Status: Active.

Інші пропозиції BFP 420 H6433

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BFP420H6433 BFP420H6433 Infineon Technologies INFNS15718-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: RF TRANSISTOR, X BAND, NPN
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-82A, SOT-343
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 21dB
Power - Max: 210mW
Current - Collector (Ic) (Max): 60mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.5V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 20mA, 4V
Frequency - Transition: 25GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1.8GHz
Supplier Device Package: PG-SOT343-4-2
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFP420H6433 INFNS15718-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Infineon Technologies
Description: RF TRANSISTOR, X BAND, NPN
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-82A, SOT-343
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 21dB
Power - Max: 210mW
Current - Collector (Ic) (Max): 60mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.5V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 20mA, 4V
Frequency - Transition: 25GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1.8GHz
Supplier Device Package: PG-SOT343-4-2
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.