BFP 420F H6327 Infineon Technologies


Infineon-BFP420F-DS-v02_00-EN.pdf
Виробник: Infineon Technologies
RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTOR
на замовлення 593 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+49.21 грн
11+29.69 грн
100+16.98 грн
500+13.39 грн
1000+11.74 грн
3000+9.94 грн
6000+9.11 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BFP 420F H6327 Infineon Technologies

Description: RF TRANSISTOR, X BAND, NPN, Transistor Type: NPN, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 4-SMD, Flat Leads, Packaging: Bulk, Part Status: Active, Supplier Device Package: 4-TSFP, Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 2.2dB @ 150MHz ~ 5.5GHz, Frequency - Transition: 25GHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 4V, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.5V, Current - Collector (Ic) (Max): 60mA, Power - Max: 210mW, Gain: 37dB, Operating Temperature: 150°C (TJ).

Інші пропозиції BFP 420F H6327

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BFP420FH6327 Infineon Technologies INFNS27308-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: RF TRANSISTOR, X BAND, NPN
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-SMD, Flat Leads
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Supplier Device Package: 4-TSFP
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 2.2dB @ 150MHz ~ 5.5GHz
Frequency - Transition: 25GHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 4V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.5V
Current - Collector (Ic) (Max): 60mA
Power - Max: 210mW
Gain: 37dB
Operating Temperature: 150°C (TJ)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFP420FH6327 INFNS27308-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Infineon Technologies
Description: RF TRANSISTOR, X BAND, NPN
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-SMD, Flat Leads
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Supplier Device Package: 4-TSFP
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 2.2dB @ 150MHz ~ 5.5GHz
Frequency - Transition: 25GHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 4V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.5V
Current - Collector (Ic) (Max): 60mA
Power - Max: 210mW
Gain: 37dB
Operating Temperature: 150°C (TJ)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.