BFP 420F H6327 Infineon Technologies
на замовлення 3603 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 32.29 грн |
| 12+ | 27.04 грн |
| 100+ | 17.57 грн |
| 500+ | 13.8 грн |
| 1000+ | 10.9 грн |
| 3000+ | 9.31 грн |
| 9000+ | 8.92 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BFP 420F H6327 Infineon Technologies
Description: RF TRANSISTOR, X BAND, NPN, Packaging: Bulk, Package / Case: 4-SMD, Flat Leads, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Gain: 37dB, Power - Max: 210mW, Current - Collector (Ic) (Max): 60mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.5V, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 4V, Frequency - Transition: 25GHz, Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 2.2dB @ 150MHz ~ 5.5GHz, Supplier Device Package: 4-TSFP, Part Status: Active.
Інші пропозиції BFP 420F H6327
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| BFP420FH6327 | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: RF TRANSISTOR, X BAND, NPNPackaging: Bulk Package / Case: 4-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 37dB Power - Max: 210mW Current - Collector (Ic) (Max): 60mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.5V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 4V Frequency - Transition: 25GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 2.2dB @ 150MHz ~ 5.5GHz Supplier Device Package: 4-TSFP Part Status: Active |
товар відсутній |