BFP720H6327 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: RF TRANSISTOR, X BAND, NPN
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-82A, SOT-343
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 10.5dB ~ 28.5dB
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 25mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.7V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 13mA, 3V
Frequency - Transition: 45GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.4dB ~ 0.95dB @ 150MHz ~ 10GHz
Supplier Device Package: PG-SOT343-4-2
Part Status: Active
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BFP720H6327 Infineon Technologies
Description: RF TRANSISTOR, X BAND, NPN, Packaging: Bulk, Package / Case: SC-82A, SOT-343, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Gain: 10.5dB ~ 28.5dB, Power - Max: 100mW, Current - Collector (Ic) (Max): 25mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.7V, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 13mA, 3V, Frequency - Transition: 45GHz, Noise Figure (dB Typ @ f): 0.4dB ~ 0.95dB @ 150MHz ~ 10GHz, Supplier Device Package: PG-SOT343-4-2, Part Status: Active.
Інші пропозиції BFP720H6327
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
|
BFP 720 H6327 | Infineon Technologies |
RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTOR |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 6 шт В кошику од. на суму грн. |
| BFP 720 H6327 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTOR
RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTOR
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику
од. на суму грн.



