BFP 720F H6327 Infineon Technologies
на замовлення 4341 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 14+ | 26.03 грн |
| 19+ | 18.15 грн |
| 100+ | 13.65 грн |
| 500+ | 13.28 грн |
| 1000+ | 12.40 грн |
| 3000+ | 11.82 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BFP 720F H6327 Infineon Technologies
Description: RF TRANSISTOR, X BAND, NPN, Packaging: Bulk, Package / Case: 4-SMD, Flat Leads, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Gain: 15dB, Power - Max: 100mW, Current - Collector (Ic) (Max): 25mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.7V, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 13mA, 3V, Frequency - Transition: 45GHz, Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB @ 10GHz, Supplier Device Package: 4-TSFP, Part Status: Active.
Інші пропозиції BFP 720F H6327
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| BFP720FH6327 | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: RF TRANSISTOR, X BAND, NPNPackaging: Bulk Package / Case: 4-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 15dB Power - Max: 100mW Current - Collector (Ic) (Max): 25mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.7V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 13mA, 3V Frequency - Transition: 45GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB @ 10GHz Supplier Device Package: 4-TSFP Part Status: Active |
товару немає в наявності |