BFP181E7764HTSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesTrans RF BJT NPN 12V 0.02A 175mW Automotive AEC-Q101 4-Pin SOT-143 T/R
на замовлення 922 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 149+ | 4.06 грн |
| 248+ | 2.44 грн |
| 458+ | 1.32 грн |
| 463+ | 1.26 грн |
| 541+ | 1.00 грн |
| 545+ | 0.95 грн |
| 552+ | 0.94 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BFP181E7764HTSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BFP181E7764HTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 175 mW, 20 mA, SOT-143, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 20mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 175mW, Bauform - Transistor: SOT-143, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 8GHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Інші пропозиції BFP181E7764HTSA1 за ціною від 4.12 грн до 15.19 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BFP181E7764HTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans RF BJT NPN 12V 0.02A 175mW Automotive 4-Pin SOT-143 T/R |
на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BFP181E7764HTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans RF BJT NPN 12V 0.02A 175mW Automotive AEC-Q101 4-Pin SOT-143 T/R |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BFP181E7764HTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans RF BJT NPN 12V 0.02A 175mW Automotive AEC-Q101 4-Pin SOT-143 T/R |
на замовлення 162000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
BFP181E7764HTSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BFP181E7764HTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 175 mW, 20 mA, SOT-143 tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 20mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 175mW Bauform - Transistor: SOT-143 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 8GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 8800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BFP181E7764HTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans RF BJT NPN 12V 0.02A 175mW Automotive AEC-Q101 4-Pin SOT-143 T/R |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BFP181E7764HTSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BFP181E7764HTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 175 mW, 20 mA, SOT-143 tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 20mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 175mW Bauform - Transistor: SOT-143 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 8GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 8800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
BFP181E7764HTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT-143-3D Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-253-4, TO-253AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 17.5dB ~ 21dB Power - Max: 175mW Current - Collector (Ic) (Max): 20mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 70mA, 8V Frequency - Transition: 8GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz Supplier Device Package: PG-SOT-143-3D Part Status: Active |
на замовлення 184 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
BFP181E7764HTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
RF Bipolar Transistors NPN Silicon RF TRANSISTOR |
на замовлення 7698 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BFP181E7764HTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans RF BJT NPN 12V 0.02A 175mW Automotive AEC-Q101 4-Pin SOT-143 T/R |
на замовлення 922 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
|
|
BFP181E7764HTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans RF BJT NPN 12V 0.02A 175mW Automotive AEC-Q101 4-Pin SOT-143 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
BFP181E7764HTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT-143-3D Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-253-4, TO-253AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 17.5dB ~ 21dB Power - Max: 175mW Current - Collector (Ic) (Max): 20mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 70mA, 8V Frequency - Transition: 8GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz Supplier Device Package: PG-SOT-143-3D Part Status: Active |
товару немає в наявності |