Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BFP181E7764HTSA1
BFP181E7764HTSA1

BFP181E7764HTSA1 Infineon Technologies

251bfp181.pdffolderiddb3a30431400ef68011425b1354605c1fileiddb3a30431.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans RF BJT NPN 12V 0.02A 175mW Automotive AEC-Q101 4-Pin SOT-143 T/R
на замовлення 922 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
149+5.04 грн
640+1.17 грн
651+1.15 грн
662+1.09 грн
673+1.00 грн
684+0.94 грн
690+0.93 грн
Мінімальне замовлення: 149 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BFP181E7764HTSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BFP181E7764HTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 175 mW, 20 mA, SOT-143, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 175mW, Bauform - Transistor: SOT-143, Dauerkollektorstrom: 20mA, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 8GHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції BFP181E7764HTSA1 за ціною від 6.80 грн до 6.80 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BFP181E7764HTSA1 BFP181E7764HTSA1 Infineon Technologies 251bfp181.pdffolderiddb3a30431400ef68011425b1354605c1fileiddb3a30431.pdf Trans RF BJT NPN 12V 0.02A 175mW Automotive AEC-Q101 4-Pin SOT-143 T/R
на замовлення 171000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9000+6.80 грн
Мінімальне замовлення: 9000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFP181E7764HTSA1 BFP181E7764HTSA1 Infineon Technologies bfp181.pdf?folderId=db3a30431400ef68011425b1354605c1&fileId=db3a30431400ef6801142665c77b0601&location=.en.product.findProductTypeByName.html_dgdl_bfp181.pdf Description: RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT-143-3D
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-SOT-143-3D
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
Frequency - Transition: 8GHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 70mA, 8V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
Current - Collector (Ic) (Max): 20mA
Power - Max: 175mW
Gain: 17.5dB ~ 21dB
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-253-4, TO-253AA
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BFP181E7764HTSA1 BFP181E7764HTSA1 Infineon Technologies Infineon_BFP181_DS_v01_01_en.pdf RF Bipolar Transistors NPN Silicon RF TRANSISTOR
на замовлення 1283 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BFP181E7764HTSA1 BFP181E7764HTSA1 INFINEON 2354686.pdf Description: INFINEON - BFP181E7764HTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 175 mW, 20 mA, SOT-143
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 175mW
Bauform - Transistor: SOT-143
Dauerkollektorstrom: 20mA
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 8GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 8600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFP181E7764HTSA1 BFP181E7764HTSA1 Infineon Technologies 251bfp181.pdffolderiddb3a30431400ef68011425b1354605c1fileiddb3a30431.pdf Trans RF BJT NPN 12V 0.02A 175mW Automotive AEC-Q101 4-Pin SOT-143 T/R
на замовлення 922 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 110 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFP181E7764HTSA1 BFP181E7764HTSA1 INFINEON 2354686.pdf Description: INFINEON - BFP181E7764HTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 175 mW, 20 mA, SOT-143
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 175mW
Bauform - Transistor: SOT-143
Dauerkollektorstrom: 20mA
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 8GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 8600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFP181E7764HTSA1 251bfp181.pdffolderiddb3a30431400ef68011425b1354605c1fileiddb3a30431.pdf
BFP181E7764HTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans RF BJT NPN 12V 0.02A 175mW Automotive AEC-Q101 4-Pin SOT-143 T/R
на замовлення 171000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9000+6.80 грн
Мінімальне замовлення: 9000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFP181E7764HTSA1 bfp181.pdf?folderId=db3a30431400ef68011425b1354605c1&fileId=db3a30431400ef6801142665c77b0601&location=.en.product.findProductTypeByName.html_dgdl_bfp181.pdf
BFP181E7764HTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT-143-3D
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-SOT-143-3D
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
Frequency - Transition: 8GHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 70mA, 8V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
Current - Collector (Ic) (Max): 20mA
Power - Max: 175mW
Gain: 17.5dB ~ 21dB
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-253-4, TO-253AA
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BFP181E7764HTSA1 Infineon_BFP181_DS_v01_01_en.pdf
BFP181E7764HTSA1
Виробник: Infineon Technologies
RF Bipolar Transistors NPN Silicon RF TRANSISTOR
на замовлення 1283 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BFP181E7764HTSA1 2354686.pdf
BFP181E7764HTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BFP181E7764HTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 175 mW, 20 mA, SOT-143
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 175mW
Bauform - Transistor: SOT-143
Dauerkollektorstrom: 20mA
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 8GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 8600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFP181E7764HTSA1 251bfp181.pdffolderiddb3a30431400ef68011425b1354605c1fileiddb3a30431.pdf
BFP181E7764HTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans RF BJT NPN 12V 0.02A 175mW Automotive AEC-Q101 4-Pin SOT-143 T/R
на замовлення 922 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 110 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFP181E7764HTSA1 2354686.pdf
BFP181E7764HTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BFP181E7764HTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 175 mW, 20 mA, SOT-143
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 175mW
Bauform - Transistor: SOT-143
Dauerkollektorstrom: 20mA
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 8GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 8600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.