BFP182RE7764HTSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Trans RF BJT NPN 12V 0.035A 250mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-143R T/R
Trans RF BJT NPN 12V 0.035A 250mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-143R T/R
товар відсутній
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BFP182RE7764HTSA1 Infineon Technologies
Description: RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT143R-4, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-143R, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Gain: 22dB, Power - Max: 250mW, Current - Collector (Ic) (Max): 35mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 8V, Frequency - Transition: 8GHz, Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz, Supplier Device Package: PG-SOT143-4-1, Part Status: Active.
Інші пропозиції BFP182RE7764HTSA1
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
BFP182RE7764HTSA1 | Виробник : Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 12V 0.035A 250mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-143R T/R |
товар відсутній |
||
BFP182RE7764HTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT143R-4 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-143R Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 22dB Power - Max: 250mW Current - Collector (Ic) (Max): 35mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 8V Frequency - Transition: 8GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz Supplier Device Package: PG-SOT143-4-1 Part Status: Active |
товар відсутній |
||
BFP182RE7764HTSA1 | Виробник : Infineon Technologies | RF Bipolar Transistors NPN Silicon RF TRANSISTOR |
товар відсутній |