BFP182WE6327 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: RF TRANSISTOR, L BAND, NPN
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-82A, SOT-343
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 22dB
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 35mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 8V
Frequency - Transition: 8GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
Supplier Device Package: PG-SOT343-4
Part Status: Active
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3463+ | 6.09 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BFP182WE6327 Infineon Technologies
Description: RF TRANSISTOR, L BAND, NPN, Packaging: Bulk, Package / Case: SC-82A, SOT-343, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Gain: 22dB, Power - Max: 250mW, Current - Collector (Ic) (Max): 35mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 8V, Frequency - Transition: 8GHz, Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz, Supplier Device Package: PG-SOT343-4, Part Status: Active.
Інші пропозиції BFP182WE6327
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| BFP182W-E6327 |
на замовлення 62500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||
| BFP182WE-6327 |
на замовлення 2820 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||
| BFP182WE6327 | Виробник : INFINEON |
06+ |
на замовлення 159010 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
| BFP182W E6327 | Виробник : INFINEON | SOT343-RG PB-FRE |
на замовлення 120000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |