Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BFP182WH6327XTSA1
BFP182WH6327XTSA1

BFP182WH6327XTSA1 Infineon Technologies

INFNS10735-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Infineon Technologies
Description: RF TRANS NPN 12V 8GHZ PG-SOT-343
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-82A, SOT-343
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: PG-SOT343-3D
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
Frequency - Transition: 8GHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 8V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
Current - Collector (Ic) (Max): 35mA
Power - Max: 250mW
Gain: 22dB
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+7.76 грн
6000+7.25 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BFP182WH6327XTSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BFP182WH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 250 mW, 35 mA, SOT-343, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung: 250mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-343, Dauerkollektorstrom: 35mA, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 8GHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції BFP182WH6327XTSA1 за ціною від 6.36 грн до 19.98 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
BFP182WH6327XTSA1 BFP182WH6327XTSA1 INFINEON INFNS10735-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: INFINEON - BFP182WH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 250 mW, 35 mA, SOT-343
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 250mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-343
Dauerkollektorstrom: 35mA
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 8GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 5595 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+9.54 грн
500+7.71 грн
1000+6.81 грн
5000+6.36 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFP182WH6327XTSA1 BFP182WH6327XTSA1 Infineon Technologies INFNS10735-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: RF TRANS NPN 12V 8GHZ PG-SOT-343
Supplier Device Package: PG-SOT343-3D
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
Frequency - Transition: 8GHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 8V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
Current - Collector (Ic) (Max): 35mA
Power - Max: 250mW
Gain: 22dB
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-82A, SOT-343
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 8081 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+19.03 грн
25+12.52 грн
28+11.09 грн
100+8.92 грн
250+8.22 грн
500+7.80 грн
1000+7.32 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFP182WH6327XTSA1 BFP182WH6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon_BFP182W_DS_v01_01_en.pdf RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTORS
на замовлення 6836 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
17+19.82 грн
28+12.00 грн
100+8.25 грн
500+7.82 грн
1000+7.47 грн
3000+6.98 грн
6000+6.77 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFP182WH6327XTSA1 BFP182WH6327XTSA1 INFINEON INFNS10735-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: INFINEON - BFP182WH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 250 mW, 35 mA, SOT-343
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 250mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-343
Dauerkollektorstrom: 35mA
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 8GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 5595 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
42+19.98 грн
69+12.01 грн
100+9.54 грн
500+7.71 грн
1000+6.81 грн
5000+6.36 грн
Мінімальне замовлення: 42 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFP182WH6327XTSA1 INFNS10735-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BFP182WH6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BFP182WH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 250 mW, 35 mA, SOT-343
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 250mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-343
Dauerkollektorstrom: 35mA
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 8GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 5595 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+9.54 грн
500+7.71 грн
1000+6.81 грн
5000+6.36 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFP182WH6327XTSA1 INFNS10735-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BFP182WH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: RF TRANS NPN 12V 8GHZ PG-SOT-343
Supplier Device Package: PG-SOT343-3D
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
Frequency - Transition: 8GHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 8V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
Current - Collector (Ic) (Max): 35mA
Power - Max: 250mW
Gain: 22dB
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-82A, SOT-343
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 8081 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
17+19.03 грн
25+12.52 грн
28+11.09 грн
100+8.92 грн
250+8.22 грн
500+7.80 грн
1000+7.32 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFP182WH6327XTSA1 Infineon_BFP182W_DS_v01_01_en.pdf
BFP182WH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTORS
на замовлення 6836 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
17+19.82 грн
28+12.00 грн
100+8.25 грн
500+7.82 грн
1000+7.47 грн
3000+6.98 грн
6000+6.77 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFP182WH6327XTSA1 INFNS10735-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BFP182WH6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BFP182WH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 250 mW, 35 mA, SOT-343
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 250mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-343
Dauerkollektorstrom: 35mA
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 8GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 5595 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
42+19.98 грн
69+12.01 грн
100+9.54 грн
500+7.71 грн
1000+6.81 грн
5000+6.36 грн
Мінімальне замовлення: 42 шт
В кошику  од. на суму  грн.