BFP182WH6327XTSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesTrans RF BJT NPN 12V 0.035A 250mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 5.96 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BFP182WH6327XTSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BFP182WH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 250 mW, 35 mA, SOT-343, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250mW, Bauform - Transistor: SOT-343, Dauerkollektorstrom: 35mA, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 8GHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції BFP182WH6327XTSA1 за ціною від 6.44 грн до 22.51 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
BFP182WH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans RF BJT NPN 12V 0.035A 250mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BFP182WH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans RF BJT NPN 12V 0.035A 250mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BFP182WH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans RF BJT NPN 12V 0.035A 250mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R |
на замовлення 243000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BFP182WH6327XTSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BFP182WH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 250 mW, 35 mA, SOT-343 tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SOT-343 Dauerkollektorstrom: 35mA Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 8GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 5615 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BFP182WH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: RF TRANS NPN 12V 8GHZ PG-SOT-343 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-82A, SOT-343 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 22dB Power - Max: 250mW Current - Collector (Ic) (Max): 35mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 8V Frequency - Transition: 8GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz Supplier Device Package: PG-SOT343-3D |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BFP182WH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: RF TRANS NPN 12V 8GHZ PG-SOT-343 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-82A, SOT-343 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 22dB Power - Max: 250mW Current - Collector (Ic) (Max): 35mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 8V Frequency - Transition: 8GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz Supplier Device Package: PG-SOT343-3D |
на замовлення 8081 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BFP182WH6327XTSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BFP182WH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 250 mW, 35 mA, SOT-343 tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SOT-343 Dauerkollektorstrom: 35mA Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 8GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 5615 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BFP182WH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTORS |
на замовлення 6836 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BFP182WH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans RF BJT NPN 12V 0.035A 250mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
BFP182WH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans RF BJT NPN 12V 0.035A 250mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
BFP182WH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans RF BJT NPN 12V 0.035A 250mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R |
товару немає в наявності |