
BFP183WH6327XTSA1 INFINEON

Description: INFINEON - BFP183WH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 450 mW, 65 mA, SOT-343
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 65mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 450mW
Bauform - Transistor: SOT-343
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 8GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2677 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
500+ | 5.13 грн |
1000+ | 4.64 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BFP183WH6327XTSA1 INFINEON
Description: INFINEON - BFP183WH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 450 mW, 65 mA, SOT-343, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 65mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 450mW, Bauform - Transistor: SOT-343, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 8GHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції BFP183WH6327XTSA1 за ціною від 5.78 грн до 18.56 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
BFP183WH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BFP183WH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-82A, SOT-343 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 22dB Power - Max: 450mW Current - Collector (Ic) (Max): 65mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 15mA, 8V Frequency - Transition: 8.5GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.4dB @ 900MHz ~ 1.8GHz Supplier Device Package: PG-SOT343-3D Part Status: Active |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BFP183WH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BFP183WH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 11800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BFP183WH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BFP183WH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 144000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BFP183WH6327XTSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 12V; 65mA; 0.45W; SOT343 Kind of package: reel; tape Collector-emitter voltage: 12V Current gain: 70...140 Collector current: 65mA Type of transistor: NPN Power dissipation: 0.45W Polarisation: bipolar Kind of transistor: RF Mounting: SMD Case: SOT343 Frequency: 8GHz |
на замовлення 2353 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BFP183WH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-82A, SOT-343 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 22dB Power - Max: 450mW Current - Collector (Ic) (Max): 65mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 15mA, 8V Frequency - Transition: 8.5GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.4dB @ 900MHz ~ 1.8GHz Supplier Device Package: PG-SOT343-3D Part Status: Active |
на замовлення 12324 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BFP183WH6327XTSA1 | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 65mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 450mW Bauform - Transistor: SOT-343 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 8GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 2677 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BFP183WH6327XTSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 12V; 65mA; 0.45W; SOT343 Kind of package: reel; tape Collector-emitter voltage: 12V Current gain: 70...140 Collector current: 65mA Type of transistor: NPN Power dissipation: 0.45W Polarisation: bipolar Kind of transistor: RF Mounting: SMD Case: SOT343 Frequency: 8GHz кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2353 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BFP183WH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
BFP183WH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |