Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BFP193E6327HTSA1
BFP193E6327HTSA1

BFP193E6327HTSA1 Infineon Technologies

bfp193.pdf?folderId=db3a30431400ef68011425b1354605c1&fileId=db3a30431400ef6801142674fdc3061b
Виробник: Infineon Technologies
Description: RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT-143-3D
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-253-4, TO-253AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-SOT-143-3D
Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
Frequency - Transition: 8GHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 30mA, 8V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
Current - Collector (Ic) (Max): 80mA
Power - Max: 580mW
Gain: 12dB ~ 18dB
Operating Temperature: 150°C (TJ)
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+6.88 грн
6000+6.42 грн
9000+6.32 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BFP193E6327HTSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BFP193E6327HTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 580 mW, 80 mA, SOT-143, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 580mW, Bauform - Transistor: SOT-143, Dauerkollektorstrom: 80mA, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 8GHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції BFP193E6327HTSA1 за ціною від 6.50 грн до 29.52 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
BFP193E6327HTSA1 BFP193E6327HTSA1 INFINEON INFNS22469-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BFP193E6327HTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 580 mW, 80 mA, SOT-143
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 580mW
Bauform - Transistor: SOT-143
Dauerkollektorstrom: 80mA
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 8GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+12.42 грн
500+11.22 грн
1000+10.29 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFP193E6327HTSA1 BFP193E6327HTSA1 Infineon Technologies bfp193.pdf?folderId=db3a30431400ef68011425b1354605c1&fileId=db3a30431400ef6801142674fdc3061b Description: RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT-143-3D
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-253-4, TO-253AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 12dB ~ 18dB
Power - Max: 580mW
Current - Collector (Ic) (Max): 80mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 30mA, 8V
Frequency - Transition: 8GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
Supplier Device Package: PG-SOT-143-3D
Part Status: Active
на замовлення 15369 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+16.65 грн
28+11.15 грн
31+9.90 грн
100+7.95 грн
250+7.31 грн
500+6.93 грн
1000+6.50 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFP193E6327HTSA1 BFP193E6327HTSA1 Infineon Technologies Infineon_BFP193_DS_v01_01_en.pdf RF Bipolar Transistors NPN Silicon RF TRANSISTOR
на замовлення 125 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
14+24.75 грн
23+14.59 грн
100+10.01 грн
3000+8.18 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFP193E6327HTSA1 BFP193E6327HTSA1 INFINEON INFNS22469-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BFP193E6327HTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 580 mW, 80 mA, SOT-143
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 580mW
Bauform - Transistor: SOT-143
Dauerkollektorstrom: 80mA
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 8GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
28+29.52 грн
47+17.68 грн
100+12.42 грн
500+11.22 грн
1000+10.29 грн
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFP193E6327HTSA1 BFP193E6327HTSA1 Infineon Technologies 349bfp193.pdffolderiddb3a30431400ef68011425b1354605c1fileiddb3a30431.pdf Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 580mW 4-Pin SOT-143 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BFP193E6327HTSA1 INFNS22469-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BFP193E6327HTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BFP193E6327HTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 580 mW, 80 mA, SOT-143
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 580mW
Bauform - Transistor: SOT-143
Dauerkollektorstrom: 80mA
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 8GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+12.42 грн
500+11.22 грн
1000+10.29 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFP193E6327HTSA1 bfp193.pdf?folderId=db3a30431400ef68011425b1354605c1&fileId=db3a30431400ef6801142674fdc3061b
BFP193E6327HTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT-143-3D
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-253-4, TO-253AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 12dB ~ 18dB
Power - Max: 580mW
Current - Collector (Ic) (Max): 80mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 30mA, 8V
Frequency - Transition: 8GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
Supplier Device Package: PG-SOT-143-3D
Part Status: Active
на замовлення 15369 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
20+16.65 грн
28+11.15 грн
31+9.90 грн
100+7.95 грн
250+7.31 грн
500+6.93 грн
1000+6.50 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFP193E6327HTSA1 Infineon_BFP193_DS_v01_01_en.pdf
BFP193E6327HTSA1
Виробник: Infineon Technologies
RF Bipolar Transistors NPN Silicon RF TRANSISTOR
на замовлення 125 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
14+24.75 грн
23+14.59 грн
100+10.01 грн
3000+8.18 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFP193E6327HTSA1 INFNS22469-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BFP193E6327HTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BFP193E6327HTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 580 mW, 80 mA, SOT-143
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 580mW
Bauform - Transistor: SOT-143
Dauerkollektorstrom: 80mA
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 8GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
28+29.52 грн
47+17.68 грн
100+12.42 грн
500+11.22 грн
1000+10.29 грн
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFP193E6327HTSA1 349bfp193.pdffolderiddb3a30431400ef68011425b1354605c1fileiddb3a30431.pdf
BFP193E6327HTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 580mW 4-Pin SOT-143 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.