BFP193E6327HTSA1 Infineon Technologies
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 6.25 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BFP193E6327HTSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BFP193E6327HTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 580 mW, 80 mA, SOT-143, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 80mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 580mW, Bauform - Transistor: SOT-143, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 8GHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції BFP193E6327HTSA1 за ціною від 6.16 грн до 22.26 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BFP193E6327HTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT-143-3DPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-253-4, TO-253AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 12dB ~ 18dB Power - Max: 580mW Current - Collector (Ic) (Max): 80mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 30mA, 8V Frequency - Transition: 8GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz Supplier Device Package: PG-SOT-143-3D Part Status: Active |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BFP193E6327HTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 580mW 4-Pin SOT-143 T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BFP193E6327HTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 580mW 4-Pin SOT-143 T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BFP193E6327HTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 580mW 4-Pin SOT-143 T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BFP193E6327HTSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BFP193E6327HTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 580 mW, 80 mA, SOT-143 tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 80mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 580mW Bauform - Transistor: SOT-143 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 8GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 432 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BFP193E6327HTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 580mW 4-Pin SOT-143 T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 4180 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BFP193E6327HTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 580mW 4-Pin SOT-143 T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 110 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BFP193E6327HTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT-143-3D Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-253-4, TO-253AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 12dB ~ 18dB Power - Max: 580mW Current - Collector (Ic) (Max): 80mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 30mA, 8V Frequency - Transition: 8GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz Supplier Device Package: PG-SOT-143-3D Part Status: Active |
на замовлення 9369 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BFP193E6327HTSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BFP193E6327HTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 580 mW, 80 mA, SOT-143 tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 80mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 580mW Bauform - Transistor: SOT-143 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 8GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 432 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BFP193E6327HTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
RF Bipolar Transistors NPN Silicon RF TRANSISTOR |
на замовлення 6268 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BFP193E6327HTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 580mW 4-Pin SOT-143 T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 110 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
|
BFP193E6327HTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 580mW 4-Pin SOT-143 T/R Automotive AEC-Q101 |
товару немає в наявності |