Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BFP193WH6327XTSA1
BFP193WH6327XTSA1

BFP193WH6327XTSA1 Infineon Technologies

166bfp193w.pdffolderiddb3a30431400ef68011425b1354605c1fileiddb3a3043.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 580mW 4-Pin SOT-343 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 22590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
168+4.51 грн
Мінімальне замовлення: 168 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BFP193WH6327XTSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BFP193WH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 580 mW, 80 mA, SOT-343, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 580mW, Bauform - Transistor: SOT-343, Dauerkollektorstrom: 80mA, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 8GHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції BFP193WH6327XTSA1 за ціною від 4.51 грн до 24.18 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
BFP193WH6327XTSA1 BFP193WH6327XTSA1 Infineon Technologies 166bfp193w.pdffolderiddb3a30431400ef68011425b1354605c1fileiddb3a3043.pdf Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 580mW 4-Pin SOT-343 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 22590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3139+4.51 грн
Мінімальне замовлення: 3139 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFP193WH6327XTSA1 BFP193WH6327XTSA1 Infineon Technologies bfp193w.pdf?folderId=db3a30431400ef68011425b1354605c1&fileId=db3a30431400ef6801142678c81e061f Description: RF TRANS NPN 12V 8GHZ PG-SOT-343
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-82A, SOT-343
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 13.5dB ~ 20.5dB
Power - Max: 580mW
Current - Collector (Ic) (Max): 80mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 30mA, 8V
Frequency - Transition: 8GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
Supplier Device Package: PG-SOT343-3D
Part Status: Active
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.24 грн
6000+8.63 грн
9000+8.49 грн
15000+7.83 грн
21000+7.75 грн
30000+7.67 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFP193WH6327XTSA1 BFP193WH6327XTSA1 INFINEON INFNS22467-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BFP193WH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 580 mW, 80 mA, SOT-343
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 580mW
Bauform - Transistor: SOT-343
Dauerkollektorstrom: 80mA
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 8GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+11.51 грн
500+10.08 грн
1000+9.02 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFP193WH6327XTSA1 BFP193WH6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon_BFP193W_DS_v01_01_en.pdf RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTOR
на замовлення 8895 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
17+19.82 грн
28+12.00 грн
100+8.25 грн
500+7.82 грн
1000+7.47 грн
3000+6.98 грн
6000+6.77 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFP193WH6327XTSA1 BFP193WH6327XTSA1 Infineon Technologies bfp193w.pdf?folderId=db3a30431400ef68011425b1354605c1&fileId=db3a30431400ef6801142678c81e061f Description: RF TRANS NPN 12V 8GHZ PG-SOT-343
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-82A, SOT-343
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 13.5dB ~ 20.5dB
Power - Max: 580mW
Current - Collector (Ic) (Max): 80mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 30mA, 8V
Frequency - Transition: 8GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
Supplier Device Package: PG-SOT343-3D
Part Status: Active
на замовлення 49812 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+22.20 грн
21+14.89 грн
25+13.19 грн
100+10.62 грн
250+9.79 грн
500+9.28 грн
1000+8.72 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFP193WH6327XTSA1 BFP193WH6327XTSA1 INFINEON INFNS22467-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BFP193WH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 580 mW, 80 mA, SOT-343
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 580mW
Bauform - Transistor: SOT-343
Dauerkollektorstrom: 80mA
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 8GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
35+24.18 грн
57+14.47 грн
100+11.51 грн
500+10.08 грн
1000+9.02 грн
Мінімальне замовлення: 35 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFP193WH6327XTSA1 166bfp193w.pdffolderiddb3a30431400ef68011425b1354605c1fileiddb3a3043.pdf
BFP193WH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 580mW 4-Pin SOT-343 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 22590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3139+4.51 грн
Мінімальне замовлення: 3139 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFP193WH6327XTSA1 bfp193w.pdf?folderId=db3a30431400ef68011425b1354605c1&fileId=db3a30431400ef6801142678c81e061f
BFP193WH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: RF TRANS NPN 12V 8GHZ PG-SOT-343
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-82A, SOT-343
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 13.5dB ~ 20.5dB
Power - Max: 580mW
Current - Collector (Ic) (Max): 80mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 30mA, 8V
Frequency - Transition: 8GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
Supplier Device Package: PG-SOT343-3D
Part Status: Active
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+9.24 грн
6000+8.63 грн
9000+8.49 грн
15000+7.83 грн
21000+7.75 грн
30000+7.67 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFP193WH6327XTSA1 INFNS22467-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BFP193WH6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BFP193WH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 580 mW, 80 mA, SOT-343
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 580mW
Bauform - Transistor: SOT-343
Dauerkollektorstrom: 80mA
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 8GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+11.51 грн
500+10.08 грн
1000+9.02 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFP193WH6327XTSA1 Infineon_BFP193W_DS_v01_01_en.pdf
BFP193WH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTOR
на замовлення 8895 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
17+19.82 грн
28+12.00 грн
100+8.25 грн
500+7.82 грн
1000+7.47 грн
3000+6.98 грн
6000+6.77 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFP193WH6327XTSA1 bfp193w.pdf?folderId=db3a30431400ef68011425b1354605c1&fileId=db3a30431400ef6801142678c81e061f
BFP193WH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: RF TRANS NPN 12V 8GHZ PG-SOT-343
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-82A, SOT-343
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 13.5dB ~ 20.5dB
Power - Max: 580mW
Current - Collector (Ic) (Max): 80mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 30mA, 8V
Frequency - Transition: 8GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
Supplier Device Package: PG-SOT343-3D
Part Status: Active
на замовлення 49812 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
15+22.20 грн
21+14.89 грн
25+13.19 грн
100+10.62 грн
250+9.79 грн
500+9.28 грн
1000+8.72 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFP193WH6327XTSA1 INFNS22467-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BFP193WH6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BFP193WH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 580 mW, 80 mA, SOT-343
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 580mW
Bauform - Transistor: SOT-343
Dauerkollektorstrom: 80mA
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 8GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
35+24.18 грн
57+14.47 грн
100+11.51 грн
500+10.08 грн
1000+9.02 грн
Мінімальне замовлення: 35 шт
В кошику  од. на суму  грн.