
BFP196E6327HTSA1 Infineon Technologies
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
3000+ | 5.42 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BFP196E6327HTSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BFP196E6327HTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 250 mW, 65 mA, SOT-143, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 65mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250mW, Bauform - Transistor: SOT-143, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 8GHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції BFP196E6327HTSA1 за ціною від 4.33 грн до 17.61 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
BFP196E6327HTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-253-4, TO-253AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 10.5dB ~ 16.5dB Power - Max: 700mW Current - Collector (Ic) (Max): 150mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 8V Frequency - Transition: 7.5GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 1.3dB ~ 2.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz Supplier Device Package: PG-SOT-143-3D Part Status: Active |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BFP196E6327HTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 9400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BFP196E6327HTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BFP196E6327HTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BFP196E6327HTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 13248 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BFP196E6327HTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 51930 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BFP196E6327HTSA1 | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 65mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SOT-143 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 8GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 11375 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BFP196E6327HTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 2830 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BFP196E6327HTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 2830 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BFP196E6327HTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-253-4, TO-253AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 10.5dB ~ 16.5dB Power - Max: 700mW Current - Collector (Ic) (Max): 150mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 8V Frequency - Transition: 7.5GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 1.3dB ~ 2.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz Supplier Device Package: PG-SOT-143-3D Part Status: Active |
на замовлення 10361 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BFP196E6327HTSA1 | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 65mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SOT-143 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 8GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 11375 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BFP196E6327HTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 12024 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BFP196E6327HTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
BFP196E6327HTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
BFP196E6327HTSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
![]() |
BFP196E6327HTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |