BFP196WE6327

BFP196WE6327 Infineon Technologies


SIEMD096-1245.pdf?t.download=true&u=5oefqw Виробник: Infineon Technologies
Description: RF TRANSISTOR, L BAND, NPN
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-82A, SOT-343
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 12.5dB ~ 19dB
Power - Max: 700mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 8V
Frequency - Transition: 7.5GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.3dB ~ 2.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
Supplier Device Package: PG-SOT343-4
Part Status: Active
на замовлення 32200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2077+9.47 грн
Мінімальне замовлення: 2077
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BFP196WE6327 Infineon Technologies

Description: RF TRANSISTOR, L BAND, NPN, Packaging: Bulk, Package / Case: SC-82A, SOT-343, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Gain: 12.5dB ~ 19dB, Power - Max: 700mW, Current - Collector (Ic) (Max): 150mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 8V, Frequency - Transition: 7.5GHz, Noise Figure (dB Typ @ f): 1.3dB ~ 2.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz, Supplier Device Package: PG-SOT343-4, Part Status: Active.

Інші пропозиції BFP196WE6327

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
BFP196WE6327 Виробник : INFINEON SIEMD096-1245.pdf?t.download=true&u=5oefqw 06+
на замовлення 3010 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BFP196WE-6327
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BFP196WE6327 BFP196WE6327 Виробник : Infineon Technologies 8560infineon_high_linearity_lna_bfp196w.pdffolderiddb3a30431400ef6801.pdf Trans RF BJT NPN 12V 0.15A 700mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R
товар відсутній