BFP196WH6327XTSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesTrans RF BJT NPN 12V 0.15A 700mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R
на замовлення 99000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 4.61 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BFP196WH6327XTSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BFP196WH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 7.5 GHz, 700 mW, 150 mA, SOT-343, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 150mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 700mW, Bauform - Transistor: SOT-343, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 7.5GHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції BFP196WH6327XTSA1 за ціною від 4.95 грн до 20.55 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BFP196WH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans RF BJT NPN 12V 0.15A 700mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R |
на замовлення 5820 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BFP196WH6327XTSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BFP196WH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 7.5 GHz, 700 mW, 150 mA, SOT-343 tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 150mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 700mW Bauform - Transistor: SOT-343 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 7.5GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 5090 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BFP196WH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: RF TRANS NPN 12V 7.5GHZ SOT343-4 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-82A, SOT-343 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 12.5dB ~ 19dB Power - Max: 700mW Current - Collector (Ic) (Max): 150mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 8V Frequency - Transition: 7.5GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 1.3dB ~ 2.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz Supplier Device Package: PG-SOT343-4-1 Part Status: Active |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BFP196WH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTOR |
на замовлення 22186 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BFP196WH6327XTSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BFP196WH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 7.5 GHz, 700 mW, 150 mA, SOT-343 tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 150mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 700mW Bauform - Transistor: SOT-343 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 7.5GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 5090 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BFP196WH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: RF TRANS NPN 12V 7.5GHZ SOT343-4 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-82A, SOT-343 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 12.5dB ~ 19dB Power - Max: 700mW Current - Collector (Ic) (Max): 150mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 8V Frequency - Transition: 7.5GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 1.3dB ~ 2.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz Supplier Device Package: PG-SOT343-4-1 Part Status: Active |
на замовлення 17439 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BFP196WH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans RF BJT NPN 12V 0.15A 700mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R |
на замовлення 76 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
| BFP196WH6327XTSA1 | Виробник : Infineon |
Transistor NPN; Bipolar; 140; 12V; 7.5GHz; 150mA; 700mW; -65°C~150°C; Substitute: BFP196WNH6327XTSA1; BFP196WH6327XTSA1; BFP196WH6740XTSA1; BFP196WH6327; BFP196WE6327; BFP196WH6740; BFP196WH6327 TBFP196w кількість в упаковці: 500 шт |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
|
|
BFP196WH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans RF BJT NPN 12V 0.15A 700mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R |
товару немає в наявності |