
BFP460H6327XTSA1 Infineon Technologies

Trans RF BJT NPN 4.5V 0.7A 230mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
3000+ | 9.35 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BFP460H6327XTSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BFP460H6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 4.5 V, 22 GHz, 230 mW, 70 mA, SOT-343, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 90hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 70mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 230mW, Bauform - Transistor: SOT-343, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4.5V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 22GHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції BFP460H6327XTSA1 за ціною від 8.33 грн до 25.40 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
BFP460H6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 4450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BFP460H6327XTSA1 | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 90hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 70mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 230mW Bauform - Transistor: SOT-343 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4.5V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 22GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BFP460H6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-82A, SOT-343 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 12.5dB ~ 26.5dB Power - Max: 230mW Current - Collector (Ic) (Max): 70mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 5.8V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 20mA, 3V Frequency - Transition: 22GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.7dB ~ 1.2dB @ 100MHz ~ 3GHz Supplier Device Package: PG-SOT343-3D Part Status: Active |
на замовлення 787 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BFP460H6327XTSA1 | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 90hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 70mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 230mW Bauform - Transistor: SOT-343 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4.5V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 22GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
BFP460H6327XTSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: NPN; SIEGET™; bipolar; RF; 4.5V; 70mA; 0.23W; SOT343 Case: SOT343 Frequency: 22GHz Collector-emitter voltage: 4.5V Current gain: 90...160 Collector current: 70mA Type of transistor: NPN Power dissipation: 0.23W Polarisation: bipolar Kind of package: reel; tape Technology: SIEGET™ Kind of transistor: RF Mounting: SMD |
на замовлення 2995 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
BFP460H6327XTSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: NPN; SIEGET™; bipolar; RF; 4.5V; 70mA; 0.23W; SOT343 Case: SOT343 Frequency: 22GHz Collector-emitter voltage: 4.5V Current gain: 90...160 Collector current: 70mA Type of transistor: NPN Power dissipation: 0.23W Polarisation: bipolar Kind of package: reel; tape Technology: SIEGET™ Kind of transistor: RF Mounting: SMD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2995 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
![]() |
BFP460H6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
![]() |
BFP460H6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
![]() |
BFP460H6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
![]() |
BFP460H6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-82A, SOT-343 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 12.5dB ~ 26.5dB Power - Max: 230mW Current - Collector (Ic) (Max): 70mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 5.8V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 20mA, 3V Frequency - Transition: 22GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.7dB ~ 1.2dB @ 100MHz ~ 3GHz Supplier Device Package: PG-SOT343-3D Part Status: Active |
товару немає в наявності |