BFP540FESDH6327XTSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Trans RF BJT NPN 4.5V 0.08A 250mW 4-Pin TSFP T/R Automotive AEC-Q101
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BFP540FESDH6327XTSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BFP540FESDH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 4.5 V, 30 GHz, 250 mW, 80 mA, TSFP, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250mW, Bauform - Transistor: TSFP, Dauerkollektorstrom: 80mA, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4.5V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 30GHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції BFP540FESDH6327XTSA1 за ціною від 15.91 грн до 32.33 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
BFP540FESDH6327XTSA1 | Infineon Technologies |
Trans RF BJT NPN 4.5V 0.08A 250mW 4-Pin TSFP T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 1070 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
|
BFP540FESDH6327XTSA1 | Infineon Technologies |
Description: RF TRANS NPN 5V 30GHZ 4-TSFPPackaging: Bulk Package / Case: 4-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 20dB Power - Max: 250mW Current - Collector (Ic) (Max): 80mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 5V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 20mA, 3.5V Frequency - Transition: 30GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.4dB @ 1.8GHz Supplier Device Package: 4-TSFP |
на замовлення 11483 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
|
BFP540FESDH6327XTSA1 | Infineon Technologies |
Trans RF BJT NPN 4.5V 0.08A 250mW 4-Pin TSFP T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 4723 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
|
BFP540FESDH6327XTSA1 | Infineon Technologies |
Trans RF BJT NPN 4.5V 0.08A 250mW 4-Pin TSFP T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
|
BFP540FESDH6327XTSA1 | Infineon Technologies |
Trans RF BJT NPN 4.5V 0.08A 250mW 4-Pin TSFP T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
|
BFP540FESDH6327XTSA1 | Infineon Technologies |
Description: RF TRANS NPN 5V 30GHZ 4-TSFPPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 4-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 20dB Power - Max: 250mW Current - Collector (Ic) (Max): 80mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 5V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 20mA, 3.5V Frequency - Transition: 30GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.4dB @ 1.8GHz Supplier Device Package: 4-TSFP Part Status: Active |
на замовлення 22 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
|
BFP540FESDH6327XTSA1 | Infineon Technologies |
RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTOR |
на замовлення 20 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||
|
BFP540FESDH6327XTSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BFP540FESDH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 4.5 V, 30 GHz, 250 mW, 80 mA, TSFPtariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: TSFP Dauerkollektorstrom: 80mA Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4.5V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 30GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 808 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||
|
BFP540FESDH6327XTSA1 | Infineon Technologies |
Trans RF BJT NPN 4.5V 0.08A 250mW 4-Pin TSFP T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 847 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 35 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
|
BFP540FESDH6327XTSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BFP540FESDH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 4.5 V, 30 GHz, 250 mW, 80 mA, TSFPtariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: TSFP Dauerkollektorstrom: 80mA Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4.5V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 30GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 808 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| BFP540FESDH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans RF BJT NPN 4.5V 0.08A 250mW 4-Pin TSFP T/R Automotive AEC-Q101
Trans RF BJT NPN 4.5V 0.08A 250mW 4-Pin TSFP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1070 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 883+ | 15.91 грн |
| BFP540FESDH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: RF TRANS NPN 5V 30GHZ 4-TSFP
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 20dB
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 80mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 5V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 20mA, 3.5V
Frequency - Transition: 30GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.4dB @ 1.8GHz
Supplier Device Package: 4-TSFP
Description: RF TRANS NPN 5V 30GHZ 4-TSFP
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 20dB
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 80mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 5V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 20mA, 3.5V
Frequency - Transition: 30GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.4dB @ 1.8GHz
Supplier Device Package: 4-TSFP
на замовлення 11483 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 964+ | 20.61 грн |
| BFP540FESDH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans RF BJT NPN 4.5V 0.08A 250mW 4-Pin TSFP T/R Automotive AEC-Q101
Trans RF BJT NPN 4.5V 0.08A 250mW 4-Pin TSFP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 4723 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1452+ | 24.20 грн |
| BFP540FESDH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans RF BJT NPN 4.5V 0.08A 250mW 4-Pin TSFP T/R Automotive AEC-Q101
Trans RF BJT NPN 4.5V 0.08A 250mW 4-Pin TSFP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1452+ | 24.20 грн |
| BFP540FESDH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans RF BJT NPN 4.5V 0.08A 250mW 4-Pin TSFP T/R Automotive AEC-Q101
Trans RF BJT NPN 4.5V 0.08A 250mW 4-Pin TSFP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1452+ | 24.20 грн |
| 10000+ | 21.58 грн |
| BFP540FESDH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: RF TRANS NPN 5V 30GHZ 4-TSFP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 20dB
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 80mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 5V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 20mA, 3.5V
Frequency - Transition: 30GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.4dB @ 1.8GHz
Supplier Device Package: 4-TSFP
Part Status: Active
Description: RF TRANS NPN 5V 30GHZ 4-TSFP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 20dB
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 80mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 5V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 20mA, 3.5V
Frequency - Transition: 30GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.4dB @ 1.8GHz
Supplier Device Package: 4-TSFP
Part Status: Active
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 32.33 грн |
| 14+ | 21.79 грн |
| BFP540FESDH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTOR
RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTOR
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| BFP540FESDH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BFP540FESDH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 4.5 V, 30 GHz, 250 mW, 80 mA, TSFP
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: TSFP
Dauerkollektorstrom: 80mA
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4.5V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 30GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - BFP540FESDH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 4.5 V, 30 GHz, 250 mW, 80 mA, TSFP
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: TSFP
Dauerkollektorstrom: 80mA
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4.5V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 30GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 808 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BFP540FESDH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans RF BJT NPN 4.5V 0.08A 250mW 4-Pin TSFP T/R Automotive AEC-Q101
Trans RF BJT NPN 4.5V 0.08A 250mW 4-Pin TSFP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 847 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BFP540FESDH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BFP540FESDH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 4.5 V, 30 GHz, 250 mW, 80 mA, TSFP
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: TSFP
Dauerkollektorstrom: 80mA
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4.5V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 30GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - BFP540FESDH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 4.5 V, 30 GHz, 250 mW, 80 mA, TSFP
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: TSFP
Dauerkollektorstrom: 80mA
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4.5V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 30GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 808 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)





