BFP620FH7764XTSA1 INFINEON
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BFP620FH7764XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 2.3 V, 65 GHz, 185 mW, 80 mA, TSFP
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 110hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 185mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSFP
Dauerkollektorstrom: 80mA
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 2.3V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 65GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BFP620FH7764XTSA1 INFINEON
Description: INFINEON - BFP620FH7764XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 2.3 V, 65 GHz, 185 mW, 80 mA, TSFP, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 110hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung: 185mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TSFP, Dauerkollektorstrom: 80mA, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 2.3V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 65GHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції BFP620FH7764XTSA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
BFP620FH7764XTSA1 | Infineon Technologies |
Description: RF TRANS NPN 2.8V 65GHZ 4-TSFP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 21dB ~ 10dB Power - Max: 185mW Current - Collector (Ic) (Max): 80mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2.8V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 50mA, 1.5V Frequency - Transition: 65GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.7dB ~ 1.3dB @ 1.8GHz ~ 6GHz Supplier Device Package: 4-TSFP Part Status: Active |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. |
|
|
BFP620FH7764XTSA1 | Infineon Technologies |
Description: RF TRANS NPN 2.8V 65GHZ 4-TSFP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 4-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 21dB ~ 10dB Power - Max: 185mW Current - Collector (Ic) (Max): 80mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2.8V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 50mA, 1.5V Frequency - Transition: 65GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.7dB ~ 1.3dB @ 1.8GHz ~ 6GHz Supplier Device Package: 4-TSFP Part Status: Active |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
 |
BFP620FH7764XTSA1 | Infineon Technologies |
RF Bipolar Transistors Y |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| BFP620FH7764XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 80mA; 185mW; automotive industry Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Mounting: SMD Application: automotive industry Current gain: 110 Frequency: 65GHz Collector current: 80mA Power dissipation: 185mW |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | |
|
|
BFP620FH7764XTSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BFP620FH7764XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 2.3 V, 65 GHz, 185 mW, 80 mA, TSFP tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 110hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 185mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TSFP Dauerkollektorstrom: 80mA Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 2.3V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 65GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
 |
BFP620FH7764XTSA1 | Infineon Technologies |
Trans RF BJT NPN 2.3V 0.08A 185mW Automotive AEC-Q101 4-Pin TSFP T/R |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. |
|
|
BFP620FH7764XTSA1 | Infineon Technologies |
Trans RF BJT NPN 2.3V 0.08A 185mW Automotive AEC-Q101 4-Pin TSFP T/R |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. |
| BFP620FH7764XTSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: RF TRANS NPN 2.8V 65GHZ 4-TSFP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 21dB ~ 10dB
Power - Max: 185mW
Current - Collector (Ic) (Max): 80mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2.8V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 50mA, 1.5V
Frequency - Transition: 65GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.7dB ~ 1.3dB @ 1.8GHz ~ 6GHz
Supplier Device Package: 4-TSFP
Part Status: Active
Description: RF TRANS NPN 2.8V 65GHZ 4-TSFP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 21dB ~ 10dB
Power - Max: 185mW
Current - Collector (Ic) (Max): 80mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2.8V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 50mA, 1.5V
Frequency - Transition: 65GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.7dB ~ 1.3dB @ 1.8GHz ~ 6GHz
Supplier Device Package: 4-TSFP
Part Status: Active
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| BFP620FH7764XTSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: RF TRANS NPN 2.8V 65GHZ 4-TSFP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 21dB ~ 10dB
Power - Max: 185mW
Current - Collector (Ic) (Max): 80mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2.8V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 50mA, 1.5V
Frequency - Transition: 65GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.7dB ~ 1.3dB @ 1.8GHz ~ 6GHz
Supplier Device Package: 4-TSFP
Part Status: Active
Description: RF TRANS NPN 2.8V 65GHZ 4-TSFP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 21dB ~ 10dB
Power - Max: 185mW
Current - Collector (Ic) (Max): 80mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2.8V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 50mA, 1.5V
Frequency - Transition: 65GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.7dB ~ 1.3dB @ 1.8GHz ~ 6GHz
Supplier Device Package: 4-TSFP
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| BFP620FH7764XTSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
RF Bipolar Transistors Y
RF Bipolar Transistors Y
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| BFP620FH7764XTSA1 |
|
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80mA; 185mW; automotive industry
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Mounting: SMD
Application: automotive industry
Current gain: 110
Frequency: 65GHz
Collector current: 80mA
Power dissipation: 185mW
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80mA; 185mW; automotive industry
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Mounting: SMD
Application: automotive industry
Current gain: 110
Frequency: 65GHz
Collector current: 80mA
Power dissipation: 185mW
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| BFP620FH7764XTSA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BFP620FH7764XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 2.3 V, 65 GHz, 185 mW, 80 mA, TSFP
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 110hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 185mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSFP
Dauerkollektorstrom: 80mA
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 2.3V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 65GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: INFINEON - BFP620FH7764XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 2.3 V, 65 GHz, 185 mW, 80 mA, TSFP
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 110hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 185mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSFP
Dauerkollektorstrom: 80mA
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 2.3V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 65GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| BFP620FH7764XTSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans RF BJT NPN 2.3V 0.08A 185mW Automotive AEC-Q101 4-Pin TSFP T/R
Trans RF BJT NPN 2.3V 0.08A 185mW Automotive AEC-Q101 4-Pin TSFP T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| BFP620FH7764XTSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans RF BJT NPN 2.3V 0.08A 185mW Automotive AEC-Q101 4-Pin TSFP T/R
Trans RF BJT NPN 2.3V 0.08A 185mW Automotive AEC-Q101 4-Pin TSFP T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.