BFP640ESDH6327XTSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesTrans RF BJT NPN 4.1V 0.05A 200mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R
на замовлення 1629 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 858+ | 14.26 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BFP640ESDH6327XTSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BFP640ESDH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 4.7 V, 45 GHz, 160 mW, 45 mA, TSFP, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 160mW, Bauform - Transistor: TSFP, Dauerkollektorstrom: 45mA, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4.7V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 45GHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції BFP640ESDH6327XTSA1 за ціною від 12.98 грн до 35.66 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
BFP640ESDH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans RF BJT NPN 4.1V 0.05A 200mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R |
на замовлення 1629 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BFP640ESDH6327XTSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BFP640ESDH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 4.7 V, 45 GHz, 160 mW, 45 mA, TSFP tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 160mW Bauform - Transistor: TSFP Dauerkollektorstrom: 45mA Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4.7V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 45GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 3259 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BFP640ESDH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: RF TRANS NPN 4.7V 46GHZ SOT-343 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-82A, SOT-343 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 7dB ~ 30dB Power - Max: 200mW Current - Collector (Ic) (Max): 50mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.7V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 30mA, 3V Frequency - Transition: 46GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.6dB ~ 2dB @ 150MHz ~ 10GHz Supplier Device Package: PG-SOT343-4-2 Part Status: Active |
на замовлення 3126 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BFP640ESDH6327XTSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BFP640ESDH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 4.7 V, 45 GHz, 160 mW, 45 mA, TSFP tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 160mW Bauform - Transistor: TSFP Dauerkollektorstrom: 45mA Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4.7V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 45GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 3259 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BFP640ESDH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTORS |
на замовлення 3026 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BFP640ESDH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans RF BJT NPN 4.1V 0.05A 200mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R |
на замовлення 400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
BFP640ESDH6327XTSA1 Код товару: 204585
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Біполярні NPN |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||||||
|
|
BFP640ESDH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans RF BJT NPN 4.1V 0.05A 200mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
BFP640ESDH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans RF BJT NPN 4.1V 0.05A 200mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
BFP640ESDH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans RF BJT NPN 4.1V 0.05A 200mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
BFP640ESDH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans RF BJT NPN 4.1V 0.05A 200mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
BFP640ESDH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: RF TRANS NPN 4.7V 46GHZ SOT-343 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-82A, SOT-343 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 7dB ~ 30dB Power - Max: 200mW Current - Collector (Ic) (Max): 50mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.7V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 30mA, 3V Frequency - Transition: 46GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.6dB ~ 2dB @ 150MHz ~ 10GHz Supplier Device Package: PG-SOT343-4-2 Part Status: Active |
товару немає в наявності |