
BFP640FESDH6327XTSA1 Infineon Technologies
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
12000+ | 10.60 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BFP640FESDH6327XTSA1 Infineon Technologies
Description: RF TRANS NPN 4.7V 46GHZ 4-TSFP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 4-SMD, Flat Leads, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Gain: 8B ~ 30.5dB, Power - Max: 200mW, Current - Collector (Ic) (Max): 50mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.7V, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 30mA, 3V, Frequency - Transition: 46GHz, Noise Figure (dB Typ @ f): 0.55dB ~ 1.7dB @ 150MHz ~ 10GHz, Supplier Device Package: 4-TSFP, Part Status: Active.
Інші пропозиції BFP640FESDH6327XTSA1 за ціною від 14.94 грн до 34.14 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
BFP640FESDH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BFP640FESDH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 91074 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BFP640FESDH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 2340 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BFP640FESDH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 4-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 8B ~ 30.5dB Power - Max: 200mW Current - Collector (Ic) (Max): 50mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.7V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 30mA, 3V Frequency - Transition: 46GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.55dB ~ 1.7dB @ 150MHz ~ 10GHz Supplier Device Package: 4-TSFP Part Status: Active |
на замовлення 667 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BFP640FESDH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
![]() |
BFP640FESDH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
![]() |
BFP640FESDH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
![]() |
BFP640FESDH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 8B ~ 30.5dB Power - Max: 200mW Current - Collector (Ic) (Max): 50mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.7V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 30mA, 3V Frequency - Transition: 46GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.55dB ~ 1.7dB @ 150MHz ~ 10GHz Supplier Device Package: 4-TSFP Part Status: Active |
товару немає в наявності |