Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BFP640FH6327XTSA1
BFP640FH6327XTSA1

BFP640FH6327XTSA1 Infineon Technologies

infineonbfp640fdatasheetv0400en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans RF BJT NPN 4.1V 0.05A 200mW Automotive AEC-Q101 4-Pin TSFP T/R
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1235+29.61 грн
Мінімальне замовлення: 1235 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 1235 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BFP640FH6327XTSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BFP640FH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 4.1 V, 42 GHz, 200 mW, 50 mA, TSFP, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 110hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200mW, Bauform - Transistor: TSFP, Dauerkollektorstrom: 50mA, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4.1V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 42GHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції BFP640FH6327XTSA1 за ціною від 15.74 грн до 57.43 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BFP640FH6327XTSA1 BFP640FH6327XTSA1 Infineon Technologies infineonbfp640fdatasheetv0400en.pdf Trans RF BJT NPN 4.1V 0.05A 200mW Automotive AEC-Q101 4-Pin TSFP T/R
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1235+29.61 грн
Мінімальне замовлення: 1235 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFP640FH6327XTSA1 BFP640FH6327XTSA1 Infineon Technologies infineonbfp640fdatasheetv0400en.pdf Trans RF BJT NPN 4.1V 0.05A 200mW Automotive AEC-Q101 4-Pin TSFP T/R
на замовлення 693000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1235+29.61 грн
10000+26.40 грн
100000+22.12 грн
Мінімальне замовлення: 1235 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFP640FH6327XTSA1 BFP640FH6327XTSA1 Infineon Technologies infineonbfp640fdatasheetv0400en.pdf Trans RF BJT NPN 4.1V 0.05A 200mW Automotive AEC-Q101 4-Pin TSFP T/R
на замовлення 4446000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1235+29.61 грн
10000+26.40 грн
100000+22.12 грн
Мінімальне замовлення: 1235 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFP640FH6327XTSA1 BFP640FH6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon-BFP540ESD-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c01690f0382ea3920 Description: RF TRANS NPN 4.5V 40GHZ 4-TSFP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 23dB
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.5V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 30mA, 3V
Frequency - Transition: 40GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.65dB ~ 1.2dB @ 1.8GHz ~ 6GHz
Supplier Device Package: 4-TSFP
Part Status: Active
на замовлення 2747 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+38.37 грн
12+25.79 грн
25+23.10 грн
100+18.89 грн
250+17.56 грн
500+16.75 грн
1000+15.82 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFP640FH6327XTSA1 BFP640FH6327XTSA1 Infineon Technologies infineon_bfp640f_datasheet_en.pdf RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTOR
на замовлення 160 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
8+42.44 грн
12+26.30 грн
100+18.49 грн
500+17.67 грн
1000+17.00 грн
3000+16.11 грн
6000+15.74 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFP640FH6327XTSA1 BFP640FH6327XTSA1 Infineon Technologies infineonbfp640fdatasheetv0400en.pdf Trans RF BJT NPN 4.1V 0.05A 200mW Automotive AEC-Q101 4-Pin TSFP T/R
на замовлення 1526 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
289+50.59 грн
435+33.64 грн
443+33.03 грн
542+26.05 грн
547+23.87 грн
577+21.74 грн
1000+20.72 грн
Мінімальне замовлення: 289 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFP640FH6327XTSA1 BFP640FH6327XTSA1 Infineon Technologies infineonbfp640fdatasheetv0400en.pdf Trans RF BJT NPN 4.1V 0.05A 200mW Automotive AEC-Q101 4-Pin TSFP T/R
на замовлення 1526 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+57.43 грн
20+40.30 грн
25+36.07 грн
100+30.30 грн
250+26.07 грн
500+23.89 грн
1000+22.93 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFP640FH6327XTSA1 BFP640FH6327XTSA1 INFINEON INFN-S-A0009690746-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BFP640FH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 4.1 V, 42 GHz, 200 mW, 50 mA, TSFP
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 110hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: TSFP
Dauerkollektorstrom: 50mA
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4.1V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 42GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 111 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFP640FH6327XTSA1 BFP640FH6327XTSA1 INFINEON INFN-S-A0009690746-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BFP640FH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 4.1 V, 42 GHz, 200 mW, 50 mA, TSFP
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 110hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: TSFP
Dauerkollektorstrom: 50mA
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4.1V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 42GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 111 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFP640FH6327XTSA1 infineonbfp640fdatasheetv0400en.pdf
BFP640FH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans RF BJT NPN 4.1V 0.05A 200mW Automotive AEC-Q101 4-Pin TSFP T/R
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1235+29.61 грн
Мінімальне замовлення: 1235 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFP640FH6327XTSA1 infineonbfp640fdatasheetv0400en.pdf
BFP640FH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans RF BJT NPN 4.1V 0.05A 200mW Automotive AEC-Q101 4-Pin TSFP T/R
на замовлення 693000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1235+29.61 грн
10000+26.40 грн
100000+22.12 грн
Мінімальне замовлення: 1235 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFP640FH6327XTSA1 infineonbfp640fdatasheetv0400en.pdf
BFP640FH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans RF BJT NPN 4.1V 0.05A 200mW Automotive AEC-Q101 4-Pin TSFP T/R
на замовлення 4446000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1235+29.61 грн
10000+26.40 грн
100000+22.12 грн
Мінімальне замовлення: 1235 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFP640FH6327XTSA1 Infineon-BFP540ESD-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c01690f0382ea3920
BFP640FH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: RF TRANS NPN 4.5V 40GHZ 4-TSFP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 23dB
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.5V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 30mA, 3V
Frequency - Transition: 40GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.65dB ~ 1.2dB @ 1.8GHz ~ 6GHz
Supplier Device Package: 4-TSFP
Part Status: Active
на замовлення 2747 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+38.37 грн
12+25.79 грн
25+23.10 грн
100+18.89 грн
250+17.56 грн
500+16.75 грн
1000+15.82 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFP640FH6327XTSA1 infineon_bfp640f_datasheet_en.pdf
BFP640FH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTOR
на замовлення 160 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+42.44 грн
12+26.30 грн
100+18.49 грн
500+17.67 грн
1000+17.00 грн
3000+16.11 грн
6000+15.74 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFP640FH6327XTSA1 infineonbfp640fdatasheetv0400en.pdf
BFP640FH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans RF BJT NPN 4.1V 0.05A 200mW Automotive AEC-Q101 4-Pin TSFP T/R
на замовлення 1526 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
289+50.59 грн
435+33.64 грн
443+33.03 грн
542+26.05 грн
547+23.87 грн
577+21.74 грн
1000+20.72 грн
Мінімальне замовлення: 289 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFP640FH6327XTSA1 infineonbfp640fdatasheetv0400en.pdf
BFP640FH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans RF BJT NPN 4.1V 0.05A 200mW Automotive AEC-Q101 4-Pin TSFP T/R
на замовлення 1526 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
14+57.43 грн
20+40.30 грн
25+36.07 грн
100+30.30 грн
250+26.07 грн
500+23.89 грн
1000+22.93 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFP640FH6327XTSA1 INFN-S-A0009690746-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BFP640FH6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BFP640FH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 4.1 V, 42 GHz, 200 mW, 50 mA, TSFP
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 110hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: TSFP
Dauerkollektorstrom: 50mA
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4.1V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 42GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 111 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFP640FH6327XTSA1 INFN-S-A0009690746-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BFP640FH6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BFP640FH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 4.1 V, 42 GHz, 200 mW, 50 mA, TSFP
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 110hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: TSFP
Dauerkollektorstrom: 50mA
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4.1V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 42GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 111 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.