BFP640FH6327XTSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Trans RF BJT NPN 4.1V 0.05A 200mW Automotive AEC-Q101 4-Pin TSFP T/R
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BFP640FH6327XTSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BFP640FH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 4.1 V, 42 GHz, 200 mW, 50 mA, TSFP, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 110hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200mW, Bauform - Transistor: TSFP, Dauerkollektorstrom: 50mA, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4.1V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 42GHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції BFP640FH6327XTSA1 за ціною від 16.37 грн до 51.48 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
BFP640FH6327XTSA1 | Infineon Technologies |
Trans RF BJT NPN 4.1V 0.05A 200mW Automotive AEC-Q101 4-Pin TSFP T/R |
на замовлення 2900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BFP640FH6327XTSA1 | Infineon Technologies |
Trans RF BJT NPN 4.1V 0.05A 200mW Automotive AEC-Q101 4-Pin TSFP T/R |
на замовлення 693000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BFP640FH6327XTSA1 | Infineon Technologies |
Trans RF BJT NPN 4.1V 0.05A 200mW Automotive AEC-Q101 4-Pin TSFP T/R |
на замовлення 4500000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BFP640FH6327XTSA1 | Infineon Technologies |
Description: RF TRANS NPN 4.5V 40GHZ 4-TSFPPart Status: Active Supplier Device Package: 4-TSFP Noise Figure (dB Typ @ f): 0.65dB ~ 1.2dB @ 1.8GHz ~ 6GHz Frequency - Transition: 40GHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 30mA, 3V Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.5V Current - Collector (Ic) (Max): 50mA Power - Max: 200mW Gain: 23dB Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 4-SMD, Flat Leads Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 2368 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BFP640FH6327XTSA1 | Infineon Technologies |
Trans RF BJT NPN 4.1V 0.05A 200mW Automotive AEC-Q101 4-Pin TSFP T/R |
на замовлення 1526 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BFP640FH6327XTSA1 | Infineon Technologies |
Trans RF BJT NPN 4.1V 0.05A 200mW Automotive AEC-Q101 4-Pin TSFP T/R |
на замовлення 1526 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BFP640FH6327XTSA1 | Infineon Technologies |
RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTOR |
на замовлення 420 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
BFP640FH6327XTSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BFP640FH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 4.1 V, 42 GHz, 200 mW, 50 mA, TSFPtariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 110hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: TSFP Dauerkollektorstrom: 50mA Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4.1V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 42GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 111 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
BFP640FH6327XTSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BFP640FH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 4.1 V, 42 GHz, 200 mW, 50 mA, TSFPtariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 110hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: TSFP Dauerkollektorstrom: 50mA Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4.1V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 42GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 111 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| BFP640FH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans RF BJT NPN 4.1V 0.05A 200mW Automotive AEC-Q101 4-Pin TSFP T/R
Trans RF BJT NPN 4.1V 0.05A 200mW Automotive AEC-Q101 4-Pin TSFP T/R
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1235+ | 28.65 грн |
| BFP640FH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans RF BJT NPN 4.1V 0.05A 200mW Automotive AEC-Q101 4-Pin TSFP T/R
Trans RF BJT NPN 4.1V 0.05A 200mW Automotive AEC-Q101 4-Pin TSFP T/R
на замовлення 693000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1235+ | 28.65 грн |
| 10000+ | 25.54 грн |
| 100000+ | 21.40 грн |
| BFP640FH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans RF BJT NPN 4.1V 0.05A 200mW Automotive AEC-Q101 4-Pin TSFP T/R
Trans RF BJT NPN 4.1V 0.05A 200mW Automotive AEC-Q101 4-Pin TSFP T/R
на замовлення 4500000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1235+ | 28.65 грн |
| 10000+ | 25.54 грн |
| 100000+ | 21.40 грн |
| BFP640FH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: RF TRANS NPN 4.5V 40GHZ 4-TSFP
Part Status: Active
Supplier Device Package: 4-TSFP
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.65dB ~ 1.2dB @ 1.8GHz ~ 6GHz
Frequency - Transition: 40GHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 30mA, 3V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.5V
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Power - Max: 200mW
Gain: 23dB
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-SMD, Flat Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: RF TRANS NPN 4.5V 40GHZ 4-TSFP
Part Status: Active
Supplier Device Package: 4-TSFP
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.65dB ~ 1.2dB @ 1.8GHz ~ 6GHz
Frequency - Transition: 40GHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 30mA, 3V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.5V
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Power - Max: 200mW
Gain: 23dB
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-SMD, Flat Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2368 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8+ | 39.65 грн |
| 12+ | 26.72 грн |
| 25+ | 23.91 грн |
| 100+ | 19.54 грн |
| 250+ | 18.16 грн |
| 500+ | 17.33 грн |
| 1000+ | 16.37 грн |
| BFP640FH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans RF BJT NPN 4.1V 0.05A 200mW Automotive AEC-Q101 4-Pin TSFP T/R
Trans RF BJT NPN 4.1V 0.05A 200mW Automotive AEC-Q101 4-Pin TSFP T/R
на замовлення 1526 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 15+ | 50.94 грн |
| 23+ | 33.84 грн |
| 25+ | 33.51 грн |
| 100+ | 26.12 грн |
| 250+ | 24.04 грн |
| 500+ | 22.95 грн |
| 1000+ | 22.10 грн |
| BFP640FH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans RF BJT NPN 4.1V 0.05A 200mW Automotive AEC-Q101 4-Pin TSFP T/R
Trans RF BJT NPN 4.1V 0.05A 200mW Automotive AEC-Q101 4-Pin TSFP T/R
на замовлення 1526 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 275+ | 51.48 грн |
| 414+ | 34.21 грн |
| 418+ | 33.87 грн |
| 517+ | 26.40 грн |
| 520+ | 24.29 грн |
| 523+ | 23.20 грн |
| 1000+ | 22.35 грн |
| BFP640FH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTOR
RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTOR
на замовлення 420 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| BFP640FH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BFP640FH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 4.1 V, 42 GHz, 200 mW, 50 mA, TSFP
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 110hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: TSFP
Dauerkollektorstrom: 50mA
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4.1V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 42GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - BFP640FH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 4.1 V, 42 GHz, 200 mW, 50 mA, TSFP
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 110hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: TSFP
Dauerkollektorstrom: 50mA
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4.1V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 42GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 111 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BFP640FH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BFP640FH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 4.1 V, 42 GHz, 200 mW, 50 mA, TSFP
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 110hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: TSFP
Dauerkollektorstrom: 50mA
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4.1V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 42GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - BFP640FH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 4.1 V, 42 GHz, 200 mW, 50 mA, TSFP
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 110hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: TSFP
Dauerkollektorstrom: 50mA
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4.1V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 42GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 111 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)





