BFP640H6327XTSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesTrans RF BJT NPN 4.1V 0.05A 200mW 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1762 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1071+ | 11.62 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BFP640H6327XTSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BFP640H6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 4.5 V, 40 GHz, 200 mW, 50 mA, SOT-343, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 110hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200mW, Bauform - Transistor: SOT-343, Dauerkollektorstrom: 50mA, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4.5V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 40GHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції BFP640H6327XTSA1 за ціною від 9.71 грн до 45.45 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
BFP640H6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans RF BJT NPN 4.1V 0.05A 200mW 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 1913 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BFP640H6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans RF BJT NPN 4V 0.05A 200mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
BFP640H6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans RF BJT NPN 4.1V 0.05A 200mW 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 57000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
BFP640H6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans RF BJT NPN 4.1V 0.05A 200mW 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 1913 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
BFP640H6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans RF BJT NPN 4.1V 0.05A 200mW 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 57000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
BFP640H6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: RF TRANS NPN 4.5V 40GHZ SOT-343Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-82A, SOT-343 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 12.5dB Power - Max: 200mW Current - Collector (Ic) (Max): 50mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.5V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 30mA, 3V Frequency - Transition: 40GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.65dB ~ 1.2dB @ 1.8GHz ~ 6GHz Supplier Device Package: PG-SOT343-3D Part Status: Active |
на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
BFP640H6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans RF BJT NPN 4.1V 0.05A 200mW 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 312000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
BFP640H6327XTSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BFP640H6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 4.5 V, 40 GHz, 200 mW, 50 mA, SOT-343tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 110hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-343 Dauerkollektorstrom: 50mA Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4.5V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 40GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 4417 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
BFP640H6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans RF BJT NPN 4.1V 0.05A 200mW 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
BFP640H6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans RF BJT NPN 4.1V 0.05A 200mW 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 2848 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
BFP640H6327XTSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BFP640H6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 4.5 V, 40 GHz, 200 mW, 50 mA, SOT-343tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 110hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-343 Dauerkollektorstrom: 50mA Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4.5V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 40GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 4417 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
BFP640H6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: RF TRANS NPN 4.5V 40GHZ SOT-343Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-82A, SOT-343 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 12.5dB Power - Max: 200mW Current - Collector (Ic) (Max): 50mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.5V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 30mA, 3V Frequency - Transition: 40GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.65dB ~ 1.2dB @ 1.8GHz ~ 6GHz Supplier Device Package: PG-SOT343-3D Part Status: Active |
на замовлення 23525 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
BFP640H6327XTSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: NPN SMD transistorsDescription: Transistor: NPN; SiGe: C; bipolar; RF; 4.1V; 50mA; 0.2W; SOT343 Mounting: SMD Case: SOT343 Kind of package: reel; tape Frequency: 42GHz Kind of transistor: RF Type of transistor: NPN Technology: SiGe:C Collector current: 50mA Power dissipation: 0.2W Collector-emitter voltage: 4.1V Current gain: 110...270 Polarisation: bipolar |
на замовлення 2737 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
BFP640H6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTOR |
на замовлення 40949 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
BFP640H6327XTSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: NPN SMD transistorsDescription: Transistor: NPN; SiGe: C; bipolar; RF; 4.1V; 50mA; 0.2W; SOT343 Mounting: SMD Case: SOT343 Kind of package: reel; tape Frequency: 42GHz Kind of transistor: RF Type of transistor: NPN Technology: SiGe:C Collector current: 50mA Power dissipation: 0.2W Collector-emitter voltage: 4.1V Current gain: 110...270 Polarisation: bipolar кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2737 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BFP640H6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans RF BJT NPN 4V 0.05A 200mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
BFP640H6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans RF BJT NPN 4.1V 0.05A 200mW 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R Automotive AEC-Q101 |
товару немає в наявності |



