Технічний опис BFP650FH6327XTSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BFP650FH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 4 V, 42 GHz, 500 mW, 150 mA, TSFP, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 110hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 150mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500mW, Bauform - Transistor: TSFP, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 42GHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції BFP650FH6327XTSA1 за ціною від 11.68 грн до 32.33 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
BFP650FH6327XTSA1 | Infineon Technologies |
Trans RF BJT NPN 4V 0.15A 500mW Automotive AEC-Q101 4-Pin TSFP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BFP650FH6327XTSA1 | Infineon Technologies |
Description: RF TRANS NPN 4.5V 42GHZ 4-TSFPPart Status: Active Supplier Device Package: 4-TSFP Noise Figure (dB Typ @ f): 0.8dB ~ 1.9dB @ 1.8GHz ~ 6GHz Frequency - Transition: 42GHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 80mA, 3V Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.5V Current - Collector (Ic) (Max): 150mA Power - Max: 500mW Gain: 11dB ~ 21.5dB Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 4-SMD, Flat Leads Packaging: Tape & Reel (TR) |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BFP650FH6327XTSA1 | Infineon Technologies |
Trans RF BJT NPN 4V 0.15A 500mW Automotive AEC-Q101 4-Pin TSFP T/R |
на замовлення 5900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BFP650FH6327XTSA1 | Infineon Technologies |
Trans RF BJT NPN 4V 0.15A 500mW Automotive AEC-Q101 4-Pin TSFP T/R |
на замовлення 2774 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BFP650FH6327XTSA1 | Infineon Technologies |
Trans RF BJT NPN 4V 0.15A 500mW Automotive AEC-Q101 4-Pin TSFP T/R |
на замовлення 2774 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BFP650FH6327XTSA1 | Infineon Technologies |
Trans RF BJT NPN 4V 0.15A 500mW Automotive AEC-Q101 4-Pin TSFP T/R |
на замовлення 2747 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BFP650FH6327XTSA1 | Infineon Technologies |
Trans RF BJT NPN 4V 0.15A 500mW Automotive AEC-Q101 4-Pin TSFP T/R |
на замовлення 2747 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BFP650FH6327XTSA1 | Infineon Technologies |
Trans RF BJT NPN 4V 0.15A 500mW Automotive AEC-Q101 4-Pin TSFP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BFP650FH6327XTSA1 | Infineon Technologies |
Trans RF BJT NPN 4V 0.15A 500mW Automotive AEC-Q101 4-Pin TSFP T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BFP650FH6327XTSA1 | Infineon Technologies |
Description: RF TRANS NPN 4.5V 42GHZ 4-TSFPPart Status: Active Supplier Device Package: 4-TSFP Noise Figure (dB Typ @ f): 0.8dB ~ 1.9dB @ 1.8GHz ~ 6GHz Frequency - Transition: 42GHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 80mA, 3V Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.5V Current - Collector (Ic) (Max): 150mA Power - Max: 500mW Gain: 11dB ~ 21.5dB Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 4-SMD, Flat Leads Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 17172 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BFP650FH6327XTSA1 | Infineon Technologies |
RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTOR |
на замовлення 3956 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
BFP650FH6327XTSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BFP650FH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 4 V, 42 GHz, 500 mW, 150 mA, TSFPtariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 110hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 150mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: TSFP Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 42GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 1863 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
BFP650FH6327XTSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BFP650FH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 4 V, 42 GHz, 500 mW, 150 mA, TSFPtariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 110hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 150mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: TSFP Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 42GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 1863 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| BFP650FH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans RF BJT NPN 4V 0.15A 500mW Automotive AEC-Q101 4-Pin TSFP T/R
Trans RF BJT NPN 4V 0.15A 500mW Automotive AEC-Q101 4-Pin TSFP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 11.68 грн |
| BFP650FH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: RF TRANS NPN 4.5V 42GHZ 4-TSFP
Part Status: Active
Supplier Device Package: 4-TSFP
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.8dB ~ 1.9dB @ 1.8GHz ~ 6GHz
Frequency - Transition: 42GHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 80mA, 3V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.5V
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Power - Max: 500mW
Gain: 11dB ~ 21.5dB
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-SMD, Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
Description: RF TRANS NPN 4.5V 42GHZ 4-TSFP
Part Status: Active
Supplier Device Package: 4-TSFP
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.8dB ~ 1.9dB @ 1.8GHz ~ 6GHz
Frequency - Transition: 42GHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 80mA, 3V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.5V
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Power - Max: 500mW
Gain: 11dB ~ 21.5dB
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-SMD, Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 12.25 грн |
| BFP650FH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans RF BJT NPN 4V 0.15A 500mW Automotive AEC-Q101 4-Pin TSFP T/R
Trans RF BJT NPN 4V 0.15A 500mW Automotive AEC-Q101 4-Pin TSFP T/R
на замовлення 5900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1087+ | 12.93 грн |
| BFP650FH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans RF BJT NPN 4V 0.15A 500mW Automotive AEC-Q101 4-Pin TSFP T/R
Trans RF BJT NPN 4V 0.15A 500mW Automotive AEC-Q101 4-Pin TSFP T/R
на замовлення 2774 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 53+ | 14.25 грн |
| BFP650FH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans RF BJT NPN 4V 0.15A 500mW Automotive AEC-Q101 4-Pin TSFP T/R
Trans RF BJT NPN 4V 0.15A 500mW Automotive AEC-Q101 4-Pin TSFP T/R
на замовлення 2774 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 987+ | 14.25 грн |
| BFP650FH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans RF BJT NPN 4V 0.15A 500mW Automotive AEC-Q101 4-Pin TSFP T/R
Trans RF BJT NPN 4V 0.15A 500mW Automotive AEC-Q101 4-Pin TSFP T/R
на замовлення 2747 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 937+ | 14.99 грн |
| 947+ | 14.85 грн |
| 957+ | 14.70 грн |
| 966+ | 14.03 грн |
| 1000+ | 12.84 грн |
| BFP650FH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans RF BJT NPN 4V 0.15A 500mW Automotive AEC-Q101 4-Pin TSFP T/R
Trans RF BJT NPN 4V 0.15A 500mW Automotive AEC-Q101 4-Pin TSFP T/R
на замовлення 2747 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 49+ | 15.30 грн |
| 50+ | 14.99 грн |
| 100+ | 14.31 грн |
| 250+ | 13.12 грн |
| 500+ | 12.47 грн |
| 1000+ | 12.33 грн |
| BFP650FH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans RF BJT NPN 4V 0.15A 500mW Automotive AEC-Q101 4-Pin TSFP T/R
Trans RF BJT NPN 4V 0.15A 500mW Automotive AEC-Q101 4-Pin TSFP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1284+ | 27.36 грн |
| BFP650FH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans RF BJT NPN 4V 0.15A 500mW Automotive AEC-Q101 4-Pin TSFP T/R
Trans RF BJT NPN 4V 0.15A 500mW Automotive AEC-Q101 4-Pin TSFP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1284+ | 27.36 грн |
| BFP650FH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: RF TRANS NPN 4.5V 42GHZ 4-TSFP
Part Status: Active
Supplier Device Package: 4-TSFP
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.8dB ~ 1.9dB @ 1.8GHz ~ 6GHz
Frequency - Transition: 42GHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 80mA, 3V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.5V
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Power - Max: 500mW
Gain: 11dB ~ 21.5dB
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-SMD, Flat Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: RF TRANS NPN 4.5V 42GHZ 4-TSFP
Part Status: Active
Supplier Device Package: 4-TSFP
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.8dB ~ 1.9dB @ 1.8GHz ~ 6GHz
Frequency - Transition: 42GHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 80mA, 3V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.5V
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Power - Max: 500mW
Gain: 11dB ~ 21.5dB
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-SMD, Flat Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 17172 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 32.33 грн |
| 14+ | 21.94 грн |
| 25+ | 19.57 грн |
| 100+ | 15.92 грн |
| 250+ | 14.76 грн |
| 500+ | 14.06 грн |
| 1000+ | 13.26 грн |
| BFP650FH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTOR
RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTOR
на замовлення 3956 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| BFP650FH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BFP650FH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 4 V, 42 GHz, 500 mW, 150 mA, TSFP
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 110hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 150mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: TSFP
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 42GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - BFP650FH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 4 V, 42 GHz, 500 mW, 150 mA, TSFP
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 110hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 150mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: TSFP
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 42GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1863 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BFP650FH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BFP650FH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 4 V, 42 GHz, 500 mW, 150 mA, TSFP
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 110hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 150mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: TSFP
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 42GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - BFP650FH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 4 V, 42 GHz, 500 mW, 150 mA, TSFP
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 110hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 150mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: TSFP
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 42GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1863 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)






