Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BFP650FH6327XTSA1
BFP650FH6327XTSA1

BFP650FH6327XTSA1 Infineon Technologies

Infineon-BFP540ESD-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c01690f0382ea3920
Виробник: Infineon Technologies
Description: RF TRANS NPN 4.5V 42GHZ 4-TSFP
Part Status: Active
Supplier Device Package: 4-TSFP
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.8dB ~ 1.9dB @ 1.8GHz ~ 6GHz
Frequency - Transition: 42GHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 80mA, 3V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.5V
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Power - Max: 500mW
Gain: 11dB ~ 21.5dB
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-SMD, Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+12.62 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BFP650FH6327XTSA1 Infineon Technologies

Description: RF TRANS NPN 4.5V 42GHZ 4-TSFP, Part Status: Active, Supplier Device Package: 4-TSFP, Noise Figure (dB Typ @ f): 0.8dB ~ 1.9dB @ 1.8GHz ~ 6GHz, Frequency - Transition: 42GHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 80mA, 3V, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.5V, Current - Collector (Ic) (Max): 150mA, Power - Max: 500mW, Gain: 11dB ~ 21.5dB, Operating Temperature: 150°C (TJ), Transistor Type: NPN, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 4-SMD, Flat Leads, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції BFP650FH6327XTSA1 за ціною від 11.70 грн до 33.30 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
BFP650FH6327XTSA1 BFP650FH6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon_BFP650F_DS_v02_00_EN-2309343.pdf RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTOR
на замовлення 3956 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
14+25.24 грн
18+18.16 грн
100+14.03 грн
500+13.32 грн
1000+13.04 грн
3000+11.70 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFP650FH6327XTSA1 BFP650FH6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon-BFP540ESD-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c01690f0382ea3920 Description: RF TRANS NPN 4.5V 42GHZ 4-TSFP
Part Status: Active
Supplier Device Package: 4-TSFP
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.8dB ~ 1.9dB @ 1.8GHz ~ 6GHz
Frequency - Transition: 42GHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 80mA, 3V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.5V
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Power - Max: 500mW
Gain: 11dB ~ 21.5dB
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-SMD, Flat Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 17172 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+33.30 грн
14+22.60 грн
25+20.16 грн
100+16.40 грн
250+15.21 грн
500+14.48 грн
1000+13.66 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFP650FH6327XTSA1 Infineon_BFP650F_DS_v02_00_EN-2309343.pdf
BFP650FH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTOR
на замовлення 3956 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
14+25.24 грн
18+18.16 грн
100+14.03 грн
500+13.32 грн
1000+13.04 грн
3000+11.70 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFP650FH6327XTSA1 Infineon-BFP540ESD-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c01690f0382ea3920
BFP650FH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: RF TRANS NPN 4.5V 42GHZ 4-TSFP
Part Status: Active
Supplier Device Package: 4-TSFP
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.8dB ~ 1.9dB @ 1.8GHz ~ 6GHz
Frequency - Transition: 42GHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 80mA, 3V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.5V
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Power - Max: 500mW
Gain: 11dB ~ 21.5dB
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-SMD, Flat Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 17172 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
10+33.30 грн
14+22.60 грн
25+20.16 грн
100+16.40 грн
250+15.21 грн
500+14.48 грн
1000+13.66 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.