Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BFP780H6327XTSA1

BFP780H6327XTSA1 Infineon Technologies

Виробник: Infineon Technologies
RF Amplifier RF BIP TRANSISTORS

на замовлення 18000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис BFP780H6327XTSA1 Infineon Technologies

Description: RF TRANS NPN 6.1V 900MHZ SOT343, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-82A, SOT-343, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Gain: 27dB, Power - Max: 600mW, Current - Collector (Ic) (Max): 120mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 6.1V, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 85 @ 90mA, 5V, Frequency - Transition: 900MHz, Noise Figure (dB Typ @ f): 1.2dB ~ 2.4dB @ 900MHz ~ 3.5GHz, Supplier Device Package: PG-SOT343-4-1, Part Status: Obsolete.

Інші пропозиції BFP780H6327XTSA1

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
BFP780H6327XTSA1	Виробник : Infineon		на замовлення 69000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів)	В кошику од. на суму грн.
BFP780H6327XTSA1	Виробник : Infineon Technologies	Trans RF BJT NPN 6.1V 0.12A 600mW 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
BFP780H6327XTSA1	Виробник : Infineon Technologies	Description: RF TRANS NPN 6.1V 900MHZ SOT343 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-82A, SOT-343 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 27dB Power - Max: 600mW Current - Collector (Ic) (Max): 120mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 6.1V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 85 @ 90mA, 5V Frequency - Transition: 900MHz Noise Figure (dB Typ @ f): 1.2dB ~ 2.4dB @ 900MHz ~ 3.5GHz Supplier Device Package: PG-SOT343-4-1 Part Status: Obsolete	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
BFP780H6327XTSA1	Виробник : Infineon Technologies	Description: RF TRANS NPN 6.1V 900MHZ SOT343 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-82A, SOT-343 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 27dB Power - Max: 600mW Current - Collector (Ic) (Max): 120mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 6.1V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 85 @ 90mA, 5V Frequency - Transition: 900MHz Noise Figure (dB Typ @ f): 1.2dB ~ 2.4dB @ 900MHz ~ 3.5GHz Supplier Device Package: PG-SOT343-4-1 Part Status: Obsolete	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.