Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BFP840FESDH6327XTSA1
BFP840FESDH6327XTSA1

BFP840FESDH6327XTSA1 Infineon Technologies


14796infineon-robust-very-low-noise-rf-transistor-bfp840fesd.pdffolder.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans RF BJT 2.25V 0.035A 4-Pin TSFP T/R
на замовлення 240000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+14.41 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BFP840FESDH6327XTSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BFP840FESDH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 2.25 V, 85 GHz, 75 mW, 35 mA, TSFP, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 35mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 75mW, Bauform - Transistor: TSFP, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 2.25V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 85GHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції BFP840FESDH6327XTSA1 за ціною від 9.66 грн до 55.58 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
BFP840FESDH6327XTSA1 BFP840FESDH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies 14796infineon-robust-very-low-noise-rf-transistor-bfp840fesd.pdffolder.pdf Trans RF BJT 2.25V 0.035A 4-Pin TSFP T/R
на замовлення 2870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
690+16.92 грн
694+ 16.83 грн
774+ 15.08 грн
1000+ 13.98 грн
2000+ 12.85 грн
Мінімальне замовлення: 690
BFP840FESDH6327XTSA1 BFP840FESDH6327XTSA1 Виробник : INFINEON INFN-S-A0009690954-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BFP840FESDH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 2.25 V, 85 GHz, 75 mW, 35 mA, TSFP
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 35mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75mW
Bauform - Transistor: TSFP
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 2.25V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 85GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 227 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+20.99 грн
Мінімальне замовлення: 100
BFP840FESDH6327XTSA1 BFP840FESDH6327XTSA1 Виробник : INFINEON INFN-S-A0009690954-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BFP840FESDH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 2.25 V, 85 GHz, 75 mW, 35 mA, TSFP
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 35mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75mW
Bauform - Transistor: TSFP
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 2.25V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 85GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 227 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
25+30.93 грн
50+ 26 грн
100+ 20.99 грн
Мінімальне замовлення: 25
BFP840FESDH6327XTSA1 BFP840FESDH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_BFP840FESD_DS_v02_00_EN-1519006.pdf RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTORS
на замовлення 11943 шт:
термін постачання 91-100 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+33.25 грн
12+ 26.34 грн
100+ 17.51 грн
500+ 14.92 грн
1000+ 11.59 грн
3000+ 10.39 грн
9000+ 9.66 грн
Мінімальне замовлення: 10
BFP840FESDH6327XTSA1 BFP840FESDH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BFP840FESD-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46265f064ff01663896c6294eb9 Description: RF TRANS NPN 2.6V 85GHZ 4TSFP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 35dB
Power - Max: 75mW
Current - Collector (Ic) (Max): 35mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2.6V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 10mA, 1.8V
Frequency - Transition: 85GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.75dB @ 5.5GHz
Supplier Device Package: PG-TSFP-4-1
на замовлення 11497 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+33.86 грн
10+ 27.96 грн
25+ 26.03 грн
100+ 19.55 грн
250+ 18.15 грн
500+ 15.36 грн
1000+ 11.68 грн
Мінімальне замовлення: 9
BFP840FESDH6327XTSA1 Виробник : Infineon Infineon-BFP840FESD-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46265f064ff01663896c6294eb9 Транз. Бипол. ВЧ NPN TSFP-4 Uceo=2,6V; Ic=0,035A; f=85GHz; Ptot=0,075W; hfemin=150, Nf=0.75dB @ 5.5GHz
на замовлення 116 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+55.58 грн
10+ 43.87 грн
Мінімальне замовлення: 5
BFP840FESDH6327XTSA1 BFP840FESDH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies 14796infineon-robust-very-low-noise-rf-transistor-bfp840fesd.pdffolder.pdf Trans RF BJT 2.25V 0.035A Automotive 4-Pin TSFP T/R
товар відсутній
BFP840FESDH6327XTSA1 BFP840FESDH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies 14796infineon-robust-very-low-noise-rf-transistor-bfp840fesd.pdffolder.pdf Trans RF BJT 2.25V 0.035A 4-Pin TSFP T/R
товар відсутній
BFP840FESDH6327XTSA1 BFP840FESDH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies 14796infineon-robust-very-low-noise-rf-transistor-bfp840fesd.pdffolder.pdf Trans RF BJT 2.25V 0.035A 4-Pin TSFP T/R
товар відсутній
BFP840FESDH6327XTSA1 BFP840FESDH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BFP840FESD-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46265f064ff01663896c6294eb9 Description: RF TRANS NPN 2.6V 85GHZ 4TSFP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 35dB
Power - Max: 75mW
Current - Collector (Ic) (Max): 35mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2.6V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 10mA, 1.8V
Frequency - Transition: 85GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.75dB @ 5.5GHz
Supplier Device Package: PG-TSFP-4-1
товар відсутній