Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BFP840FESDH6327XTSA1
BFP840FESDH6327XTSA1

BFP840FESDH6327XTSA1 Infineon Technologies


Infineon-BFP840FESD-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46265f064ff01663896c6294eb9 Виробник: Infineon Technologies
Description: RF TRANS NPN 2.6V 85GHZ 4TSFP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 35dB
Power - Max: 75mW
Current - Collector (Ic) (Max): 35mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2.6V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 10mA, 1.8V
Frequency - Transition: 85GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.75dB @ 5.5GHz
Supplier Device Package: PG-TSFP-4-1
на замовлення 18000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+12.64 грн
6000+11.83 грн
9000+11.66 грн
15000+10.76 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BFP840FESDH6327XTSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BFP840FESDH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 2.25 V, 85 GHz, 75 mW, 35 mA, TSFP, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 75mW, Bauform - Transistor: TSFP, Dauerkollektorstrom: 35mA, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 2.25V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 85GHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції BFP840FESDH6327XTSA1 за ціною від 11.86 грн до 30.47 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BFP840FESDH6327XTSA1 BFP840FESDH6327XTSA1 Виробник : INFINEON INFN-S-A0009690954-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BFP840FESDH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 2.25 V, 85 GHz, 75 mW, 35 mA, TSFP
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75mW
Bauform - Transistor: TSFP
Dauerkollektorstrom: 35mA
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 2.25V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 85GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2252 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+16.38 грн
500+13.46 грн
1500+11.86 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BFP840FESDH6327XTSA1 BFP840FESDH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies 14796infineon-robust-very-low-noise-rf-transistor-bfp840fesd.pdffolder.pdf Trans RF BJT 2.25V 0.035A 4-Pin TSFP T/R
на замовлення 38278 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1852+17.54 грн
10000+15.64 грн
Мінімальне замовлення: 1852
В кошику  од. на суму  грн.
BFP840FESDH6327XTSA1 BFP840FESDH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BFP840FESD-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46265f064ff01663896c6294eb9 Description: RF TRANS NPN 2.6V 85GHZ 4TSFP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 35dB
Power - Max: 75mW
Current - Collector (Ic) (Max): 35mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2.6V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 10mA, 1.8V
Frequency - Transition: 85GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.75dB @ 5.5GHz
Supplier Device Package: PG-TSFP-4-1
на замовлення 22018 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+29.22 грн
16+19.85 грн
25+17.64 грн
100+14.33 грн
250+13.26 грн
500+12.61 грн
1000+11.88 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
BFP840FESDH6327XTSA1 BFP840FESDH6327XTSA1 Виробник : INFINEON INFN-S-A0009690954-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BFP840FESDH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 2.25 V, 85 GHz, 75 mW, 35 mA, TSFP
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75mW
Bauform - Transistor: TSFP
Dauerkollektorstrom: 35mA
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 2.25V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 85GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2252 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
27+30.47 грн
50+18.92 грн
100+16.38 грн
500+13.46 грн
1500+11.86 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
BFP840FESDH6327XTSA1 BFP840FESDH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies 14796infineon-robust-very-low-noise-rf-transistor-bfp840fesd.pdffolder.pdf Trans RF BJT 2.25V 0.035A 4-Pin TSFP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFP840FESDH6327XTSA1 BFP840FESDH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies 14796infineon-robust-very-low-noise-rf-transistor-bfp840fesd.pdffolder.pdf Trans RF BJT 2.25V 0.035A 4-Pin TSFP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFP840FESDH6327XTSA1 BFP840FESDH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BFP840FESD-DS-v02_00-EN.pdf RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTORS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.