Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BFP840FESDH6327XTSA1
BFP840FESDH6327XTSA1

BFP840FESDH6327XTSA1 Infineon Technologies

Infineon-BFP840FESD-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46265f064ff01663896c6294eb9
Виробник: Infineon Technologies
Description: RF TRANS NPN 2.6V 85GHZ 4TSFP-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 35dB
Power - Max: 75mW
Current - Collector (Ic) (Max): 35mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2.6V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 10mA, 1.8V
Frequency - Transition: 85GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.75dB @ 5.5GHz
Supplier Device Package: PG-TSFP-4-1
на замовлення 78000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+17.01 грн
6000+15.95 грн
9000+15.73 грн
15000+14.54 грн
21000+14.41 грн
30000+14.28 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BFP840FESDH6327XTSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BFP840FESDH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 2.25 V, 85 GHz, 75 mW, 35 mA, TSFP, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 75mW, Bauform - Transistor: TSFP, Dauerkollektorstrom: 35mA, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 2.25V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 85GHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції BFP840FESDH6327XTSA1 за ціною від 15.93 грн до 38.49 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BFP840FESDH6327XTSA1 BFP840FESDH6327XTSA1 Infineon Technologies 14796infineon-robust-very-low-noise-rf-transistor-bfp840fesd.pdffolder.pdf Trans RF BJT 2.25V 0.035A 4-Pin TSFP T/R
на замовлення 38278 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1852+18.97 грн
10000+16.91 грн
Мінімальне замовлення: 1852 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFP840FESDH6327XTSA1 BFP840FESDH6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon-BFP840FESD-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46265f064ff01663896c6294eb9 Description: RF TRANS NPN 2.6V 85GHZ 4TSFP-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 35dB
Power - Max: 75mW
Current - Collector (Ic) (Max): 35mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2.6V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 10mA, 1.8V
Frequency - Transition: 85GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.75dB @ 5.5GHz
Supplier Device Package: PG-TSFP-4-1
на замовлення 80530 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+38.49 грн
12+26.02 грн
25+23.24 грн
100+19.02 грн
250+17.67 грн
500+16.86 грн
1000+15.93 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFP840FESDH6327XTSA1 BFP840FESDH6327XTSA1 INFINEON INFN-S-A0009690954-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BFP840FESDH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 2.25 V, 85 GHz, 75 mW, 35 mA, TSFP
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75mW
Bauform - Transistor: TSFP
Dauerkollektorstrom: 35mA
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 2.25V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 85GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2252 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFP840FESDH6327XTSA1 BFP840FESDH6327XTSA1 INFINEON INFN-S-A0009690954-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BFP840FESDH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 2.25 V, 85 GHz, 75 mW, 35 mA, TSFP
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75mW
Bauform - Transistor: TSFP
Dauerkollektorstrom: 35mA
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 2.25V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 85GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2252 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFP840FESDH6327XTSA1 14796infineon-robust-very-low-noise-rf-transistor-bfp840fesd.pdffolder.pdf
BFP840FESDH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans RF BJT 2.25V 0.035A 4-Pin TSFP T/R
на замовлення 38278 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1852+18.97 грн
10000+16.91 грн
Мінімальне замовлення: 1852 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFP840FESDH6327XTSA1 Infineon-BFP840FESD-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46265f064ff01663896c6294eb9
BFP840FESDH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: RF TRANS NPN 2.6V 85GHZ 4TSFP-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 35dB
Power - Max: 75mW
Current - Collector (Ic) (Max): 35mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2.6V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 10mA, 1.8V
Frequency - Transition: 85GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.75dB @ 5.5GHz
Supplier Device Package: PG-TSFP-4-1
на замовлення 80530 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+38.49 грн
12+26.02 грн
25+23.24 грн
100+19.02 грн
250+17.67 грн
500+16.86 грн
1000+15.93 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFP840FESDH6327XTSA1 INFN-S-A0009690954-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BFP840FESDH6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BFP840FESDH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 2.25 V, 85 GHz, 75 mW, 35 mA, TSFP
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75mW
Bauform - Transistor: TSFP
Dauerkollektorstrom: 35mA
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 2.25V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 85GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2252 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFP840FESDH6327XTSA1 INFN-S-A0009690954-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BFP840FESDH6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BFP840FESDH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 2.25 V, 85 GHz, 75 mW, 35 mA, TSFP
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75mW
Bauform - Transistor: TSFP
Dauerkollektorstrom: 35mA
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 2.25V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 85GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2252 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.