BFP840FESDH6327XTSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: RF TRANS NPN 2.6V 85GHZ 4TSFP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 35dB
Power - Max: 75mW
Current - Collector (Ic) (Max): 35mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2.6V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 10mA, 1.8V
Frequency - Transition: 85GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.75dB @ 5.5GHz
Supplier Device Package: PG-TSFP-4-1
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 13.63 грн |
| 6000+ | 12.76 грн |
| 9000+ | 12.57 грн |
| 15000+ | 11.60 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BFP840FESDH6327XTSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BFP840FESDH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 2.25 V, 85 GHz, 75 mW, 35 mA, TSFP, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 75mW, Bauform - Transistor: TSFP, Dauerkollektorstrom: 35mA, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 2.25V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 85GHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції BFP840FESDH6327XTSA1 за ціною від 12.79 грн до 32.85 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BFP840FESDH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans RF BJT 2.25V 0.035A 4-Pin TSFP T/R |
на замовлення 38278 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BFP840FESDH6327XTSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BFP840FESDH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 2.25 V, 85 GHz, 75 mW, 35 mA, TSFP tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 75mW Bauform - Transistor: TSFP Dauerkollektorstrom: 35mA Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 2.25V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 85GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 2252 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BFP840FESDH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: RF TRANS NPN 2.6V 85GHZ 4TSFP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 4-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 35dB Power - Max: 75mW Current - Collector (Ic) (Max): 35mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2.6V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 10mA, 1.8V Frequency - Transition: 85GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.75dB @ 5.5GHz Supplier Device Package: PG-TSFP-4-1 |
на замовлення 22018 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BFP840FESDH6327XTSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BFP840FESDH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 2.25 V, 85 GHz, 75 mW, 35 mA, TSFP tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 75mW Bauform - Transistor: TSFP Dauerkollektorstrom: 35mA Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 2.25V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 85GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 2252 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BFP840FESDH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans RF BJT 2.25V 0.035A Automotive 4-Pin TSFP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
BFP840FESDH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans RF BJT 2.25V 0.035A 4-Pin TSFP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
BFP840FESDH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans RF BJT 2.25V 0.035A 4-Pin TSFP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
BFP840FESDH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTORS |
товару немає в наявності |