BFP840FESDH6327XTSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: RF TRANS NPN 2.6V 85GHZ 4TSFP-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 35dB
Power - Max: 75mW
Current - Collector (Ic) (Max): 35mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2.6V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 10mA, 1.8V
Frequency - Transition: 85GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.75dB @ 5.5GHz
Supplier Device Package: PG-TSFP-4-1
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 17.16 грн |
| 6000+ | 16.09 грн |
| 9000+ | 15.87 грн |
| 15000+ | 14.67 грн |
| 21000+ | 14.54 грн |
| 30000+ | 14.41 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BFP840FESDH6327XTSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BFP840FESDH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 2.25 V, 85 GHz, 75 mW, 35 mA, TSFP, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung: 75mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TSFP, Dauerkollektorstrom: 35mA, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 2.25V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 85GHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції BFP840FESDH6327XTSA1 за ціною від 16.07 грн до 38.83 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BFP840FESDH6327XTSA1 | Infineon Technologies |
Trans RF BJT 2.25V 0.035A 4-Pin TSFP T/R |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BFP840FESDH6327XTSA1 | Infineon Technologies |
Trans RF BJT 2.25V 0.035A 4-Pin TSFP T/R |
на замовлення 39 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BFP840FESDH6327XTSA1 | Infineon Technologies |
Description: RF TRANS NPN 2.6V 85GHZ 4TSFP-4 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 4-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 35dB Power - Max: 75mW Current - Collector (Ic) (Max): 35mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2.6V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 10mA, 1.8V Frequency - Transition: 85GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.75dB @ 5.5GHz Supplier Device Package: PG-TSFP-4-1 |
на замовлення 50420 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
BFP840FESDH6327XTSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BFP840FESDH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 2.25 V, 85 GHz, 75 mW, 35 mA, TSFP tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 75mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TSFP Dauerkollektorstrom: 35mA Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 2.25V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 85GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 3002 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
|
BFP840FESDH6327XTSA1 | Infineon Technologies |
Trans RF BJT 2.25V 0.035A 4-Pin TSFP T/R |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 8 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
|
BFP840FESDH6327XTSA1 | Infineon Technologies |
Trans RF BJT 2.25V 0.035A 4-Pin TSFP T/R |
на замовлення 39 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 29 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
|
BFP840FESDH6327XTSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BFP840FESDH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 2.25 V, 85 GHz, 75 mW, 35 mA, TSFP tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 75mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TSFP Dauerkollektorstrom: 35mA Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 2.25V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 85GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 3002 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| BFP840FESDH6327XTSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans RF BJT 2.25V 0.035A 4-Pin TSFP T/R
Trans RF BJT 2.25V 0.035A 4-Pin TSFP T/R
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 29+ | 26.42 грн |
| BFP840FESDH6327XTSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans RF BJT 2.25V 0.035A 4-Pin TSFP T/R
Trans RF BJT 2.25V 0.035A 4-Pin TSFP T/R
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 24+ | 32.83 грн |
| 35+ | 21.81 грн |
| BFP840FESDH6327XTSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: RF TRANS NPN 2.6V 85GHZ 4TSFP-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 35dB
Power - Max: 75mW
Current - Collector (Ic) (Max): 35mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2.6V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 10mA, 1.8V
Frequency - Transition: 85GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.75dB @ 5.5GHz
Supplier Device Package: PG-TSFP-4-1
Description: RF TRANS NPN 2.6V 85GHZ 4TSFP-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 35dB
Power - Max: 75mW
Current - Collector (Ic) (Max): 35mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2.6V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 10mA, 1.8V
Frequency - Transition: 85GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.75dB @ 5.5GHz
Supplier Device Package: PG-TSFP-4-1
на замовлення 50420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8+ | 38.83 грн |
| 12+ | 26.25 грн |
| 25+ | 23.45 грн |
| 100+ | 19.19 грн |
| 250+ | 17.83 грн |
| 500+ | 17.01 грн |
| 1000+ | 16.07 грн |
| BFP840FESDH6327XTSA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BFP840FESDH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 2.25 V, 85 GHz, 75 mW, 35 mA, TSFP
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 75mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSFP
Dauerkollektorstrom: 35mA
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 2.25V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 85GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: INFINEON - BFP840FESDH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 2.25 V, 85 GHz, 75 mW, 35 mA, TSFP
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 75mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSFP
Dauerkollektorstrom: 35mA
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 2.25V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 85GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 3002 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BFP840FESDH6327XTSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans RF BJT 2.25V 0.035A 4-Pin TSFP T/R
Trans RF BJT 2.25V 0.035A 4-Pin TSFP T/R
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BFP840FESDH6327XTSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans RF BJT 2.25V 0.035A 4-Pin TSFP T/R
Trans RF BJT 2.25V 0.035A 4-Pin TSFP T/R
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BFP840FESDH6327XTSA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BFP840FESDH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 2.25 V, 85 GHz, 75 mW, 35 mA, TSFP
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 75mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSFP
Dauerkollektorstrom: 35mA
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 2.25V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 85GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: INFINEON - BFP840FESDH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 2.25 V, 85 GHz, 75 mW, 35 mA, TSFP
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 75mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSFP
Dauerkollektorstrom: 35mA
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 2.25V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 85GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 3002 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)