Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції BFP842ESDH6327XTSA1 за ціною від 11.68 грн до 1554.87 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BFP842ESDH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: RF TRANS NPN 3.7V 60GHZ SOT-343Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-82A, SOT-343 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 26dB Power - Max: 120mW Current - Collector (Ic) (Max): 40mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3.7V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 15mA, 2.5V Frequency - Transition: 60GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.65dB @ 3.5GHz Supplier Device Package: PG-SOT343-4-2 Part Status: Active |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BFP842ESDH6327XTSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BFP842ESDH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 3.25 V, 57 GHz, 120 mW, 40 mA, SOT-343 tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 120mW Bauform - Transistor: SOT-343 Dauerkollektorstrom: 40mA Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 3.25V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 57GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 1535 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BFP842ESDH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: RF TRANS NPN 3.7V 60GHZ SOT-343 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-82A, SOT-343 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 26dB Power - Max: 120mW Current - Collector (Ic) (Max): 40mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3.7V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 15mA, 2.5V Frequency - Transition: 60GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.65dB @ 3.5GHz Supplier Device Package: PG-SOT343-4-2 Part Status: Active |
на замовлення 5678 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BFP842ESDH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTORS |
на замовлення 10358 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BFP842ESDH6327XTSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BFP842ESDH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 3.25 V, 57 GHz, 120 mW, 40 mA, SOT-343 tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 120mW Bauform - Transistor: SOT-343 Dauerkollektorstrom: 40mA Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 3.25V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 57GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 1535 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BFP842ESDH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans RF BJT NPN 3.25V 0.04A 120mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R |
на замовлення 1178 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BFP842ESDH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans RF BJT NPN 3.25V 0.04A 120mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R |
на замовлення 411 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BFP842ESDH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans RF BJT NPN 3.25V 0.04A 120mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R |
на замовлення 411 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| BFP842ESDH6327XTSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 3.7V; 40mA; 120mW; SOT343 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 3.7V Collector current: 40mA Power dissipation: 0.12W Case: SOT343 Current gain: 150 Mounting: SMD Frequency: 60GHz |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|