BFP842ESDH6327XTSA1


Infineon-BFP842ESD-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46265f064ff01663896cf294ebc
Код товару: 143195
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > ВЧ

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції BFP842ESDH6327XTSA1 за ціною від 14.50 грн до 1554.87 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BFP842ESDH6327XTSA1 BFP842ESDH6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon-BFP842ESD-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46265f064ff01663896cf294ebc Description: RF TRANS NPN 3.7V 60GHZ SOT-343
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-82A, SOT-343
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 26dB
Power - Max: 120mW
Current - Collector (Ic) (Max): 40mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3.7V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 15mA, 2.5V
Frequency - Transition: 60GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.65dB @ 3.5GHz
Supplier Device Package: PG-SOT343-4-2
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.46 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFP842ESDH6327XTSA1 BFP842ESDH6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon-BFP842ESD-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46265f064ff01663896cf294ebc Description: RF TRANS NPN 3.7V 60GHZ SOT-343
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-82A, SOT-343
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 26dB
Power - Max: 120mW
Current - Collector (Ic) (Max): 40mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3.7V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 15mA, 2.5V
Frequency - Transition: 60GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.65dB @ 3.5GHz
Supplier Device Package: PG-SOT343-4-2
Part Status: Active
на замовлення 5317 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+35.65 грн
13+23.80 грн
25+21.28 грн
100+17.35 грн
250+16.11 грн
500+15.35 грн
1000+14.50 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFP842ESDH6327XTSA1 BFP842ESDH6327XTSA1 Infineon Technologies infineonbfp842esddsv0200en.pdf Trans RF BJT NPN 3.25V 0.04A 120mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R
на замовлення 1178 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
318+44.53 грн
481+29.41 грн
585+24.20 грн
617+22.12 грн
1000+19.53 грн
Мінімальне замовлення: 318 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFP842ESDH6327XTSA1 BFP842ESDH6327XTSA1 Infineon Technologies infineonbfp842esddsv0200en.pdf Trans RF BJT NPN 3.25V 0.04A 120mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R
на замовлення 411 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1554.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BFP842ESDH6327XTSA1 BFP842ESDH6327XTSA1 Infineon Technologies infineonbfp842esddsv0200en.pdf Trans RF BJT NPN 3.25V 0.04A 120mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R
на замовлення 411 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+1554.87 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFP842ESDH6327XTSA1 BFP842ESDH6327XTSA1 INFINEON INFN-S-A0008993455-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BFP842ESDH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 3.25 V, 57 GHz, 120 mW, 40 mA, SOT-343
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 120mW
Bauform - Transistor: SOT-343
Dauerkollektorstrom: 40mA
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 3.25V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 57GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1535 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BFP842ESDH6327XTSA1 BFP842ESDH6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon_BFP842ESD_DS_v02_00_EN.pdf RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTORS
на замовлення 10245 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BFP842ESDH6327XTSA1 BFP842ESDH6327XTSA1 INFINEON INFN-S-A0008993455-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BFP842ESDH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 3.25 V, 57 GHz, 120 mW, 40 mA, SOT-343
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 120mW
Bauform - Transistor: SOT-343
Dauerkollektorstrom: 40mA
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 3.25V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 57GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1535 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFP842ESDH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BFP842ESD-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46265f064ff01663896cf294ebc Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 3.7V; 40mA; 120mW; SOT343
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 3.7V
Collector current: 40mA
Power dissipation: 0.12W
Case: SOT343
Current gain: 150
Mounting: SMD
Frequency: 60GHz
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3000+19.29 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFP842ESDH6327XTSA1 Infineon-BFP842ESD-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46265f064ff01663896cf294ebc
Виробник: Infineon Technologies
Description: RF TRANS NPN 3.7V 60GHZ SOT-343
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-82A, SOT-343
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 26dB
Power - Max: 120mW
Current - Collector (Ic) (Max): 40mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3.7V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 15mA, 2.5V
Frequency - Transition: 60GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.65dB @ 3.5GHz
Supplier Device Package: PG-SOT343-4-2
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+15.46 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFP842ESDH6327XTSA1 Infineon-BFP842ESD-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46265f064ff01663896cf294ebc
Виробник: Infineon Technologies
Description: RF TRANS NPN 3.7V 60GHZ SOT-343
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-82A, SOT-343
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 26dB
Power - Max: 120mW
Current - Collector (Ic) (Max): 40mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3.7V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 15mA, 2.5V
Frequency - Transition: 60GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.65dB @ 3.5GHz
Supplier Device Package: PG-SOT343-4-2
Part Status: Active
на замовлення 5317 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+35.65 грн
13+23.80 грн
25+21.28 грн
100+17.35 грн
250+16.11 грн
500+15.35 грн
1000+14.50 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFP842ESDH6327XTSA1 infineonbfp842esddsv0200en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans RF BJT NPN 3.25V 0.04A 120mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R
на замовлення 1178 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
318+44.53 грн
481+29.41 грн
585+24.20 грн
617+22.12 грн
1000+19.53 грн
Мінімальне замовлення: 318 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFP842ESDH6327XTSA1 infineonbfp842esddsv0200en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans RF BJT NPN 3.25V 0.04A 120mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R
на замовлення 411 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1554.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BFP842ESDH6327XTSA1 infineonbfp842esddsv0200en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans RF BJT NPN 3.25V 0.04A 120mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R
на замовлення 411 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+1554.87 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFP842ESDH6327XTSA1 INFN-S-A0008993455-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BFP842ESDH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 3.25 V, 57 GHz, 120 mW, 40 mA, SOT-343
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 120mW
Bauform - Transistor: SOT-343
Dauerkollektorstrom: 40mA
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 3.25V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 57GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1535 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BFP842ESDH6327XTSA1 Infineon_BFP842ESD_DS_v02_00_EN.pdf
Виробник: Infineon Technologies
RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTORS
на замовлення 10245 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BFP842ESDH6327XTSA1 INFN-S-A0008993455-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BFP842ESDH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 3.25 V, 57 GHz, 120 mW, 40 mA, SOT-343
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 120mW
Bauform - Transistor: SOT-343
Dauerkollektorstrom: 40mA
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 3.25V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 57GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1535 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFP842ESDH6327XTSA1 Infineon-BFP842ESD-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46265f064ff01663896cf294ebc
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 3.7V; 40mA; 120mW; SOT343
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 3.7V
Collector current: 40mA
Power dissipation: 0.12W
Case: SOT343
Current gain: 150
Mounting: SMD
Frequency: 60GHz
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+19.29 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.