Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції BFP842ESDH6327XTSA1 за ціною від 14.50 грн до 1554.87 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
BFP842ESDH6327XTSA1 | Infineon Technologies |
Description: RF TRANS NPN 3.7V 60GHZ SOT-343Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-82A, SOT-343 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 26dB Power - Max: 120mW Current - Collector (Ic) (Max): 40mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3.7V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 15mA, 2.5V Frequency - Transition: 60GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.65dB @ 3.5GHz Supplier Device Package: PG-SOT343-4-2 Part Status: Active |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BFP842ESDH6327XTSA1 | Infineon Technologies |
Description: RF TRANS NPN 3.7V 60GHZ SOT-343Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-82A, SOT-343 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 26dB Power - Max: 120mW Current - Collector (Ic) (Max): 40mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3.7V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 15mA, 2.5V Frequency - Transition: 60GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.65dB @ 3.5GHz Supplier Device Package: PG-SOT343-4-2 Part Status: Active |
на замовлення 5317 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BFP842ESDH6327XTSA1 | Infineon Technologies |
Trans RF BJT NPN 3.25V 0.04A 120mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R |
на замовлення 1178 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BFP842ESDH6327XTSA1 | Infineon Technologies |
Trans RF BJT NPN 3.25V 0.04A 120mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R |
на замовлення 411 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BFP842ESDH6327XTSA1 | Infineon Technologies |
Trans RF BJT NPN 3.25V 0.04A 120mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R |
на замовлення 411 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BFP842ESDH6327XTSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BFP842ESDH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 3.25 V, 57 GHz, 120 mW, 40 mA, SOT-343tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 120mW Bauform - Transistor: SOT-343 Dauerkollektorstrom: 40mA Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 3.25V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 57GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 1535 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
BFP842ESDH6327XTSA1 | Infineon Technologies |
RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTORS |
на замовлення 10245 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
BFP842ESDH6327XTSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BFP842ESDH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 3.25 V, 57 GHz, 120 mW, 40 mA, SOT-343tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 120mW Bauform - Transistor: SOT-343 Dauerkollektorstrom: 40mA Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 3.25V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 57GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 1535 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BFP842ESDH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: NPN SMD transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; 3.7V; 40mA; 120mW; SOT343 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 3.7V Collector current: 40mA Power dissipation: 0.12W Case: SOT343 Current gain: 150 Mounting: SMD Frequency: 60GHz |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
| BFP842ESDH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: RF TRANS NPN 3.7V 60GHZ SOT-343
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-82A, SOT-343
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 26dB
Power - Max: 120mW
Current - Collector (Ic) (Max): 40mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3.7V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 15mA, 2.5V
Frequency - Transition: 60GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.65dB @ 3.5GHz
Supplier Device Package: PG-SOT343-4-2
Part Status: Active
Description: RF TRANS NPN 3.7V 60GHZ SOT-343
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-82A, SOT-343
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 26dB
Power - Max: 120mW
Current - Collector (Ic) (Max): 40mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3.7V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 15mA, 2.5V
Frequency - Transition: 60GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.65dB @ 3.5GHz
Supplier Device Package: PG-SOT343-4-2
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 15.46 грн |
| BFP842ESDH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: RF TRANS NPN 3.7V 60GHZ SOT-343
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-82A, SOT-343
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 26dB
Power - Max: 120mW
Current - Collector (Ic) (Max): 40mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3.7V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 15mA, 2.5V
Frequency - Transition: 60GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.65dB @ 3.5GHz
Supplier Device Package: PG-SOT343-4-2
Part Status: Active
Description: RF TRANS NPN 3.7V 60GHZ SOT-343
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-82A, SOT-343
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 26dB
Power - Max: 120mW
Current - Collector (Ic) (Max): 40mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3.7V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 15mA, 2.5V
Frequency - Transition: 60GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.65dB @ 3.5GHz
Supplier Device Package: PG-SOT343-4-2
Part Status: Active
на замовлення 5317 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 9+ | 35.65 грн |
| 13+ | 23.80 грн |
| 25+ | 21.28 грн |
| 100+ | 17.35 грн |
| 250+ | 16.11 грн |
| 500+ | 15.35 грн |
| 1000+ | 14.50 грн |
| BFP842ESDH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans RF BJT NPN 3.25V 0.04A 120mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R
Trans RF BJT NPN 3.25V 0.04A 120mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R
на замовлення 1178 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 318+ | 44.53 грн |
| 481+ | 29.41 грн |
| 585+ | 24.20 грн |
| 617+ | 22.12 грн |
| 1000+ | 19.53 грн |
| BFP842ESDH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans RF BJT NPN 3.25V 0.04A 120mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R
Trans RF BJT NPN 3.25V 0.04A 120mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R
на замовлення 411 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1554.87 грн |
| BFP842ESDH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans RF BJT NPN 3.25V 0.04A 120mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R
Trans RF BJT NPN 3.25V 0.04A 120mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R
на замовлення 411 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 1554.87 грн |
| BFP842ESDH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BFP842ESDH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 3.25 V, 57 GHz, 120 mW, 40 mA, SOT-343
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 120mW
Bauform - Transistor: SOT-343
Dauerkollektorstrom: 40mA
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 3.25V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 57GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - BFP842ESDH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 3.25 V, 57 GHz, 120 mW, 40 mA, SOT-343
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 120mW
Bauform - Transistor: SOT-343
Dauerkollektorstrom: 40mA
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 3.25V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 57GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1535 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BFP842ESDH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTORS
RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTORS
на замовлення 10245 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| BFP842ESDH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BFP842ESDH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 3.25 V, 57 GHz, 120 mW, 40 mA, SOT-343
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 120mW
Bauform - Transistor: SOT-343
Dauerkollektorstrom: 40mA
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 3.25V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 57GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - BFP842ESDH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 3.25 V, 57 GHz, 120 mW, 40 mA, SOT-343
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 120mW
Bauform - Transistor: SOT-343
Dauerkollektorstrom: 40mA
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 3.25V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 57GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1535 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BFP842ESDH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 3.7V; 40mA; 120mW; SOT343
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 3.7V
Collector current: 40mA
Power dissipation: 0.12W
Case: SOT343
Current gain: 150
Mounting: SMD
Frequency: 60GHz
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 3.7V; 40mA; 120mW; SOT343
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 3.7V
Collector current: 40mA
Power dissipation: 0.12W
Case: SOT343
Current gain: 150
Mounting: SMD
Frequency: 60GHz
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 19.29 грн |






