BFP843FH6327XTSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Trans RF BJT NPN 2.25V 0.055A 125mW Automotive AEC-Q101 4-Pin TSFP T/R
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1235+ | 28.85 грн |
| 10000+ | 25.71 грн |
| 100000+ | 21.55 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
1235 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BFP843FH6327XTSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BFP843FH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 2.6 V, 125 mW, 55 mA, TSFP, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung: 125mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TSFP, Dauerkollektorstrom: 55mA, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 2.6V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції BFP843FH6327XTSA1 за ціною від 15.59 грн до 49.28 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
BFP843FH6327XTSA1 | Infineon Technologies |
Trans RF BJT NPN 2.25V 0.055A 125mW Automotive AEC-Q101 4-Pin TSFP T/R |
на замовлення 416931 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BFP843FH6327XTSA1 | Infineon Technologies |
Trans RF BJT NPN 2.25V 0.055A 125mW Automotive AEC-Q101 4-Pin TSFP T/R |
на замовлення 381000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BFP843FH6327XTSA1 | Infineon Technologies |
Trans RF BJT NPN 2.25V 0.055A 125mW Automotive AEC-Q101 4-Pin TSFP T/R |
на замовлення 202913 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BFP843FH6327XTSA1 | Infineon Technologies |
Description: RF TRANS NPN 2.25V PG-TSFP-4-1Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 4-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 13.5dB ~ 25dB Power - Max: 125mW Current - Collector (Ic) (Max): 55mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2.25V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 15mA, 1.8V Noise Figure (dB Typ @ f): 0.8dB ~ 1.7dB @ 450MHz ~ 10GHz Supplier Device Package: PG-TSFP-4-1 |
на замовлення 1798 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BFP843FH6327XTSA1 | Infineon Technologies |
Trans RF BJT NPN 2.25V 0.055A 125mW Automotive AEC-Q101 4-Pin TSFP T/R |
на замовлення 1890 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BFP843FH6327XTSA1 | Infineon Technologies |
Trans RF BJT NPN 2.25V 0.055A 125mW Automotive AEC-Q101 4-Pin TSFP T/R |
на замовлення 1890 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BFP843FH6327XTSA1 | Infineon Technologies |
RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTORS |
на замовлення 2760 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
BFP843FH6327XTSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BFP843FH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 2.6 V, 125 mW, 55 mA, TSFPtariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 125mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TSFP Dauerkollektorstrom: 55mA Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 2.6V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 2205 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
BFP843FH6327XTSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BFP843FH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 2.6 V, 125 mW, 55 mA, TSFPtariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 125mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TSFP Dauerkollektorstrom: 55mA Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 2.6V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 2205 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| BFP843FH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans RF BJT NPN 2.25V 0.055A 125mW Automotive AEC-Q101 4-Pin TSFP T/R
Trans RF BJT NPN 2.25V 0.055A 125mW Automotive AEC-Q101 4-Pin TSFP T/R
на замовлення 416931 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1235+ | 28.85 грн |
| 10000+ | 25.71 грн |
| 100000+ | 21.55 грн |
| BFP843FH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans RF BJT NPN 2.25V 0.055A 125mW Automotive AEC-Q101 4-Pin TSFP T/R
Trans RF BJT NPN 2.25V 0.055A 125mW Automotive AEC-Q101 4-Pin TSFP T/R
на замовлення 381000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1235+ | 28.85 грн |
| 10000+ | 25.71 грн |
| 100000+ | 21.55 грн |
| BFP843FH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans RF BJT NPN 2.25V 0.055A 125mW Automotive AEC-Q101 4-Pin TSFP T/R
Trans RF BJT NPN 2.25V 0.055A 125mW Automotive AEC-Q101 4-Pin TSFP T/R
на замовлення 202913 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1235+ | 28.85 грн |
| 10000+ | 25.71 грн |
| 100000+ | 21.55 грн |
| BFP843FH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: RF TRANS NPN 2.25V PG-TSFP-4-1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 13.5dB ~ 25dB
Power - Max: 125mW
Current - Collector (Ic) (Max): 55mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2.25V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 15mA, 1.8V
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.8dB ~ 1.7dB @ 450MHz ~ 10GHz
Supplier Device Package: PG-TSFP-4-1
Description: RF TRANS NPN 2.25V PG-TSFP-4-1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 13.5dB ~ 25dB
Power - Max: 125mW
Current - Collector (Ic) (Max): 55mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2.25V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 15mA, 1.8V
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.8dB ~ 1.7dB @ 450MHz ~ 10GHz
Supplier Device Package: PG-TSFP-4-1
на замовлення 1798 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 9+ | 37.79 грн |
| 12+ | 25.40 грн |
| 25+ | 22.76 грн |
| 100+ | 18.61 грн |
| 250+ | 17.30 грн |
| 500+ | 16.50 грн |
| 1000+ | 15.59 грн |
| BFP843FH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans RF BJT NPN 2.25V 0.055A 125mW Automotive AEC-Q101 4-Pin TSFP T/R
Trans RF BJT NPN 2.25V 0.055A 125mW Automotive AEC-Q101 4-Pin TSFP T/R
на замовлення 1890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 16+ | 49.28 грн |
| 21+ | 36.19 грн |
| 25+ | 32.52 грн |
| 100+ | 27.88 грн |
| 250+ | 24.14 грн |
| 500+ | 22.20 грн |
| 1000+ | 20.21 грн |
| BFP843FH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans RF BJT NPN 2.25V 0.055A 125mW Automotive AEC-Q101 4-Pin TSFP T/R
Trans RF BJT NPN 2.25V 0.055A 125mW Automotive AEC-Q101 4-Pin TSFP T/R
на замовлення 1890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 289+ | 49.28 грн |
| 394+ | 36.19 грн |
| 438+ | 32.52 грн |
| 493+ | 27.88 грн |
| 527+ | 24.14 грн |
| 550+ | 22.20 грн |
| 1000+ | 20.21 грн |
| BFP843FH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTORS
RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTORS
на замовлення 2760 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| BFP843FH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BFP843FH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 2.6 V, 125 mW, 55 mA, TSFP
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 125mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSFP
Dauerkollektorstrom: 55mA
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 2.6V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: INFINEON - BFP843FH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 2.6 V, 125 mW, 55 mA, TSFP
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 125mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSFP
Dauerkollektorstrom: 55mA
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 2.6V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BFP843FH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BFP843FH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 2.6 V, 125 mW, 55 mA, TSFP
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 125mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSFP
Dauerkollektorstrom: 55mA
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 2.6V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: INFINEON - BFP843FH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 2.6 V, 125 mW, 55 mA, TSFP
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 125mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSFP
Dauerkollektorstrom: 55mA
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 2.6V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)





