BFP843FH6327XTSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesTrans RF BJT NPN 2.25V 0.055A 125mW Automotive AEC-Q101 4-Pin TSFP T/R
на замовлення 416931 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1852+ | 17.54 грн |
| 10000+ | 15.64 грн |
| 100000+ | 13.11 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BFP843FH6327XTSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BFP843FH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 2.6 V, 125 mW, 55 mA, TSFP, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 125mW, Bauform - Transistor: TSFP, Dauerkollektorstrom: 55mA, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 2.6V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції BFP843FH6327XTSA1 за ціною від 13.11 грн до 73.96 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
BFP843FH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans RF BJT NPN 2.25V 0.055A 125mW Automotive AEC-Q101 4-Pin TSFP T/R |
на замовлення 176565 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BFP843FH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans RF BJT NPN 2.25V 0.055A 125mW Automotive AEC-Q101 4-Pin TSFP T/R |
на замовлення 381000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BFP843FH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans RF BJT NPN 2.25V 0.055A 125mW Automotive AEC-Q101 4-Pin TSFP T/R |
на замовлення 202913 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BFP843FH6327XTSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BFP843FH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 2.6 V, 125 mW, 55 mA, TSFP tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 125mW Bauform - Transistor: TSFP Dauerkollektorstrom: 55mA Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 2.6V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 2410 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BFP843FH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans RF BJT NPN 2.25V 0.055A 125mW Automotive AEC-Q101 4-Pin TSFP T/R |
на замовлення 1890 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BFP843FH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: RF TRANS NPN 2.25V TSFP-4-1 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 4-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 13.5dB ~ 25dB Power - Max: 125mW Current - Collector (Ic) (Max): 55mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2.25V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 15mA, 1.8V Noise Figure (dB Typ @ f): 0.8dB ~ 1.7dB @ 450MHz ~ 10GHz Supplier Device Package: PG-TSFP-4-1 |
на замовлення 17 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BFP843FH6327XTSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BFP843FH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 2.6 V, 125 mW, 55 mA, TSFP tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 125mW Bauform - Transistor: TSFP Dauerkollektorstrom: 55mA Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 2.6V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 2410 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BFP843FH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTORS |
на замовлення 2900 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BFP843FH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans RF BJT NPN 2.25V 0.055A 125mW Automotive AEC-Q101 4-Pin TSFP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
BFP843FH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans RF BJT NPN 2.25V 0.055A 125mW Automotive AEC-Q101 4-Pin TSFP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
BFP843FH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: RF TRANS NPN 2.25V TSFP-4-1 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 13.5dB ~ 25dB Power - Max: 125mW Current - Collector (Ic) (Max): 55mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2.25V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 15mA, 1.8V Noise Figure (dB Typ @ f): 0.8dB ~ 1.7dB @ 450MHz ~ 10GHz Supplier Device Package: PG-TSFP-4-1 |
товару немає в наявності |