BFP843FH6327XTSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesTrans RF BJT NPN 2.25V 0.055A 125mW Automotive AEC-Q101 4-Pin TSFP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 817+ | 14.95 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BFP843FH6327XTSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BFP843FH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 2.6 V, 125 mW, 55 mA, TSFP, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 55mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 125mW, Bauform - Transistor: TSFP, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 2.6V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Інші пропозиції BFP843FH6327XTSA1 за ціною від 10.33 грн до 58.09 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
BFP843FH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans RF BJT NPN 2.25V 0.055A 125mW Automotive AEC-Q101 4-Pin TSFP T/R |
на замовлення 108000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
BFP843FH6327XTSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BFP843FH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 2.6 V, 125 mW, 55 mA, TSFP tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 55mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 125mW Bauform - Transistor: TSFP Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 2.6V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 2550 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
BFP843FH6327XTSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BFP843FH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 2.6 V, 125 mW, 55 mA, TSFP tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 55mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 125mW Bauform - Transistor: TSFP Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 2.6V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 2550 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
BFP843FH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: RF TRANS NPN 2.25V TSFP-4-1 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 4-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 13.5dB ~ 25dB Power - Max: 125mW Current - Collector (Ic) (Max): 55mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2.25V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 15mA, 1.8V Noise Figure (dB Typ @ f): 0.8dB ~ 1.7dB @ 450MHz ~ 10GHz Supplier Device Package: PG-TSFP-4-1 |
на замовлення 17 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
BFP843FH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans RF BJT NPN 2.25V 0.055A 125mW Automotive AEC-Q101 4-Pin TSFP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
 |
BFP843FH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans RF BJT NPN 2.25V 0.055A 125mW Automotive 4-Pin TSFP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
BFP843FH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans RF BJT NPN 2.25V 0.055A 125mW Automotive AEC-Q101 4-Pin TSFP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
BFP843FH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: RF TRANS NPN 2.25V TSFP-4-1 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 13.5dB ~ 25dB Power - Max: 125mW Current - Collector (Ic) (Max): 55mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2.25V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 15mA, 1.8V Noise Figure (dB Typ @ f): 0.8dB ~ 1.7dB @ 450MHz ~ 10GHz Supplier Device Package: PG-TSFP-4-1 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
 |
BFP843FH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTORS |
товару немає в наявності |