BFP843H6327XTSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: RF TRANS NPN 2.25V PGSOT-343-4-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-82A, SOT-343
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 13.5dB ~ 24.5dB
Power - Max: 125mW
Current - Collector (Ic) (Max): 55mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2.25V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 15mA, 1.8V
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.85dB @ 450MHz ~ 10GHz
Supplier Device Package: PG-SOT343-4-3
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 17.07 грн |
| 6000+ | 15.14 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BFP843H6327XTSA1 Infineon Technologies
Description: RF TRANS NPN 2.25V PGSOT-343-4-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-82A, SOT-343, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Gain: 13.5dB ~ 24.5dB, Power - Max: 125mW, Current - Collector (Ic) (Max): 55mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2.25V, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 15mA, 1.8V, Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.85dB @ 450MHz ~ 10GHz, Supplier Device Package: PG-SOT343-4-3.
Інші пропозиції BFP843H6327XTSA1 за ціною від 13.18 грн до 69.78 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
BFP843H6327XTSA1 | Infineon Technologies |
RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTORS |
на замовлення 8307 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BFP843H6327XTSA1 | Infineon Technologies |
Description: RF TRANS NPN 2.25V PGSOT-343-4-3Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-82A, SOT-343 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 13.5dB ~ 24.5dB Power - Max: 125mW Current - Collector (Ic) (Max): 55mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2.25V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 15mA, 1.8V Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.85dB @ 450MHz ~ 10GHz Supplier Device Package: PG-SOT343-4-3 |
на замовлення 8762 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| BFP843H6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTORS
RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTORS
на замовлення 8307 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 69.32 грн |
| 10+ | 41.09 грн |
| 100+ | 24.03 грн |
| 500+ | 18.54 грн |
| 1000+ | 16.70 грн |
| 3000+ | 14.10 грн |
| 6000+ | 13.18 грн |
| BFP843H6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: RF TRANS NPN 2.25V PGSOT-343-4-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-82A, SOT-343
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 13.5dB ~ 24.5dB
Power - Max: 125mW
Current - Collector (Ic) (Max): 55mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2.25V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 15mA, 1.8V
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.85dB @ 450MHz ~ 10GHz
Supplier Device Package: PG-SOT343-4-3
Description: RF TRANS NPN 2.25V PGSOT-343-4-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-82A, SOT-343
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 13.5dB ~ 24.5dB
Power - Max: 125mW
Current - Collector (Ic) (Max): 55mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2.25V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 15mA, 1.8V
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.85dB @ 450MHz ~ 10GHz
Supplier Device Package: PG-SOT343-4-3
на замовлення 8762 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 69.78 грн |
| 10+ | 41.92 грн |
| 100+ | 27.32 грн |
| 500+ | 19.74 грн |
| 1000+ | 17.84 грн |



