BFQ 19S E6327 Infineon Technologies


Infineon_High_Linearity_LNA_BFQ19S-85906.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Bipolar Transistors - BJT NPN Silicon RF TRANSISTOR
на замовлення 274 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BFQ 19S E6327 Infineon Technologies

Description: RF TRANS NPN 15V 5.5GHZ PG-SOT89, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-243AA, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Gain: 7dB ~ 11.5dB, Power - Max: 1W, Current - Collector (Ic) (Max): 210mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 70mA, 8V, Frequency - Transition: 5.5GHz, Noise Figure (dB Typ @ f): 1.8dB ~ 3dB @ 900MHz ~ 1.8Ghz, Supplier Device Package: PG-SOT89.

Інші пропозиції BFQ 19S E6327

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BFQ19SE6327
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BFQ19SE6327
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.