BFQ 19S E6327 Infineon Technologies


Infineon_High_Linearity_LNA_BFQ19S-85906.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Bipolar Transistors - BJT NPN Silicon RF TRANSISTOR
на замовлення 274 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BFQ 19S E6327 Infineon Technologies

Description: RF TRANS NPN 15V 5.5GHZ PG-SOT89, Supplier Device Package: PG-SOT89, Noise Figure (dB Typ @ f): 1.8dB ~ 3dB @ 900MHz ~ 1.8Ghz, Frequency - Transition: 5.5GHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 70mA, 8V, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V, Current - Collector (Ic) (Max): 210mA, Power - Max: 1W, Gain: 7dB ~ 11.5dB, Operating Temperature: 150°C (TJ), Transistor Type: NPN, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-243AA, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції BFQ 19S E6327

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
BFQ19SE6327 INFINION
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BFQ19SE6327
Виробник: INFINION
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.