
BFQ19SH6327XTSA1 Infineon Technologies

Description: RF TRANS NPN 15V 5.5GHZ PG-SOT89
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 7dB
Power - Max: 1W
Current - Collector (Ic) (Max): 120mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 70mA, 8V
Frequency - Transition: 5.5GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 3dB @ 1.8GHz
Supplier Device Package: PG-SOT89
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1000+ | 19.18 грн |
2000+ | 17.84 грн |
3000+ | 17.53 грн |
5000+ | 16.13 грн |
7000+ | 15.94 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BFQ19SH6327XTSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BFQ19SH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 15 V, 5.5 GHz, 1 W, 120 mA, SOT-89, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: SOT-89, Dauerkollektorstrom: 120mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 15V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 5.5GHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції BFQ19SH6327XTSA1 за ціною від 14.08 грн до 51.02 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
BFQ19SH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BFQ19SH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 22000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BFQ19SH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 3069 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BFQ19SH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 11999 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BFQ19SH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BFQ19SH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 22000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BFQ19SH6327XTSA1 | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: SOT-89 Dauerkollektorstrom: 120mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 15V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 5.5GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 1070 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BFQ19SH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 843 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BFQ19SH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 3069 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BFQ19SH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 7dB Power - Max: 1W Current - Collector (Ic) (Max): 120mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 70mA, 8V Frequency - Transition: 5.5GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 3dB @ 1.8GHz Supplier Device Package: PG-SOT89 |
на замовлення 7475 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BFQ19SH6327XTSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 20V; 0.12A; 1W; SOT89 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: RF Collector-emitter voltage: 20V Collector current: 0.12A Power dissipation: 1W Case: SOT89 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 5.5GHz |
на замовлення 645 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BFQ19SH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 7703 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BFQ19SH6327XTSA1 | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: SOT-89 Dauerkollektorstrom: 120mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 15V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 5.5GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 1070 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BFQ19SH6327XTSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 20V; 0.12A; 1W; SOT89 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: RF Collector-emitter voltage: 20V Collector current: 0.12A Power dissipation: 1W Case: SOT89 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 5.5GHz кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 645 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
BFQ19SH6327XTSA1 | Виробник : Infineon |
![]() кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 505 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
![]() |
BFQ19SH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |