Продукція > INFINEON > BFR181T E6327

BFR181T E6327 INFINEON


Виробник: INFINEON
SOT323-RF PB-FRE
на замовлення 54000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BFR181T E6327 INFINEON

Description: RF TRANS NPN 12V 8GHZ SC75, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-75, SOT-416, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Gain: 19.5dB, Power - Max: 175mW, Current - Collector (Ic) (Max): 20mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 8V, Frequency - Transition: 8GHz, Noise Figure (dB Typ @ f): 1.45dB ~ 1.8dB @ 900MHz ~ 1.8GHz, Supplier Device Package: PG-SC75-3D.

Інші пропозиції BFR181T E6327

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
BFR181T E6327 Виробник : INFINEON SOT423-RF PB-FRE
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BFR 181T E6327 BFR 181T E6327 Виробник : Infineon Technologies BFR181T.pdf Description: RF TRANS NPN 12V 8GHZ SC75
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 19.5dB
Power - Max: 175mW
Current - Collector (Ic) (Max): 20mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 8V
Frequency - Transition: 8GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.45dB ~ 1.8dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
Supplier Device Package: PG-SC75-3D
товар відсутній