BFR 193F H6327 Infineon Technologies
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 818+ | 17.18 грн |
| 849+ | 16.56 грн |
| 1000+ | 16.02 грн |
| 2500+ | 14.99 грн |
| 5000+ | 13.51 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BFR 193F H6327 Infineon Technologies
Description: RF TRANS NPN 12V 8GHZ PG TSFP-3, Packaging: Bulk, Package / Case: SOT-723, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Gain: 19dB, Power - Max: 580mW, Current - Collector (Ic) (Max): 80mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 30mA, 8V, Frequency - Transition: 8GHz, Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz, Supplier Device Package: PG-TSFP-3-1, Grade: Automotive, Part Status: Active, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції BFR 193F H6327
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
BFR 193F H6327 | Infineon Technologies |
 RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTOR |
на замовлення 5679 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| BFR 193F H6327 | Infineon |
на замовлення 180000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| BFR 193F H6327 |
|
Виробник: Infineon Technologies
RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTOR
RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTOR
на замовлення 5679 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| BFR 193F H6327 |
Виробник: Infineon
на замовлення 180000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)