Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BFR 193F H6327
BFR 193F H6327

BFR 193F H6327 Infineon Technologies

624bfr193f.pdffolderiddb3a30431400ef68011425b2dfaf05c6fileiddb3a3043.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 580mW Automotive AEC-Q101 3-Pin TSFP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
818+15.17 грн
849+14.62 грн
1000+14.14 грн
2500+13.24 грн
5000+11.93 грн
Мінімальне замовлення: 818
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BFR 193F H6327 Infineon Technologies

Description: RF TRANS NPN 12V 8GHZ PG TSFP-3, Packaging: Bulk, Package / Case: SOT-723, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Gain: 19dB, Power - Max: 580mW, Current - Collector (Ic) (Max): 80mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 30mA, 8V, Frequency - Transition: 8GHz, Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz, Supplier Device Package: PG-TSFP-3-1, Part Status: Active, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції BFR 193F H6327 за ціною від 6.06 грн до 51.44 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BFR193FH6327 BFR193FH6327 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A191D0E2A79A611C&compId=BFR193FH6327-dte.pdf?ci_sign=36a79ff6ce9c25acd1f0aac379677a9982028e7d Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 20V; 80mA; 0.58W; TSFP-3
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 20V
Collector current: 80mA
Power dissipation: 0.58W
Case: TSFP-3
Mounting: SMD
Frequency: 8GHz
Kind of transistor: RF
Kind of package: reel; tape
на замовлення 1346 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
27+16.32 грн
34+11.88 грн
100+8.45 грн
146+6.46 грн
402+6.06 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
BFR193FH6327 BFR193FH6327 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A191D0E2A79A611C&compId=BFR193FH6327-dte.pdf?ci_sign=36a79ff6ce9c25acd1f0aac379677a9982028e7d Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 20V; 80mA; 0.58W; TSFP-3
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 20V
Collector current: 80mA
Power dissipation: 0.58W
Case: TSFP-3
Mounting: SMD
Frequency: 8GHz
Kind of transistor: RF
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1346 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
16+19.58 грн
21+14.81 грн
100+10.14 грн
146+7.75 грн
402+7.27 грн
3000+6.99 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
BFR 193F H6327 BFR 193F H6327 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BFR193F-DS-v01_01-en.pdf RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTOR
на замовлення 5679 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+51.44 грн
12+31.43 грн
100+18.45 грн
500+13.32 грн
1000+11.33 грн
3000+10.18 грн
6000+9.03 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BFR 193F H6327 Виробник : Infineon
на замовлення 180000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BFR193FH6327 BFR193FH6327 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BFR193F-DS-v01_01-en.pdf?fileId=db3a30431441fb5d0114acfcde76152c Description: RF TRANS NPN 12V 8GHZ PG TSFP-3
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 19dB
Power - Max: 580mW
Current - Collector (Ic) (Max): 80mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 30mA, 8V
Frequency - Transition: 8GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
Supplier Device Package: PG-TSFP-3-1
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.