BFR750L3RHE6327 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: RF BIPOLAR TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 21dB
Power - Max: 360mW
Current - Collector (Ic) (Max): 90mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.7V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 60mA, 3V
Frequency - Transition: 37GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.6dB ~ 1.1dB @ 1.8GHz ~ 6GHz
Supplier Device Package: PG-TSLP-3
Part Status: Active
на замовлення 36420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 944+ | 24.17 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BFR750L3RHE6327 Infineon Technologies
Description: RF BIPOLAR TRANSISTOR, Packaging: Bulk, Package / Case: SC-101, SOT-883, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Gain: 21dB, Power - Max: 360mW, Current - Collector (Ic) (Max): 90mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.7V, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 60mA, 3V, Frequency - Transition: 37GHz, Noise Figure (dB Typ @ f): 0.6dB ~ 1.1dB @ 1.8GHz ~ 6GHz, Supplier Device Package: PG-TSLP-3, Part Status: Active.
Інші пропозиції BFR750L3RHE6327
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| BFR 750L3RH E6327 | Виробник : Infineon Technologies |
RF Bipolar Transistors NPN Silicn Germanium RF Transistor |
товару немає в наявності |