Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BFR181E6327HTSA1
BFR181E6327HTSA1

BFR181E6327HTSA1 Infineon Technologies

bfr181.pdf?folderId=db3a30431400ef68011425b1354605c1&fileId=db3a30431400ef680114268848380638
Виробник: Infineon Technologies
Description: RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT-23
Supplier Device Package: PG-SOT23
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
Frequency - Transition: 8GHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 8V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
Current - Collector (Ic) (Max): 20mA
Power - Max: 175mW
Gain: 18.5dB
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+8.81 грн
6000+8.24 грн
9000+8.11 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BFR181E6327HTSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BFR181E6327HTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 175 mW, 20 mA, SOT-23, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 175mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 20mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 8GHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції BFR181E6327HTSA1 за ціною від 8.31 грн до 20.97 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BFR181E6327HTSA1 BFR181E6327HTSA1 Infineon Technologies 252bfr181.pdffolderiddb3a30431400ef68011425b1354605c1fileiddb3a30431.pdf Trans RF BJT NPN 12V 0.02A 175mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1172+12.10 грн
Мінімальне замовлення: 1172 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFR181E6327HTSA1 BFR181E6327HTSA1 Infineon Technologies 252bfr181.pdffolderiddb3a30431400ef68011425b1354605c1fileiddb3a30431.pdf Trans RF BJT NPN 12V 0.02A 175mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 4182 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2453+14.45 грн
Мінімальне замовлення: 2453 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFR181E6327HTSA1 BFR181E6327HTSA1 Infineon Technologies 252bfr181.pdffolderiddb3a30431400ef68011425b1354605c1fileiddb3a30431.pdf Trans RF BJT NPN 12V 0.02A 175mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2453+14.45 грн
Мінімальне замовлення: 2453 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFR181E6327HTSA1 BFR181E6327HTSA1 Infineon Technologies 252bfr181.pdffolderiddb3a30431400ef68011425b1354605c1fileiddb3a30431.pdf Trans RF BJT NPN 12V 0.02A 175mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2453+14.45 грн
Мінімальне замовлення: 2453 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFR181E6327HTSA1 BFR181E6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BFR181.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 12V; 20mA; 0.175W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 12V
Collector current: 20mA
Power dissipation: 0.175W
Case: SOT23
Current gain: 70...140
Mounting: SMD
Frequency: 8GHz
Kind of package: reel; tape
на замовлення 934 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
23+19.69 грн
28+15.29 грн
32+13.38 грн
37+11.30 грн
100+9.14 грн
250+8.39 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFR181E6327HTSA1 BFR181E6327HTSA1 Infineon Technologies bfr181.pdf?folderId=db3a30431400ef68011425b1354605c1&fileId=db3a30431400ef680114268848380638 Description: RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT-23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 18.5dB
Power - Max: 175mW
Current - Collector (Ic) (Max): 20mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 8V
Frequency - Transition: 8GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
Supplier Device Package: PG-SOT23
на замовлення 9165 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+20.97 грн
22+14.06 грн
25+12.50 грн
100+10.09 грн
250+9.31 грн
500+8.83 грн
1000+8.31 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFR181E6327HTSA1 BFR181E6327HTSA1 Infineon Technologies Infineon_BFR181_DS_v01_01_en.pdf RF Bipolar Transistors NPN Silicon RF TRANSISTOR
на замовлення 7629 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BFR181E6327HTSA1 BFR181E6327HTSA1 INFINEON INFNS27666-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BFR181E6327HTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 175 mW, 20 mA, SOT-23
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 175mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 20mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 8GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFR181E6327HTSA1 BFR181E6327HTSA1 INFINEON INFNS27666-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BFR181E6327HTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 175 mW, 20 mA, SOT-23
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 175mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 20mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 8GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFR181E6327HTSA1 252bfr181.pdffolderiddb3a30431400ef68011425b1354605c1fileiddb3a30431.pdf
BFR181E6327HTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans RF BJT NPN 12V 0.02A 175mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1172+12.10 грн
Мінімальне замовлення: 1172 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFR181E6327HTSA1 252bfr181.pdffolderiddb3a30431400ef68011425b1354605c1fileiddb3a30431.pdf
BFR181E6327HTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans RF BJT NPN 12V 0.02A 175mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 4182 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2453+14.45 грн
Мінімальне замовлення: 2453 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFR181E6327HTSA1 252bfr181.pdffolderiddb3a30431400ef68011425b1354605c1fileiddb3a30431.pdf
BFR181E6327HTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans RF BJT NPN 12V 0.02A 175mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2453+14.45 грн
Мінімальне замовлення: 2453 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFR181E6327HTSA1 252bfr181.pdffolderiddb3a30431400ef68011425b1354605c1fileiddb3a30431.pdf
BFR181E6327HTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans RF BJT NPN 12V 0.02A 175mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2453+14.45 грн
Мінімальне замовлення: 2453 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFR181E6327HTSA1 BFR181.pdf
BFR181E6327HTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 12V; 20mA; 0.175W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 12V
Collector current: 20mA
Power dissipation: 0.175W
Case: SOT23
Current gain: 70...140
Mounting: SMD
Frequency: 8GHz
Kind of package: reel; tape
на замовлення 934 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
23+19.69 грн
28+15.29 грн
32+13.38 грн
37+11.30 грн
100+9.14 грн
250+8.39 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFR181E6327HTSA1 bfr181.pdf?folderId=db3a30431400ef68011425b1354605c1&fileId=db3a30431400ef680114268848380638
BFR181E6327HTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT-23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 18.5dB
Power - Max: 175mW
Current - Collector (Ic) (Max): 20mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 8V
Frequency - Transition: 8GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
Supplier Device Package: PG-SOT23
на замовлення 9165 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
15+20.97 грн
22+14.06 грн
25+12.50 грн
100+10.09 грн
250+9.31 грн
500+8.83 грн
1000+8.31 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFR181E6327HTSA1 Infineon_BFR181_DS_v01_01_en.pdf
BFR181E6327HTSA1
Виробник: Infineon Technologies
RF Bipolar Transistors NPN Silicon RF TRANSISTOR
на замовлення 7629 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BFR181E6327HTSA1 INFNS27666-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BFR181E6327HTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BFR181E6327HTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 175 mW, 20 mA, SOT-23
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 175mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 20mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 8GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFR181E6327HTSA1 INFNS27666-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BFR181E6327HTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BFR181E6327HTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 175 mW, 20 mA, SOT-23
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 175mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 20mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 8GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.