
BFR181E6327HTSA1 Infineon Technologies
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
3000+ | 5.55 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BFR181E6327HTSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BFR181E6327HTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 175 mW, 20 mA, SOT-23, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 175mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 20mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 8GHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції BFR181E6327HTSA1 за ціною від 4.69 грн до 35.99 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
BFR181E6327HTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BFR181E6327HTSA1 | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 175mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 20mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 8GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 840 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BFR181E6327HTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BFR181E6327HTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 306000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BFR181E6327HTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 18.5dB Power - Max: 175mW Current - Collector (Ic) (Max): 20mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 8V Frequency - Transition: 8GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz Supplier Device Package: PG-SOT23 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BFR181E6327HTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 4182 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BFR181E6327HTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BFR181E6327HTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 8009 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BFR181E6327HTSA1 | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 175mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 20mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 8GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 840 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BFR181E6327HTSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 12V; 20mA; 0.175W; SOT23 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 12V Collector current: 20mA Power dissipation: 0.175W Case: SOT23 Current gain: 70...140 Mounting: SMD Frequency: 8GHz Kind of transistor: RF Kind of package: reel; tape |
на замовлення 1395 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BFR181E6327HTSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 12V; 20mA; 0.175W; SOT23 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 12V Collector current: 20mA Power dissipation: 0.175W Case: SOT23 Current gain: 70...140 Mounting: SMD Frequency: 8GHz Kind of transistor: RF Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1395 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BFR181E6327HTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 18.5dB Power - Max: 175mW Current - Collector (Ic) (Max): 20mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 8V Frequency - Transition: 8GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz Supplier Device Package: PG-SOT23 |
на замовлення 5871 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BFR181E6327HTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
BFR181E6327HTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
BFR181E6327HTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
BFR181E6327HTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |