Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BFR181E6327HTSA1
BFR181E6327HTSA1

BFR181E6327HTSA1 Infineon Technologies

bfr181.pdf?folderId=db3a30431400ef68011425b1354605c1&fileId=db3a30431400ef680114268848380638
Виробник: Infineon Technologies
Description: RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT23-3
Supplier Device Package: PG-SOT23
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
Frequency - Transition: 8GHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 8V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
Current - Collector (Ic) (Max): 20mA
Power - Max: 175mW
Gain: 18.5dB
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+7.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BFR181E6327HTSA1 Infineon Technologies

Description: RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT23-3, Supplier Device Package: PG-SOT23, Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz, Frequency - Transition: 8GHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 8V, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V, Current - Collector (Ic) (Max): 20mA, Power - Max: 175mW, Gain: 18.5dB, Operating Temperature: 150°C (TJ), Transistor Type: NPN, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції BFR181E6327HTSA1 за ціною від 6.91 грн до 34.89 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
BFR181E6327HTSA1 BFR181E6327HTSA1 Infineon Technologies Infineon_BFR181_DS_v01_01_en.pdf RF Bipolar Transistors NPN Silicon RF TRANSISTOR
на замовлення 7629 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
15+21.96 грн
25+13.05 грн
100+8.95 грн
500+8.53 грн
1000+8.18 грн
3000+6.91 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFR181E6327HTSA1 BFR181E6327HTSA1 Infineon Technologies bfr181.pdf?folderId=db3a30431400ef68011425b1354605c1&fileId=db3a30431400ef680114268848380638 Description: RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 18.5dB
Power - Max: 175mW
Current - Collector (Ic) (Max): 20mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 8V
Frequency - Transition: 8GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
Supplier Device Package: PG-SOT23
на замовлення 5871 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+34.89 грн
12+25.66 грн
25+23.12 грн
100+15.00 грн
250+12.63 грн
500+10.26 грн
1000+7.76 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFR181E6327HTSA1 Infineon_BFR181_DS_v01_01_en.pdf
BFR181E6327HTSA1
Виробник: Infineon Technologies
RF Bipolar Transistors NPN Silicon RF TRANSISTOR
на замовлення 7629 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
15+21.96 грн
25+13.05 грн
100+8.95 грн
500+8.53 грн
1000+8.18 грн
3000+6.91 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFR181E6327HTSA1 bfr181.pdf?folderId=db3a30431400ef68011425b1354605c1&fileId=db3a30431400ef680114268848380638
BFR181E6327HTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 18.5dB
Power - Max: 175mW
Current - Collector (Ic) (Max): 20mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 8V
Frequency - Transition: 8GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
Supplier Device Package: PG-SOT23
на замовлення 5871 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
10+34.89 грн
12+25.66 грн
25+23.12 грн
100+15.00 грн
250+12.63 грн
500+10.26 грн
1000+7.76 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.