BFR181WE-6327
Виробник:
на замовлення 22457 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BFR181WE-6327
Description: RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT323-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-70, SOT-323, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Gain: 19dB, Power - Max: 175mW, Current - Collector (Ic) (Max): 20mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 8V, Frequency - Transition: 8GHz, Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz, Supplier Device Package: PG-SOT323.
Інші пропозиції BFR181WE-6327
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| BFR181WE6327 | Виробник : INF |
 09+ |
на замовлення 3018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
| BFR181WE6327 | Виробник : INF |
SOT323 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
| BFR181WE6327 | Виробник : INFINEON |
03+ |
на замовлення 12010 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
| BFR181WE6327 | Виробник : INFINEON |
09+ |
на замовлення 15018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
 |
BFR181WE6327 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: LOW-NOISE TRANSISTOR Packaging: Bulk Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 19dB Power - Max: 175mW Current - Collector (Ic) (Max): 20mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 8V Frequency - Transition: 8GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz Supplier Device Package: SOT-323 |
товар відсутній |
|
 |
BFR 181W E6327 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT323-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 19dB Power - Max: 175mW Current - Collector (Ic) (Max): 20mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 8V Frequency - Transition: 8GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz Supplier Device Package: PG-SOT323 |
товар відсутній |
|
|
|
BFR 181W E6327 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT323-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 19dB Power - Max: 175mW Current - Collector (Ic) (Max): 20mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 8V Frequency - Transition: 8GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz Supplier Device Package: PG-SOT323 |
товар відсутній |