Продукція > INFINEON > BFR181WH6327XTSA1
BFR181WH6327XTSA1

BFR181WH6327XTSA1 Infineon

TBFR181w_INFINEON_0001.pdf
Виробник: Infineon
Transistor NPN; Bipolar; 12V; 2V; 8GHz; 20mA; 175mW; -65°C~150°C; BFR181WE6327; BFR181WH6327XTSA1 TBFR181w
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
200+5.47 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BFR181WH6327XTSA1 Infineon

Description: INFINEON - BFR181WH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 175 mW, 20 mA, SOT-323, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 175mW, Bauform - Transistor: SOT-323, Dauerkollektorstrom: 20mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 8GHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції BFR181WH6327XTSA1 за ціною від 7.27 грн до 20.78 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BFR181WH6327XTSA1 BFR181WH6327XTSA1 Infineon Technologies 331bfr181w.pdffolderiddb3a30431400ef68011425b1354605c1fileiddb3a3043.pdf Trans RF BJT NPN 12V 0.02A 175mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-323 T/R
на замовлення 2765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1620+8.67 грн
Мінімальне замовлення: 1620 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFR181WH6327XTSA1 BFR181WH6327XTSA1 Infineon Technologies bfr181w.pdf?folderId=db3a30431400ef68011425b1354605c1&fileId=db3a30431400ef680114268dc6c1063f Description: RF TRANS NPN 12V 8GHZ PG-SOT-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 19dB
Power - Max: 175mW
Current - Collector (Ic) (Max): 20mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 8V
Frequency - Transition: 8GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
Supplier Device Package: PG-SOT323
Part Status: Active
на замовлення 57000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.74 грн
6000+8.16 грн
9000+8.04 грн
15000+7.42 грн
21000+7.34 грн
30000+7.27 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFR181WH6327XTSA1 BFR181WH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BFR181WH6327.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 12V; 20mA; 0.175W; SOT323
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.175W
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Type of transistor: NPN
Case: SOT323
Frequency: 8GHz
Collector current: 20mA
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 12V
на замовлення 8194 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
22+20.40 грн
26+15.98 грн
29+14.25 грн
35+12.11 грн
50+10.79 грн
100+9.72 грн
250+8.73 грн
500+8.15 грн
1000+7.82 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFR181WH6327XTSA1 BFR181WH6327XTSA1 Infineon Technologies bfr181w.pdf?folderId=db3a30431400ef68011425b1354605c1&fileId=db3a30431400ef680114268dc6c1063f Description: RF TRANS NPN 12V 8GHZ PG-SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 19dB
Power - Max: 175mW
Current - Collector (Ic) (Max): 20mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 8V
Frequency - Transition: 8GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
Supplier Device Package: PG-SOT323
Part Status: Active
на замовлення 57008 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+20.78 грн
22+13.93 грн
25+12.39 грн
100+10.00 грн
250+9.23 грн
500+8.76 грн
1000+8.23 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFR181WH6327XTSA1 BFR181WH6327XTSA1 Infineon Technologies 331bfr181w.pdffolderiddb3a30431400ef68011425b1354605c1fileiddb3a3043.pdf Trans RF BJT NPN 12V 0.02A 175mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-323 T/R
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BFR181WH6327XTSA1 BFR181WH6327XTSA1 INFINEON bfr181w.pdf?folderId=db3a30431400ef68011425b1354605c1&fileId=db3a30431400ef680114268dc6c1063f Description: INFINEON - BFR181WH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 175 mW, 20 mA, SOT-323
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 175mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 20mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 8GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 20740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFR181WH6327XTSA1 BFR181WH6327XTSA1 INFINEON INFNS27311-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BFR181WH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 175 mW, 20 mA, SOT-323
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 175mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 20mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 8GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 7040 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFR181WH6327XTSA1 331bfr181w.pdffolderiddb3a30431400ef68011425b1354605c1fileiddb3a3043.pdf
BFR181WH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans RF BJT NPN 12V 0.02A 175mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-323 T/R
на замовлення 2765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1620+8.67 грн
Мінімальне замовлення: 1620 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFR181WH6327XTSA1 bfr181w.pdf?folderId=db3a30431400ef68011425b1354605c1&fileId=db3a30431400ef680114268dc6c1063f
BFR181WH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: RF TRANS NPN 12V 8GHZ PG-SOT-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 19dB
Power - Max: 175mW
Current - Collector (Ic) (Max): 20mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 8V
Frequency - Transition: 8GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
Supplier Device Package: PG-SOT323
Part Status: Active
на замовлення 57000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+8.74 грн
6000+8.16 грн
9000+8.04 грн
15000+7.42 грн
21000+7.34 грн
30000+7.27 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFR181WH6327XTSA1 BFR181WH6327.pdf
BFR181WH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 12V; 20mA; 0.175W; SOT323
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.175W
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Type of transistor: NPN
Case: SOT323
Frequency: 8GHz
Collector current: 20mA
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 12V
на замовлення 8194 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
22+20.40 грн
26+15.98 грн
29+14.25 грн
35+12.11 грн
50+10.79 грн
100+9.72 грн
250+8.73 грн
500+8.15 грн
1000+7.82 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFR181WH6327XTSA1 bfr181w.pdf?folderId=db3a30431400ef68011425b1354605c1&fileId=db3a30431400ef680114268dc6c1063f
BFR181WH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: RF TRANS NPN 12V 8GHZ PG-SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 19dB
Power - Max: 175mW
Current - Collector (Ic) (Max): 20mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 8V
Frequency - Transition: 8GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
Supplier Device Package: PG-SOT323
Part Status: Active
на замовлення 57008 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
15+20.78 грн
22+13.93 грн
25+12.39 грн
100+10.00 грн
250+9.23 грн
500+8.76 грн
1000+8.23 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFR181WH6327XTSA1 331bfr181w.pdffolderiddb3a30431400ef68011425b1354605c1fileiddb3a3043.pdf
BFR181WH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans RF BJT NPN 12V 0.02A 175mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-323 T/R
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BFR181WH6327XTSA1 bfr181w.pdf?folderId=db3a30431400ef68011425b1354605c1&fileId=db3a30431400ef680114268dc6c1063f
BFR181WH6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BFR181WH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 175 mW, 20 mA, SOT-323
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 175mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 20mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 8GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 20740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFR181WH6327XTSA1 INFNS27311-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BFR181WH6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BFR181WH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 175 mW, 20 mA, SOT-323
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 175mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 20mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 8GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 7040 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.