BFR181WH6327XTSA1 INFINEON
Виробник: INFINEONDescription: INFINEON - BFR181WH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 175 mW, 20 mA, SOT-323
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 175mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 20mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 8GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 7040 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 4.76 грн |
| 1000+ | 3.99 грн |
| 5000+ | 3.35 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BFR181WH6327XTSA1 INFINEON
Description: INFINEON - BFR181WH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 175 mW, 20 mA, SOT-323, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 175mW, Bauform - Transistor: SOT-323, Dauerkollektorstrom: 20mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 8GHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції BFR181WH6327XTSA1 за ціною від 5.52 грн до 24.32 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BFR181WH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans RF BJT NPN 12V 0.02A 175mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-323 T/R |
на замовлення 2765 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
BFR181WH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: RF TRANS NPN 12V 8GHZ PG-SOT-323 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 19dB Power - Max: 175mW Current - Collector (Ic) (Max): 20mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 8V Frequency - Transition: 8GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz Supplier Device Package: PG-SOT323 Part Status: Active |
на замовлення 69000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
BFR181WH6327XTSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 12V; 20mA; 0.175W; SOT323 Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Collector current: 20mA Power dissipation: 0.175W Collector-emitter voltage: 12V Frequency: 8GHz Polarisation: bipolar Kind of transistor: RF Type of transistor: NPN Case: SOT323 |
на замовлення 4799 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BFR181WH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: RF TRANS NPN 12V 8GHZ PG-SOT-323 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 19dB Power - Max: 175mW Current - Collector (Ic) (Max): 20mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 8V Frequency - Transition: 8GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz Supplier Device Package: PG-SOT323 Part Status: Active |
на замовлення 70547 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BFR181WH6327XTSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BFR181WH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 175 mW, 20 mA, SOT-323 tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 175mW Bauform - Transistor: SOT-323 Dauerkollektorstrom: 20mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 8GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 6280 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BFR181WH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans RF BJT NPN 12V 0.02A 175mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-323 T/R |
на замовлення 7 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
| BFR181WH6327XTSA1 | Виробник : Infineon |
Transistor NPN; Bipolar; 12V; 2V; 8GHz; 20mA; 175mW; -65°C~150°C; BFR181WE6327; BFR181WH6327XTSA1 TBFR181w кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 2980 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
|
|
BFR181WH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans RF BJT NPN 12V 0.02A 175mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-323 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
|
|
BFR181WH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans RF BJT NPN 12V 0.02A 175mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-323 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
|
|
BFR181WH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans RF BJT NPN 12V 0.02A 175mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-323 T/R |
товару немає в наявності |