BFR182WH6327XTSA1 Infineon Technologies
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 3.48 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BFR182WH6327XTSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BFR182WH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 250 mW, 35 mA, SOT-323, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250mW, Bauform - Transistor: SOT-323, Dauerkollektorstrom: 35mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 8GHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції BFR182WH6327XTSA1 за ціною від 4.51 грн до 28.20 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BFR182WH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans RF BJT NPN 12V 0.035A 250mW 3-Pin SOT-323 T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 5900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BFR182WH6327XTSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 12V; 35mA; 0.25W; SOT323 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Power dissipation: 0.25W Case: SOT323 Mounting: SMD Collector current: 35mA Collector-emitter voltage: 12V Frequency: 8GHz Kind of transistor: RF Kind of package: reel; tape |
на замовлення 98 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BFR182WH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: RF TRANS NPN 12V 8GHZ PG-SOT-323 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 19dB Power - Max: 250mW Current - Collector (Ic) (Max): 35mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 8V Frequency - Transition: 8GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz Supplier Device Package: PG-SOT323 Part Status: Active |
на замовлення 123000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BFR182WH6327XTSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 12V; 35mA; 0.25W; SOT323 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Power dissipation: 0.25W Case: SOT323 Mounting: SMD Collector current: 35mA Collector-emitter voltage: 12V Frequency: 8GHz Kind of transistor: RF Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 98 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BFR182WH6327XTSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BFR182WH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 250 mW, 35 mA, SOT-323 tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SOT-323 Dauerkollektorstrom: 35mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 8GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 2396 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BFR182WH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: RF TRANS NPN 12V 8GHZ PG-SOT-323 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 19dB Power - Max: 250mW Current - Collector (Ic) (Max): 35mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 8V Frequency - Transition: 8GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz Supplier Device Package: PG-SOT323 Part Status: Active |
на замовлення 124397 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BFR182WH6327XTSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BFR182WH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 250 mW, 35 mA, SOT-323 tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SOT-323 Dauerkollektorstrom: 35mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 8GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 2396 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BFR182WH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans RF BJT NPN 12V 0.035A 250mW 3-Pin SOT-323 T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 57 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| BFR182WH6327XTSA1 | Виробник : Infineon |
Transistor NPN; Bipolar; 100; 12V; 2V; 8GHz; 35mA; 250mW; -65°C~150°C; Substitute: BFR182WH6327; BFR182WH6327XTSA1 TBFR182w кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 2980 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
|
|
BFR182WH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans RF BJT NPN 12V 0.035A 250mW 3-Pin SOT-323 T/R Automotive AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
BFR182WH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTORS |
товару немає в наявності |