BFR182WH6327XTSA1

BFR182WH6327XTSA1 Infineon Technologies


8532infineon_lna_bfr182w.pdffolderiddb3a30431400ef68011425b1354605c1f.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans RF BJT NPN 12V 0.035A 250mW 3-Pin SOT-323 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 5900 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1647+7.84 грн
Мінімальне замовлення: 1647
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BFR182WH6327XTSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BFR182WH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 250 mW, 35 mA, SOT-323, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250mW, Bauform - Transistor: SOT-323, Dauerkollektorstrom: 35mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 8GHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції BFR182WH6327XTSA1 за ціною від 5.19 грн до 28.52 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BFR182WH6327XTSA1 BFR182WH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies bfr182w.pdf?folderId=db3a30431400ef68011425b1354605c1&fileId=db3a30431400ef680114269d1e43064c Description: RF TRANS NPN 12V 8GHZ PG-SOT-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 19dB
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 35mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 8V
Frequency - Transition: 8GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
Supplier Device Package: PG-SOT323
Part Status: Active
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+8.74 грн
6000+8.17 грн
9000+8.04 грн
15000+7.42 грн
21000+7.34 грн
30000+7.27 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BFR182WH6327XTSA1 BFR182WH6327XTSA1 Виробник : INFINEON INFNS14750-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BFR182WH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 250 mW, 35 mA, SOT-323
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 35mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 8GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2396 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+11.63 грн
1000+9.82 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
BFR182WH6327XTSA1 BFR182WH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies bfr182w.pdf?folderId=db3a30431400ef68011425b1354605c1&fileId=db3a30431400ef680114269d1e43064c Description: RF TRANS NPN 12V 8GHZ PG-SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 19dB
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 35mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 8V
Frequency - Transition: 8GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
Supplier Device Package: PG-SOT323
Part Status: Active
на замовлення 45484 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+21.18 грн
22+13.97 грн
25+12.42 грн
100+10.00 грн
250+9.23 грн
500+8.76 грн
1000+8.24 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
BFR182WH6327XTSA1 BFR182WH6327XTSA1 Виробник : INFINEON INFNS14750-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BFR182WH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 250 mW, 35 mA, SOT-323
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 35mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 8GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2396 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
34+24.24 грн
56+14.72 грн
250+11.63 грн
1000+9.82 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
BFR182WH6327XTSA1 BFR182WH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies 8532infineon_lna_bfr182w.pdffolderiddb3a30431400ef68011425b1354605c1f.pdf Trans RF BJT NPN 12V 0.035A 250mW 3-Pin SOT-323 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 57 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
26+28.52 грн
38+19.42 грн
43+17.22 грн
Мінімальне замовлення: 26
В кошику  од. на суму  грн.
BFR182WH6327XTSA1 Виробник : Infineon bfr182w.pdf?folderId=db3a30431400ef68011425b1354605c1&fileId=db3a30431400ef680114269d1e43064c Transistor NPN; Bipolar; 100; 12V; 2V; 8GHz; 35mA; 250mW; -65°C~150°C; Substitute: BFR182WH6327; BFR182WH6327XTSA1 TBFR182w
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
200+5.19 грн
Мінімальне замовлення: 200
В кошику  од. на суму  грн.
BFR182WH6327XTSA1 BFR182WH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies 8532infineon_lna_bfr182w.pdffolderiddb3a30431400ef68011425b1354605c1f.pdf Trans RF BJT NPN 12V 0.035A 250mW 3-Pin SOT-323 T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFR182WH6327XTSA1 BFR182WH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_BFR182W_DS_v01_01_en.pdf RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTORS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.