BFR183E6327HTSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 17.5dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 65mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 15mA, 8V
Frequency - Transition: 8GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.4dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 10.35 грн |
| 6000+ | 9.67 грн |
| 9000+ | 9.52 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BFR183E6327HTSA1 Infineon Technologies
Description: RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT-23, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Gain: 17.5dB, Power - Max: 450mW, Current - Collector (Ic) (Max): 65mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 15mA, 8V, Frequency - Transition: 8GHz, Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.4dB @ 900MHz ~ 1.8GHz, Supplier Device Package: PG-SOT23, Part Status: Active.
Інші пропозиції BFR183E6327HTSA1 за ціною від 6.91 грн до 25.37 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
BFR183E6327HTSA1 | Infineon Technologies |
RF Bipolar Transistors NPN RF Transistor 12V 65mA 450mW |
на замовлення 6838 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BFR183E6327HTSA1 | Infineon Technologies |
Description: RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT-23Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 17.5dB Power - Max: 450mW Current - Collector (Ic) (Max): 65mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 15mA, 8V Frequency - Transition: 8GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.4dB @ 900MHz ~ 1.8GHz Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Active |
на замовлення 11529 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| BFR183E6327HTSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
RF Bipolar Transistors NPN RF Transistor 12V 65mA 450mW
RF Bipolar Transistors NPN RF Transistor 12V 65mA 450mW
на замовлення 6838 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 23+ | 14.88 грн |
| 38+ | 8.75 грн |
| 100+ | 7.12 грн |
| 3000+ | 6.98 грн |
| 6000+ | 6.91 грн |
| BFR183E6327HTSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT-23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 17.5dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 65mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 15mA, 8V
Frequency - Transition: 8GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.4dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Description: RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT-23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 17.5dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 65mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 15mA, 8V
Frequency - Transition: 8GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.4dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
на замовлення 11529 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 13+ | 25.37 грн |
| 19+ | 16.57 грн |
| 25+ | 14.69 грн |
| 100+ | 11.84 грн |
| 250+ | 10.93 грн |
| 500+ | 10.37 грн |
| 1000+ | 9.75 грн |



