BFR183E6327HTSA1 Infineon Technologies


bfr183.pdf?folderId=db3a30431400ef68011425b1354605c1&fileId=db3a30431400ef68011426a1b8f80656
Виробник: Infineon Technologies
Description: RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 17.5dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 65mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 15mA, 8V
Frequency - Transition: 8GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.4dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+10.35 грн
6000+9.67 грн
9000+9.52 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BFR183E6327HTSA1 Infineon Technologies

Description: RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT-23, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Gain: 17.5dB, Power - Max: 450mW, Current - Collector (Ic) (Max): 65mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 15mA, 8V, Frequency - Transition: 8GHz, Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.4dB @ 900MHz ~ 1.8GHz, Supplier Device Package: PG-SOT23, Part Status: Active.

Інші пропозиції BFR183E6327HTSA1 за ціною від 6.91 грн до 25.37 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
BFR183E6327HTSA1 BFR183E6327HTSA1 Infineon Technologies Infineon-BFR183-DS-v01_01-en.pdf RF Bipolar Transistors NPN RF Transistor 12V 65mA 450mW
на замовлення 6838 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
23+14.88 грн
38+8.75 грн
100+7.12 грн
3000+6.98 грн
6000+6.91 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFR183E6327HTSA1 BFR183E6327HTSA1 Infineon Technologies bfr183.pdf?folderId=db3a30431400ef68011425b1354605c1&fileId=db3a30431400ef68011426a1b8f80656 Description: RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT-23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 17.5dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 65mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 15mA, 8V
Frequency - Transition: 8GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.4dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
на замовлення 11529 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+25.37 грн
19+16.57 грн
25+14.69 грн
100+11.84 грн
250+10.93 грн
500+10.37 грн
1000+9.75 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFR183E6327HTSA1 Infineon-BFR183-DS-v01_01-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
RF Bipolar Transistors NPN RF Transistor 12V 65mA 450mW
на замовлення 6838 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
23+14.88 грн
38+8.75 грн
100+7.12 грн
3000+6.98 грн
6000+6.91 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFR183E6327HTSA1 bfr183.pdf?folderId=db3a30431400ef68011425b1354605c1&fileId=db3a30431400ef68011426a1b8f80656
Виробник: Infineon Technologies
Description: RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT-23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 17.5dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 65mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 15mA, 8V
Frequency - Transition: 8GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.4dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
на замовлення 11529 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
13+25.37 грн
19+16.57 грн
25+14.69 грн
100+11.84 грн
250+10.93 грн
500+10.37 грн
1000+9.75 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.