Продукція > INFINEON > BFR183WE6327

BFR183WE6327 INFINEON

Виробник: INFINEON
06+
на замовлення 78010 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BFR183WE6327 INFINEON

Description: RF TRANS NPN 12V 8GHZ PG-SOT-323, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-70, SOT-323, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Gain: 18.5dB, Power - Max: 450mW, Current - Collector (Ic) (Max): 65mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 15mA, 8V, Frequency - Transition: 8GHz, Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.4dB @ 900MHz ~ 1.8GHz, Supplier Device Package: PG-SOT323.

Інші пропозиції BFR183WE6327

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BFR183WE6327 BFR183WE6327 Виробник : Infineon Technologies 8530infineon_lna_bfr183w.pdffolderiddb3a30431400ef68011425b1354605c1f.pdf Trans RF BJT NPN 12V 0.065A 450mW Automotive 3-Pin SOT-323 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFR 183W E6327 BFR 183W E6327 Виробник : Infineon Technologies BFR183W.pdf Description: RF TRANS NPN 12V 8GHZ PG-SOT-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 18.5dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 65mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 15mA, 8V
Frequency - Transition: 8GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.4dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
Supplier Device Package: PG-SOT323
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFR 183W E6327 BFR 183W E6327 Виробник : Infineon Technologies BFR183W.pdf Description: RF TRANS NPN 12V 8GHZ PG-SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 18.5dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 65mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 15mA, 8V
Frequency - Transition: 8GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.4dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
Supplier Device Package: PG-SOT323
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFR 183W E6327 Виробник : STMicroelectronics BFR183W.pdf RF Bipolar Transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFR 183W E6327 Виробник : Infineon Technologies Infineon_LNA_BFR183W-89966.pdf RF Bipolar Transistors NPN Silicon RF TRANSISTOR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.