Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BFR193E6327HTSA1
BFR193E6327HTSA1

BFR193E6327HTSA1 Infineon Technologies

bfr193.pdf?folderId=db3a30431400ef68011425b1354605c1&fileId=db3a30431400ef68011426adab31066c
Виробник: Infineon Technologies
Description: RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 10dB ~ 15dB
Power - Max: 580mW
Current - Collector (Ic) (Max): 80mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 30mA, 8V
Frequency - Transition: 8GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+4.82 грн
6000+4.49 грн
9000+4.42 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BFR193E6327HTSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BFR193E6327HTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 580 mW, 80 mA, SOT-23, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 580mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 80mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 8GHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції BFR193E6327HTSA1 за ціною від 4.56 грн до 12.32 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BFR193E6327HTSA1 BFR193E6327HTSA1 Infineon Technologies 111bfr193.pdffolderiddb3a30431400ef68011425b1354605c1fileiddb3a30431.pdf Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 580mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.70 грн
6000+6.22 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFR193E6327HTSA1 BFR193E6327HTSA1 Infineon Technologies 111bfr193.pdffolderiddb3a30431400ef68011425b1354605c1fileiddb3a30431.pdf Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 580mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.74 грн
6000+6.26 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFR193E6327HTSA1 BFR193E6327HTSA1 Infineon info-tbfr193.pdf NPN 12V 0.8A 0.58W Tranz. BFR193E6327HTSA1 BFR193E6327HTSA1 TBFR193
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 680 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+7.60 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFR193E6327HTSA1 BFR193E6327HTSA1 Infineon Technologies 111bfr193.pdffolderiddb3a30431400ef68011425b1354605c1fileiddb3a30431.pdf Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 580mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 13796 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1510+9.31 грн
1619+8.68 грн
1749+8.04 грн
2000+7.09 грн
5000+6.09 грн
Мінімальне замовлення: 1510 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFR193E6327HTSA1 BFR193E6327HTSA1 Infineon Technologies 111bfr193.pdffolderiddb3a30431400ef68011425b1354605c1fileiddb3a30431.pdf Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 580mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1888 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
76+9.95 грн
135+5.58 грн
137+5.48 грн
138+5.25 грн
250+4.82 грн
500+4.59 грн
1000+4.56 грн
Мінімальне замовлення: 76 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFR193E6327HTSA1 BFR193E6327HTSA1 Infineon Technologies bfr193.pdf?folderId=db3a30431400ef68011425b1354605c1&fileId=db3a30431400ef68011426adab31066c Description: RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT-23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 10dB ~ 15dB
Power - Max: 580mW
Current - Collector (Ic) (Max): 80mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 30mA, 8V
Frequency - Transition: 8GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
на замовлення 13260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+12.32 грн
38+8.01 грн
43+7.06 грн
100+5.63 грн
250+5.16 грн
500+4.88 грн
1000+4.57 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFR193E6327HTSA1 BFR193E6327HTSA1 Infineon Technologies Infineon-BFR193-DS-v01_01-en.pdf RF Bipolar Transistors NPN RF Transistor 12V 80mA 580mW
на замовлення 29965 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BFR193E6327HTSA1 BFR193E6327HTSA1 INFINEON INFNS22468-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BFR193E6327HTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 580 mW, 80 mA, SOT-23
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 580mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 80mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 8GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 10981 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFR193E6327HTSA1 BFR193E6327HTSA1 Infineon Technologies 111bfr193.pdffolderiddb3a30431400ef68011425b1354605c1fileiddb3a30431.pdf Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 580mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1888 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 104 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFR193E6327HTSA1 BFR193E6327HTSA1 INFINEON INFNS22468-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BFR193E6327HTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 580 mW, 80 mA, SOT-23
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 580mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 80mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 8GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 10981 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFR193E6327HTSA1 111bfr193.pdffolderiddb3a30431400ef68011425b1354605c1fileiddb3a30431.pdf
BFR193E6327HTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 580mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+6.70 грн
6000+6.22 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFR193E6327HTSA1 111bfr193.pdffolderiddb3a30431400ef68011425b1354605c1fileiddb3a30431.pdf
BFR193E6327HTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 580mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+6.74 грн
6000+6.26 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFR193E6327HTSA1 info-tbfr193.pdf
BFR193E6327HTSA1
Виробник: Infineon
NPN 12V 0.8A 0.58W Tranz. BFR193E6327HTSA1 BFR193E6327HTSA1 TBFR193
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 680 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
100+7.60 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFR193E6327HTSA1 111bfr193.pdffolderiddb3a30431400ef68011425b1354605c1fileiddb3a30431.pdf
BFR193E6327HTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 580mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 13796 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1510+9.31 грн
1619+8.68 грн
1749+8.04 грн
2000+7.09 грн
5000+6.09 грн
Мінімальне замовлення: 1510 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFR193E6327HTSA1 111bfr193.pdffolderiddb3a30431400ef68011425b1354605c1fileiddb3a30431.pdf
BFR193E6327HTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 580mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1888 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
76+9.95 грн
135+5.58 грн
137+5.48 грн
138+5.25 грн
250+4.82 грн
500+4.59 грн
1000+4.56 грн
Мінімальне замовлення: 76 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFR193E6327HTSA1 bfr193.pdf?folderId=db3a30431400ef68011425b1354605c1&fileId=db3a30431400ef68011426adab31066c
BFR193E6327HTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT-23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 10dB ~ 15dB
Power - Max: 580mW
Current - Collector (Ic) (Max): 80mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 30mA, 8V
Frequency - Transition: 8GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
на замовлення 13260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
25+12.32 грн
38+8.01 грн
43+7.06 грн
100+5.63 грн
250+5.16 грн
500+4.88 грн
1000+4.57 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFR193E6327HTSA1 Infineon-BFR193-DS-v01_01-en.pdf
BFR193E6327HTSA1
Виробник: Infineon Technologies
RF Bipolar Transistors NPN RF Transistor 12V 80mA 580mW
на замовлення 29965 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BFR193E6327HTSA1 INFNS22468-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BFR193E6327HTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BFR193E6327HTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 580 mW, 80 mA, SOT-23
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 580mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 80mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 8GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 10981 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFR193E6327HTSA1 111bfr193.pdffolderiddb3a30431400ef68011425b1354605c1fileiddb3a30431.pdf
BFR193E6327HTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 580mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1888 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 104 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFR193E6327HTSA1 INFNS22468-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BFR193E6327HTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BFR193E6327HTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 580 mW, 80 mA, SOT-23
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 580mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 80mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 8GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 10981 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.