Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BFR193E6327HTSA1
BFR193E6327HTSA1

BFR193E6327HTSA1 Infineon Technologies

bfr193.pdf?folderId=db3a30431400ef68011425b1354605c1&fileId=db3a30431400ef68011426adab31066c Виробник: Infineon Technologies
Description: RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 10dB ~ 15dB
Power - Max: 580mW
Current - Collector (Ic) (Max): 80mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 30mA, 8V
Frequency - Transition: 8GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
на замовлення 19500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.07 грн
6000+4.73 грн
9000+4.65 грн
15000+4.28 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BFR193E6327HTSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BFR193E6327HTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 580 mW, 80 mA, SOT-23, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 80mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 580mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 8GHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції BFR193E6327HTSA1 за ціною від 3.96 грн до 15.32 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BFR193E6327HTSA1 BFR193E6327HTSA1 Виробник : Infineon Technologies 111bfr193.pdffolderiddb3a30431400ef68011425b1354605c1fileiddb3a30431.pdf Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 580mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 606000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.33 грн
6000+4.86 грн
9000+4.52 грн
24000+3.96 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BFR193E6327HTSA1 BFR193E6327HTSA1 Виробник : Infineon Technologies 111bfr193.pdffolderiddb3a30431400ef68011425b1354605c1fileiddb3a30431.pdf Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 580mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 606000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.77 грн
6000+5.27 грн
9000+4.89 грн
24000+4.29 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BFR193E6327HTSA1 BFR193E6327HTSA1 Виробник : Infineon Technologies 111bfr193.pdffolderiddb3a30431400ef68011425b1354605c1fileiddb3a30431.pdf Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 580mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 13912 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1443+8.44 грн
1931+6.30 грн
2069+5.88 грн
2122+5.53 грн
Мінімальне замовлення: 1443
В кошику  од. на суму  грн.
BFR193E6327HTSA1 BFR193E6327HTSA1 Виробник : INFINEON INFNS22468-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BFR193E6327HTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 580 mW, 80 mA, SOT-23
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 80mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 580mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 8GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 24906 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+8.71 грн
250+6.84 грн
1000+5.70 грн
7500+4.73 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BFR193E6327HTSA1 BFR193E6327HTSA1 Виробник : Infineon Technologies bfr193.pdf?folderId=db3a30431400ef68011425b1354605c1&fileId=db3a30431400ef68011426adab31066c Description: RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT-23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 10dB ~ 15dB
Power - Max: 580mW
Current - Collector (Ic) (Max): 80mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 30mA, 8V
Frequency - Transition: 8GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
на замовлення 20410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
24+13.34 грн
36+8.47 грн
41+7.41 грн
100+5.92 грн
250+5.43 грн
500+5.13 грн
1000+4.81 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
BFR193E6327HTSA1 BFR193E6327HTSA1 Виробник : Infineon Technologies 111bfr193.pdffolderiddb3a30431400ef68011425b1354605c1fileiddb3a30431.pdf Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 580mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2413 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
44+13.91 грн
72+8.44 грн
74+8.17 грн
100+6.15 грн
250+5.58 грн
500+5.06 грн
1000+4.29 грн
Мінімальне замовлення: 44
В кошику  од. на суму  грн.
BFR193E6327HTSA1 BFR193E6327HTSA1 Виробник : INFINEON INFNS22468-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BFR193E6327HTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 580 mW, 80 mA, SOT-23
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 80mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 580mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 8GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 24906 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
56+14.73 грн
94+8.71 грн
250+6.84 грн
1000+5.70 грн
7500+4.73 грн
Мінімальне замовлення: 56
В кошику  од. на суму  грн.
BFR193E6327HTSA1 BFR193E6327HTSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_BFR193_DS_v01_01_en-1731108.pdf RF Bipolar Transistors NPN RF Transistor 12V 80mA 580mW
на замовлення 49049 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
23+15.32 грн
38+8.85 грн
100+6.10 грн
500+5.73 грн
1000+5.44 грн
3000+5.01 грн
6000+4.86 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
BFR193E6327HTSA1 Виробник : Infineon bfr193.pdf?folderId=db3a30431400ef68011425b1354605c1&fileId=db3a30431400ef68011426adab31066c NPN 12V 0.8A 0.58W Tranz. BFR193E6327HTSA1 BFR193E6327HTSA1 TBFR193
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 980 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+6.77 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BFR193E6327HTSA1 BFR193E6327HTSA1 Виробник : Infineon Technologies 111bfr193.pdffolderiddb3a30431400ef68011425b1354605c1fileiddb3a30431.pdf Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 580mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFR193E6327HTSA1 BFR193E6327HTSA1 Виробник : Infineon Technologies 111bfr193.pdffolderiddb3a30431400ef68011425b1354605c1fileiddb3a30431.pdf Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 580mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.