BFR193FH6327XTSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: RF TRANS NPN 12V 8GHZ PG-TSFP-3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 30mA, 8V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
Current - Collector (Ic) (Max): 80mA
Power - Max: 580mW
Gain: 12.5dB
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-723
Packaging: Cut Tape (CT)
Supplier Device Package: PG-TSFP-3
Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
Frequency - Transition: 8GHz
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 13+ | 24.58 грн |
| 19+ | 16.42 грн |
| 25+ | 14.57 грн |
| 100+ | 11.75 грн |
| 250+ | 10.84 грн |
| 500+ | 10.29 грн |
| 1000+ | 9.68 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BFR193FH6327XTSA1 Infineon Technologies
Description: RF TRANS NPN 12V 8GHZ PG-TSFP-3, Supplier Device Package: PG-TSFP-3, Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz, Frequency - Transition: 8GHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 30mA, 8V, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V, Current - Collector (Ic) (Max): 80mA, Power - Max: 580mW, Gain: 12.5dB, Operating Temperature: 150°C (TJ), Transistor Type: NPN, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SOT-723, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції BFR193FH6327XTSA1 за ціною від 8.32 грн до 26.89 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BFR193FH6327XTSA1 | Infineon Technologies |
RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTOR |
на замовлення 57615 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
| BFR193FH6327XTSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTOR
RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTOR
на замовлення 57615 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 13+ | 26.89 грн |
| 21+ | 15.72 грн |
| 100+ | 10.78 грн |
| 500+ | 10.22 грн |
| 1000+ | 9.80 грн |
| 3000+ | 9.23 грн |
| 6000+ | 8.32 грн |