BFR193FH6327XTSA1 Infineon Technologies
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 5.86 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BFR193FH6327XTSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BFR193FH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 580 mW, 80 mA, TSFP, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 580mW, Bauform - Transistor: TSFP, Dauerkollektorstrom: 80mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 8GHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції BFR193FH6327XTSA1 за ціною від 7.32 грн до 30.25 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BFR193FH6327XTSA1 | Виробник : INFINEON |
 Description: INFINEON - BFR193FH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 580 mW, 80 mA, TSFPtariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 580mW Bauform - Transistor: TSFP Dauerkollektorstrom: 80mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 8GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 2964 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BFR193FH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: RF TRANS NPN 12V 8GHZ PG-TSFP-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 12.5dB Power - Max: 580mW Current - Collector (Ic) (Max): 80mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 30mA, 8V Frequency - Transition: 8GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz Supplier Device Package: PG-TSFP-3 Part Status: Active |
на замовлення 57000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BFR193FH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans RF BJT NPN 12V 0.08A Automotive AEC-Q101 3-Pin TSFP T/R |
на замовлення 42000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BFR193FH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans RF BJT NPN 12V 0.08A Automotive AEC-Q101 3-Pin TSFP T/R |
на замовлення 42000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BFR193FH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans RF BJT NPN 12V 0.08A Automotive AEC-Q101 3-Pin TSFP T/R |
на замовлення 86075 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BFR193FH6327XTSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BFR193FH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 580 mW, 80 mA, TSFP tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 580mW Bauform - Transistor: TSFP Dauerkollektorstrom: 80mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 8GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 2964 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BFR193FH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: RF TRANS NPN 12V 8GHZ PG-TSFP-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 12.5dB Power - Max: 580mW Current - Collector (Ic) (Max): 80mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 30mA, 8V Frequency - Transition: 8GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz Supplier Device Package: PG-TSFP-3 Part Status: Active |
на замовлення 58444 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BFR193FH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTOR |
на замовлення 57615 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BFR193FH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans RF BJT NPN 12V 0.08A Automotive AEC-Q101 3-Pin TSFP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
BFR193FH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans RF BJT NPN 12V 0.08A Automotive AEC-Q101 3-Pin TSFP T/R |
товару немає в наявності |