BFR193FH6327XTSA1 Infineon Technologies
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 12.17 грн |
| 6000+ | 11.81 грн |
| 9000+ | 11.00 грн |
| 15000+ | 10.56 грн |
| 21000+ | 9.22 грн |
| 30000+ | 8.75 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BFR193FH6327XTSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BFR193FH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 580 mW, 80 mA, TSFP, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 580mW, Bauform - Transistor: TSFP, Dauerkollektorstrom: 80mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 8GHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції BFR193FH6327XTSA1 за ціною від 8.23 грн до 20.78 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
BFR193FH6327XTSA1 | Infineon Technologies |
 Trans RF BJT NPN 12V 0.08A Automotive AEC-Q101 3-Pin TSFP T/R |
на замовлення 42000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BFR193FH6327XTSA1 | Infineon Technologies |
Trans RF BJT NPN 12V 0.08A Automotive AEC-Q101 3-Pin TSFP T/R |
на замовлення 86075 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
BFR193FH6327XTSA1 | Infineon Technologies |
Description: RF TRANS NPN 12V 8GHZ PG-TSFP-3 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 30mA, 8V Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V Current - Collector (Ic) (Max): 80mA Power - Max: 580mW Gain: 12.5dB Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-723 Packaging: Cut Tape (CT) Supplier Device Package: PG-TSFP-3 Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz Frequency - Transition: 8GHz |
на замовлення 2706 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
BFR193FH6327XTSA1 | Infineon Technologies |
RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTOR |
на замовлення 57615 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
 |
BFR193FH6327XTSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BFR193FH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 580 mW, 80 mA, TSFP tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 580mW Bauform - Transistor: TSFP Dauerkollektorstrom: 80mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 8GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 2964 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
|
BFR193FH6327XTSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BFR193FH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 580 mW, 80 mA, TSFP tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 580mW Bauform - Transistor: TSFP Dauerkollektorstrom: 80mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 8GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 2964 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. |
| BFR193FH6327XTSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans RF BJT NPN 12V 0.08A Automotive AEC-Q101 3-Pin TSFP T/R
Trans RF BJT NPN 12V 0.08A Automotive AEC-Q101 3-Pin TSFP T/R
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 12.19 грн |
| 6000+ | 11.82 грн |
| 9000+ | 11.01 грн |
| 15000+ | 10.57 грн |
| 21000+ | 9.22 грн |
| 30000+ | 8.76 грн |
| BFR193FH6327XTSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans RF BJT NPN 12V 0.08A Automotive AEC-Q101 3-Pin TSFP T/R
Trans RF BJT NPN 12V 0.08A Automotive AEC-Q101 3-Pin TSFP T/R
на замовлення 86075 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2453+ | 14.32 грн |
| 10000+ | 12.77 грн |
| BFR193FH6327XTSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: RF TRANS NPN 12V 8GHZ PG-TSFP-3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 30mA, 8V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
Current - Collector (Ic) (Max): 80mA
Power - Max: 580mW
Gain: 12.5dB
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-723
Packaging: Cut Tape (CT)
Supplier Device Package: PG-TSFP-3
Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
Frequency - Transition: 8GHz
Description: RF TRANS NPN 12V 8GHZ PG-TSFP-3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 30mA, 8V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
Current - Collector (Ic) (Max): 80mA
Power - Max: 580mW
Gain: 12.5dB
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-723
Packaging: Cut Tape (CT)
Supplier Device Package: PG-TSFP-3
Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
Frequency - Transition: 8GHz
на замовлення 2706 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 15+ | 20.78 грн |
| 22+ | 13.93 грн |
| 25+ | 12.39 грн |
| 100+ | 10.00 грн |
| 250+ | 9.23 грн |
| 500+ | 8.76 грн |
| 1000+ | 8.23 грн |
| BFR193FH6327XTSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTOR
RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTOR
на замовлення 57615 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| BFR193FH6327XTSA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BFR193FH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 580 mW, 80 mA, TSFP
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 580mW
Bauform - Transistor: TSFP
Dauerkollektorstrom: 80mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 8GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - BFR193FH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 580 mW, 80 mA, TSFP
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 580mW
Bauform - Transistor: TSFP
Dauerkollektorstrom: 80mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 8GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2964 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BFR193FH6327XTSA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BFR193FH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 580 mW, 80 mA, TSFP
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 580mW
Bauform - Transistor: TSFP
Dauerkollektorstrom: 80mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 8GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - BFR193FH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 580 mW, 80 mA, TSFP
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 580mW
Bauform - Transistor: TSFP
Dauerkollektorstrom: 80mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 8GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2964 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)