Технічний опис BFR193L3E6327XTMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BFR193L3E6327XTMA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 580 mW, 80 mA, TSLP-3-1, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 580mW, Bauform - Transistor: TSLP-3-1, Dauerkollektorstrom: 80mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 8GHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції BFR193L3E6327XTMA1 за ціною від 7.56 грн до 20.01 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
BFR193L3E6327XTMA1 | Infineon Technologies |
Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 580mW 3-Pin TSLP T/R |
на замовлення 4388 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BFR193L3E6327XTMA1 | Infineon Technologies |
Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 580mW 3-Pin TSLP T/R |
на замовлення 9765 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BFR193L3E6327XTMA1 | Infineon Technologies |
Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 580mW 3-Pin TSLP T/R |
на замовлення 13436 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BFR193L3E6327XTMA1 | Infineon Technologies |
Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 580mW 3-Pin TSLP T/R |
на замовлення 210000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BFR193L3E6327XTMA1 | Infineon Technologies |
Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 580mW 3-Pin TSLP T/R |
на замовлення 240000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BFR193L3E6327XTMA1 | Infineon Technologies |
Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 580mW 3-Pin TSLP T/R |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BFR193L3E6327XTMA1 | Infineon Technologies |
Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 580mW 3-Pin TSLP T/R |
на замовлення 14900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BFR193L3E6327XTMA1 | Infineon Technologies |
Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 580mW 3-Pin TSLP T/R |
на замовлення 840000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BFR193L3E6327XTMA1 | Infineon Technologies |
Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 580mW 3-Pin TSLP T/R |
на замовлення 13436 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BFR193L3E6327XTMA1 | Infineon Technologies |
Description: RF TRANS NPN 12V 8GHZ TSLP-3-1Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-101, SOT-883 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 12.5dB ~ 19dB Power - Max: 580mW Current - Collector (Ic) (Max): 80mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 30mA, 8V Frequency - Transition: 8GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz Supplier Device Package: PG-TSLP-3-1 Part Status: Active |
на замовлення 7863 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BFR193L3E6327XTMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BFR193L3E6327XTMA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 580 mW, 80 mA, TSLP-3-1tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 580mW Bauform - Transistor: TSLP-3-1 Dauerkollektorstrom: 80mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 8GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 3579 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
|
BFR193L3E6327XTMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BFR193L3E6327XTMA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 580 mW, 80 mA, TSLP-3-1tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 580mW Bauform - Transistor: TSLP-3-1 Dauerkollektorstrom: 80mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 8GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 3579 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| BFR193L3E6327XTMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 580mW 3-Pin TSLP T/R
Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 580mW 3-Pin TSLP T/R
на замовлення 4388 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1603+ | 8.77 грн |
| BFR193L3E6327XTMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 580mW 3-Pin TSLP T/R
Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 580mW 3-Pin TSLP T/R
на замовлення 9765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1513+ | 9.29 грн |
| BFR193L3E6327XTMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 580mW 3-Pin TSLP T/R
Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 580mW 3-Pin TSLP T/R
на замовлення 13436 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1437+ | 9.78 грн |
| 1461+ | 9.62 грн |
| 1486+ | 9.46 грн |
| 1511+ | 8.97 грн |
| 1537+ | 8.16 грн |
| 3000+ | 7.70 грн |
| 6000+ | 7.56 грн |
| BFR193L3E6327XTMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 580mW 3-Pin TSLP T/R
Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 580mW 3-Pin TSLP T/R
на замовлення 210000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 15000+ | 10.28 грн |
| BFR193L3E6327XTMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 580mW 3-Pin TSLP T/R
Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 580mW 3-Pin TSLP T/R
на замовлення 240000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 15000+ | 10.40 грн |
| BFR193L3E6327XTMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 580mW 3-Pin TSLP T/R
Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 580mW 3-Pin TSLP T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2455+ | 14.31 грн |
| 10000+ | 12.75 грн |
| BFR193L3E6327XTMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 580mW 3-Pin TSLP T/R
Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 580mW 3-Pin TSLP T/R
на замовлення 14900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2455+ | 14.31 грн |
| 10000+ | 12.75 грн |
| BFR193L3E6327XTMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 580mW 3-Pin TSLP T/R
Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 580mW 3-Pin TSLP T/R
на замовлення 840000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2455+ | 14.31 грн |
| 10000+ | 12.75 грн |
| 100000+ | 10.69 грн |
| BFR193L3E6327XTMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 580mW 3-Pin TSLP T/R
Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 580mW 3-Pin TSLP T/R
на замовлення 13436 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 44+ | 17.13 грн |
| 65+ | 11.55 грн |
| 77+ | 9.78 грн |
| 100+ | 9.28 грн |
| 250+ | 8.45 грн |
| 500+ | 7.97 грн |
| 1000+ | 7.84 грн |
| 3000+ | 7.70 грн |
| 6000+ | 7.56 грн |
| BFR193L3E6327XTMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: RF TRANS NPN 12V 8GHZ TSLP-3-1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 12.5dB ~ 19dB
Power - Max: 580mW
Current - Collector (Ic) (Max): 80mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 30mA, 8V
Frequency - Transition: 8GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
Supplier Device Package: PG-TSLP-3-1
Part Status: Active
Description: RF TRANS NPN 12V 8GHZ TSLP-3-1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 12.5dB ~ 19dB
Power - Max: 580mW
Current - Collector (Ic) (Max): 80mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 30mA, 8V
Frequency - Transition: 8GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
Supplier Device Package: PG-TSLP-3-1
Part Status: Active
на замовлення 7863 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 16+ | 20.01 грн |
| 22+ | 13.56 грн |
| 25+ | 12.01 грн |
| 100+ | 9.70 грн |
| 250+ | 8.95 грн |
| 500+ | 8.49 грн |
| 1000+ | 7.98 грн |
| 2500+ | 7.71 грн |
| BFR193L3E6327XTMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BFR193L3E6327XTMA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 580 mW, 80 mA, TSLP-3-1
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 580mW
Bauform - Transistor: TSLP-3-1
Dauerkollektorstrom: 80mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 8GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - BFR193L3E6327XTMA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 580 mW, 80 mA, TSLP-3-1
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 580mW
Bauform - Transistor: TSLP-3-1
Dauerkollektorstrom: 80mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 8GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3579 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BFR193L3E6327XTMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BFR193L3E6327XTMA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 580 mW, 80 mA, TSLP-3-1
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 580mW
Bauform - Transistor: TSLP-3-1
Dauerkollektorstrom: 80mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 8GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - BFR193L3E6327XTMA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 580 mW, 80 mA, TSLP-3-1
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 580mW
Bauform - Transistor: TSLP-3-1
Dauerkollektorstrom: 80mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 8GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3579 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)





