
BFR193L3E6327XTMA1 INFINEON

Description: INFINEON - BFR193L3E6327XTMA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 580 mW, 80 mA, TSLP-3-1
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 80mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 580mW
Bauform - Transistor: TSLP-3-1
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 8GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5629 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
500+ | 6.97 грн |
1000+ | 6.22 грн |
5000+ | 5.94 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BFR193L3E6327XTMA1 INFINEON
Description: INFINEON - BFR193L3E6327XTMA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 580 mW, 80 mA, TSLP-3-1, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 80mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 580mW, Bauform - Transistor: TSLP-3-1, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 8GHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції BFR193L3E6327XTMA1 за ціною від 5.94 грн до 25.55 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
BFR193L3E6327XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
BFR193L3E6327XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 13765 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
BFR193L3E6327XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
BFR193L3E6327XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 14900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
BFR193L3E6327XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 105000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
BFR193L3E6327XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 4388 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
BFR193L3E6327XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 6115 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
BFR193L3E6327XTMA1 | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 80mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 580mW Bauform - Transistor: TSLP-3-1 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 8GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 5629 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
BFR193L3E6327XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 4388 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
BFR193L3E6327XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 6428 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
BFR193L3E6327XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-101, SOT-883 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 12.5dB ~ 19dB Power - Max: 580mW Current - Collector (Ic) (Max): 80mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 30mA, 8V Frequency - Transition: 8GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz Supplier Device Package: PG-TSLP-3-1 Part Status: Active |
на замовлення 9478 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
BFR193L3E6327XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 6428 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
BFR193L3E6327XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||||
![]() |
BFR193L3E6327XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||||
![]() |
BFR193L3E6327XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-101, SOT-883 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 12.5dB ~ 19dB Power - Max: 580mW Current - Collector (Ic) (Max): 80mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 30mA, 8V Frequency - Transition: 8GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz Supplier Device Package: PG-TSLP-3-1 Part Status: Active |
товару немає в наявності |