Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BFR193WH6327XTSA1
BFR193WH6327XTSA1

BFR193WH6327XTSA1 Infineon Technologies

8552infineon_high_linearity_lna_bfr193w.pdffolderiddb3a30431400ef6801.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 580mW Automotive 3-Pin SOT-323 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+4.95 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BFR193WH6327XTSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BFR193WH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 580 mW, 80 mA, SOT-323, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 80mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 580mW, Bauform - Transistor: SOT-323, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 8GHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції BFR193WH6327XTSA1 за ціною від 4.59 грн до 34.19 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BFR193WH6327XTSA1 BFR193WH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies bfr193w.pdf?folderId=db3a30431400ef68011425b1354605c1&fileId=db3a30431400ef68011426b3b6650674 Description: RF TRANS NPN 12V 8GHZ PG-SOT-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 10.5dB ~ 16dB
Power - Max: 580mW
Current - Collector (Ic) (Max): 80mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 30mA, 8V
Frequency - Transition: 8GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
Supplier Device Package: PG-SOT323
Part Status: Active
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.50 грн
6000+5.13 грн
9000+5.04 грн
15000+4.64 грн
21000+4.59 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BFR193WH6327XTSA1 BFR193WH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies 8552infineon_high_linearity_lna_bfr193w.pdffolderiddb3a30431400ef6801.pdf Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 580mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-323 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.74 грн
6000+5.55 грн
9000+5.23 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BFR193WH6327XTSA1 BFR193WH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies 8552infineon_high_linearity_lna_bfr193w.pdffolderiddb3a30431400ef6801.pdf Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 580mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-323 T/R
на замовлення 751 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
83+7.30 грн
87+7.00 грн
90+6.70 грн
100+6.17 грн
250+5.44 грн
500+4.97 грн
Мінімальне замовлення: 83
В кошику  од. на суму  грн.
BFR193WH6327XTSA1 BFR193WH6327XTSA1 Виробник : INFINEON INFNS22472-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BFR193WH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 580 mW, 80 mA, SOT-323
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 80mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 580mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 8GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 10795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+7.38 грн
1000+6.18 грн
9000+4.96 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
BFR193WH6327XTSA1 BFR193WH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies bfr193w.pdf?folderId=db3a30431400ef68011425b1354605c1&fileId=db3a30431400ef68011426b3b6650674 Description: RF TRANS NPN 12V 8GHZ PG-SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 10.5dB ~ 16dB
Power - Max: 580mW
Current - Collector (Ic) (Max): 80mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 30mA, 8V
Frequency - Transition: 8GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
Supplier Device Package: PG-SOT323
Part Status: Active
на замовлення 21549 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
23+14.13 грн
34+9.07 грн
38+8.01 грн
100+6.41 грн
250+5.88 грн
500+5.56 грн
1000+5.21 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
BFR193WH6327XTSA1 BFR193WH6327XTSA1 Виробник : INFINEON INFNS22472-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BFR193WH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 580 mW, 80 mA, SOT-323
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 80mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 580mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 8GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 10795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
55+15.06 грн
90+9.12 грн
250+7.38 грн
1000+6.18 грн
9000+4.96 грн
Мінімальне замовлення: 55
В кошику  од. на суму  грн.
BFR193WH6327XTSA1 BFR193WH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_BFR193W_DS_v01_01_en-1731041.pdf RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTOR
на замовлення 25058 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
22+16.09 грн
35+9.60 грн
100+6.53 грн
500+6.24 грн
1000+5.88 грн
3000+5.44 грн
6000+5.30 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
BFR193WH6327XTSA1 BFR193WH6327XTSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A191D2E2BDFF411C&compId=BFR193WH6327-dte.pdf?ci_sign=d5d4bdb519ab3c0349eced101a0ebc15d034d71a Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 20V; 80mA; 0.58W; SOT323
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 20V
Collector current: 80mA
Power dissipation: 0.58W
Case: SOT323
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 8GHz
на замовлення 1926 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
15+28.49 грн
18+21.62 грн
50+12.55 грн
100+10.58 грн
119+7.48 грн
327+7.11 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
BFR193WH6327XTSA1 BFR193WH6327XTSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A191D2E2BDFF411C&compId=BFR193WH6327-dte.pdf?ci_sign=d5d4bdb519ab3c0349eced101a0ebc15d034d71a Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 20V; 80mA; 0.58W; SOT323
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 20V
Collector current: 80mA
Power dissipation: 0.58W
Case: SOT323
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 8GHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1926 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
9+34.19 грн
11+26.94 грн
50+15.06 грн
100+12.70 грн
119+8.98 грн
327+8.53 грн
3000+8.16 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
BFR193WH6327XTSA1 BFR193WH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies 8552infineon_high_linearity_lna_bfr193w.pdffolderiddb3a30431400ef6801.pdf Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 580mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-323 T/R
на замовлення 1210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.