BFR193WH6327XTSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesTrans RF BJT NPN 12V 0.08A 580mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-323 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 6.31 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BFR193WH6327XTSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BFR193WH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 580 mW, 80 mA, SOT-323, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 580mW, Bauform - Transistor: SOT-323, Dauerkollektorstrom: 80mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 8GHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції BFR193WH6327XTSA1 за ціною від 4.88 грн до 21.72 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
BFR193WH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 580mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-323 T/R |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BFR193WH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 580mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-323 T/R |
на замовлення 18005 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BFR193WH6327XTSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BFR193WH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 580 mW, 80 mA, SOT-323 tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 580mW Bauform - Transistor: SOT-323 Dauerkollektorstrom: 80mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 8GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 5210 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BFR193WH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 580mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-323 T/R |
на замовлення 701 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BFR193WH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: RF TRANS NPN 12V 8GHZ PG-SOT-323 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 10.5dB ~ 16dB Power - Max: 580mW Current - Collector (Ic) (Max): 80mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 30mA, 8V Frequency - Transition: 8GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz Supplier Device Package: PG-SOT323 Part Status: Active |
на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BFR193WH6327XTSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BFR193WH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 580 mW, 80 mA, SOT-323 tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 580mW Bauform - Transistor: SOT-323 Dauerkollektorstrom: 80mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 8GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 5210 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BFR193WH6327XTSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 20V; 80mA; 0.58W; SOT323 Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Collector current: 80mA Power dissipation: 0.58W Collector-emitter voltage: 20V Frequency: 8GHz Polarisation: bipolar Kind of transistor: RF Case: SOT323 Type of transistor: NPN |
на замовлення 1727 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BFR193WH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: RF TRANS NPN 12V 8GHZ PG-SOT-323 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 10.5dB ~ 16dB Power - Max: 580mW Current - Collector (Ic) (Max): 80mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 30mA, 8V Frequency - Transition: 8GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz Supplier Device Package: PG-SOT323 Part Status: Active |
на замовлення 18767 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BFR193WH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTOR |
на замовлення 63 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BFR193WH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 580mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-323 T/R |
на замовлення 701 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
|
BFR193WH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 580mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-323 T/R |
товару немає в наявності |