Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BFR193WH6327XTSA1
BFR193WH6327XTSA1

BFR193WH6327XTSA1 Infineon Technologies

infineon-bfr193w-ds-en.pdf?folderId=db3a30431400ef68011425b1354605c1&fileId=db3a30431400ef68011426b3b6650674
Виробник: Infineon Technologies
Description: RF TRANS NPN 12V 8GHZ PG-SOT-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 10.5dB ~ 16dB
Power - Max: 580mW
Current - Collector (Ic) (Max): 80mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 30mA, 8V
Frequency - Transition: 8GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
Supplier Device Package: PG-SOT323
Part Status: Active
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+9.65 грн
6000+9.02 грн
9000+8.88 грн
15000+8.19 грн
21000+8.11 грн
30000+8.03 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 3000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BFR193WH6327XTSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BFR193WH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 580 mW, 80 mA, SOT-323, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung: 580mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-323, Dauerkollektorstrom: 80mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 8GHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції BFR193WH6327XTSA1 за ціною від 8.22 грн до 41.43 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BFR193WH6327XTSA1 BFR193WH6327XTSA1 Infineon Technologies 8552infineon_high_linearity_lna_bfr193w.pdffolderiddb3a30431400ef6801.pdf Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 580mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-323 T/R
на замовлення 16805 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
836+17.49 грн
1064+13.74 грн
1132+12.92 грн
1197+11.78 грн
3000+10.72 грн
6000+9.45 грн
Мінімальне замовлення: 836 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFR193WH6327XTSA1 BFR193WH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BFR193WH6327-dte.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 20V; 80mA; 0.58W; SOT323
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 20V
Collector current: 80mA
Power dissipation: 0.58W
Case: SOT323
Mounting: SMD
Frequency: 8GHz
Kind of transistor: RF
Kind of package: reel; tape
на замовлення 341 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
25+18.25 грн
30+14.40 грн
35+12.45 грн
37+11.69 грн
41+10.51 грн
50+9.32 грн
100+8.56 грн
250+8.22 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFR193WH6327XTSA1 BFR193WH6327XTSA1 Infineon Technologies infineon-bfr193w-ds-en.pdf?folderId=db3a30431400ef68011425b1354605c1&fileId=db3a30431400ef68011426b3b6650674 Description: RF TRANS NPN 12V 8GHZ PG-SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 10.5dB ~ 16dB
Power - Max: 580mW
Current - Collector (Ic) (Max): 80mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 30mA, 8V
Frequency - Transition: 8GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
Supplier Device Package: PG-SOT323
Part Status: Active
на замовлення 61667 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+22.96 грн
20+15.40 грн
25+13.66 грн
100+11.05 грн
250+10.19 грн
500+9.67 грн
1000+9.09 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFR193WH6327XTSA1 BFR193WH6327XTSA1 Infineon Technologies 8552infineon_high_linearity_lna_bfr193w.pdffolderiddb3a30431400ef6801.pdf Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 580mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-323 T/R
на замовлення 16805 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+29.30 грн
45+17.49 грн
100+13.74 грн
500+12.46 грн
1000+10.91 грн
3000+10.29 грн
6000+9.45 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFR193WH6327XTSA1 BFR193WH6327XTSA1 Infineon Technologies 8552infineon_high_linearity_lna_bfr193w.pdffolderiddb3a30431400ef6801.pdf Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 580mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-323 T/R
на замовлення 181 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+29.37 грн
43+18.22 грн
45+17.64 грн
100+14.00 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFR193WH6327XTSA1 BFR193WH6327XTSA1 Infineon Technologies infineon_bfr193w_datasheet_en.pdf RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTOR
на замовлення 259 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
8+41.43 грн
13+24.61 грн
100+14.86 грн
500+12.99 грн
1000+11.11 грн
3000+8.78 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFR193WH6327XTSA1 BFR193WH6327XTSA1 INFINEON INFNS22472-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BFR193WH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 580 mW, 80 mA, SOT-323
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 580mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 80mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 8GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 16320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFR193WH6327XTSA1 BFR193WH6327XTSA1 Infineon Technologies 8552infineon_high_linearity_lna_bfr193w.pdffolderiddb3a30431400ef6801.pdf Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 580mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-323 T/R
на замовлення 181 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 63 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFR193WH6327XTSA1 BFR193WH6327XTSA1 INFINEON INFNS22472-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BFR193WH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 580 mW, 80 mA, SOT-323
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 580mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 80mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 8GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 16320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFR193WH6327XTSA1 8552infineon_high_linearity_lna_bfr193w.pdffolderiddb3a30431400ef6801.pdf
BFR193WH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 580mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-323 T/R
на замовлення 16805 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
836+17.49 грн
1064+13.74 грн
1132+12.92 грн
1197+11.78 грн
3000+10.72 грн
6000+9.45 грн
Мінімальне замовлення: 836 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFR193WH6327XTSA1 BFR193WH6327-dte.pdf
BFR193WH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 20V; 80mA; 0.58W; SOT323
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 20V
Collector current: 80mA
Power dissipation: 0.58W
Case: SOT323
Mounting: SMD
Frequency: 8GHz
Kind of transistor: RF
Kind of package: reel; tape
на замовлення 341 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
25+18.25 грн
30+14.40 грн
35+12.45 грн
37+11.69 грн
41+10.51 грн
50+9.32 грн
100+8.56 грн
250+8.22 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFR193WH6327XTSA1 infineon-bfr193w-ds-en.pdf?folderId=db3a30431400ef68011425b1354605c1&fileId=db3a30431400ef68011426b3b6650674
BFR193WH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: RF TRANS NPN 12V 8GHZ PG-SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 10.5dB ~ 16dB
Power - Max: 580mW
Current - Collector (Ic) (Max): 80mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 30mA, 8V
Frequency - Transition: 8GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
Supplier Device Package: PG-SOT323
Part Status: Active
на замовлення 61667 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
14+22.96 грн
20+15.40 грн
25+13.66 грн
100+11.05 грн
250+10.19 грн
500+9.67 грн
1000+9.09 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFR193WH6327XTSA1 8552infineon_high_linearity_lna_bfr193w.pdffolderiddb3a30431400ef6801.pdf
BFR193WH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 580mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-323 T/R
на замовлення 16805 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
27+29.30 грн
45+17.49 грн
100+13.74 грн
500+12.46 грн
1000+10.91 грн
3000+10.29 грн
6000+9.45 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFR193WH6327XTSA1 8552infineon_high_linearity_lna_bfr193w.pdffolderiddb3a30431400ef6801.pdf
BFR193WH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 580mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-323 T/R
на замовлення 181 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
27+29.37 грн
43+18.22 грн
45+17.64 грн
100+14.00 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFR193WH6327XTSA1 infineon_bfr193w_datasheet_en.pdf
BFR193WH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTOR
на замовлення 259 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+41.43 грн
13+24.61 грн
100+14.86 грн
500+12.99 грн
1000+11.11 грн
3000+8.78 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFR193WH6327XTSA1 INFNS22472-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BFR193WH6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BFR193WH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 580 mW, 80 mA, SOT-323
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 580mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 80mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 8GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 16320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFR193WH6327XTSA1 8552infineon_high_linearity_lna_bfr193w.pdffolderiddb3a30431400ef6801.pdf
BFR193WH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 580mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-323 T/R
на замовлення 181 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 63 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFR193WH6327XTSA1 INFNS22472-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BFR193WH6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BFR193WH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 580 mW, 80 mA, SOT-323
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 580mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 80mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 8GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 16320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.