Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BFR193WH6327XTSA1
BFR193WH6327XTSA1

BFR193WH6327XTSA1 Infineon Technologies

infineon-bfr193w-ds-en.pdf?folderId=db3a30431400ef68011425b1354605c1&fileId=db3a30431400ef68011426b3b6650674
Виробник: Infineon Technologies
Description: RF TRANS NPN 12V 8GHZ PG-SOT-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 10.5dB ~ 16dB
Power - Max: 580mW
Current - Collector (Ic) (Max): 80mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 30mA, 8V
Frequency - Transition: 8GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
Supplier Device Package: PG-SOT323
Part Status: Active
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+10.35 грн
6000+9.67 грн
9000+9.52 грн
15000+8.78 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BFR193WH6327XTSA1 Infineon Technologies

Description: RF TRANS NPN 12V 8GHZ PG-SOT-323, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-70, SOT-323, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Gain: 10.5dB ~ 16dB, Power - Max: 580mW, Current - Collector (Ic) (Max): 80mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 30mA, 8V, Frequency - Transition: 8GHz, Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz, Supplier Device Package: PG-SOT323, Part Status: Active.

Інші пропозиції BFR193WH6327XTSA1 за ціною від 7.61 грн до 54.44 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
BFR193WH6327XTSA1 BFR193WH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BFR193WH6327-dte.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 20V; 80mA; 0.58W; SOT323
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Collector current: 80mA
Power dissipation: 0.58W
Collector-emitter voltage: 20V
Frequency: 8GHz
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Case: SOT323
Type of transistor: NPN
на замовлення 677 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
27+17.36 грн
30+14.25 грн
34+12.73 грн
39+11.03 грн
50+10.01 грн
100+9.25 грн
250+8.65 грн
500+8.31 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFR193WH6327XTSA1 BFR193WH6327XTSA1 Infineon Technologies infineon-bfr193w-ds-en.pdf?folderId=db3a30431400ef68011425b1354605c1&fileId=db3a30431400ef68011426b3b6650674 Description: RF TRANS NPN 12V 8GHZ PG-SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 10.5dB ~ 16dB
Power - Max: 580mW
Current - Collector (Ic) (Max): 80mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 30mA, 8V
Frequency - Transition: 8GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
Supplier Device Package: PG-SOT323
Part Status: Active
на замовлення 18202 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+25.37 грн
19+16.57 грн
25+14.69 грн
100+11.84 грн
250+10.93 грн
500+10.37 грн
1000+9.75 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFR193WH6327XTSA1 BFR193WH6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon_BFR193W_DS_v01_01_en.pdf RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTOR
на замовлення 1075 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+54.44 грн
10+32.50 грн
100+18.82 грн
500+13.11 грн
1000+10.64 грн
3000+7.61 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFR193WH6327XTSA1 BFR193WH6327-dte.pdf
BFR193WH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 20V; 80mA; 0.58W; SOT323
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Collector current: 80mA
Power dissipation: 0.58W
Collector-emitter voltage: 20V
Frequency: 8GHz
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Case: SOT323
Type of transistor: NPN
на замовлення 677 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
27+17.36 грн
30+14.25 грн
34+12.73 грн
39+11.03 грн
50+10.01 грн
100+9.25 грн
250+8.65 грн
500+8.31 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFR193WH6327XTSA1 infineon-bfr193w-ds-en.pdf?folderId=db3a30431400ef68011425b1354605c1&fileId=db3a30431400ef68011426b3b6650674
BFR193WH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: RF TRANS NPN 12V 8GHZ PG-SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 10.5dB ~ 16dB
Power - Max: 580mW
Current - Collector (Ic) (Max): 80mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 30mA, 8V
Frequency - Transition: 8GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
Supplier Device Package: PG-SOT323
Part Status: Active
на замовлення 18202 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
13+25.37 грн
19+16.57 грн
25+14.69 грн
100+11.84 грн
250+10.93 грн
500+10.37 грн
1000+9.75 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFR193WH6327XTSA1 Infineon_BFR193W_DS_v01_01_en.pdf
BFR193WH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTOR
на замовлення 1075 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
7+54.44 грн
10+32.50 грн
100+18.82 грн
500+13.11 грн
1000+10.64 грн
3000+7.61 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.