Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BFR193WH6327XTSA1
BFR193WH6327XTSA1

BFR193WH6327XTSA1 Infineon Technologies

8552infineon_high_linearity_lna_bfr193w.pdffolderiddb3a30431400ef6801.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 580mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-323 T/R
на замовлення 16805 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1296+10.94 грн
1471+9.64 грн
Мінімальне замовлення: 1296 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BFR193WH6327XTSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BFR193WH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 580 mW, 80 mA, SOT-323, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung: 580mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-323, Dauerkollektorstrom: 80mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 8GHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції BFR193WH6327XTSA1 за ціною від 7.66 грн до 20.97 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BFR193WH6327XTSA1 BFR193WH6327XTSA1 Infineon Technologies 8552infineon_high_linearity_lna_bfr193w.pdffolderiddb3a30431400ef6801.pdf Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 580mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-323 T/R
на замовлення 12381 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1246+11.38 грн
1461+9.71 грн
1484+9.55 грн
1508+9.07 грн
1534+8.25 грн
3000+7.79 грн
6000+7.66 грн
Мінімальне замовлення: 1246 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFR193WH6327XTSA1 BFR193WH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BFR193WH6327-dte.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 20V; 80mA; 0.58W; SOT323
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 20V
Collector current: 80mA
Power dissipation: 0.58W
Case: SOT323
Mounting: SMD
Frequency: 8GHz
Kind of package: reel; tape
на замовлення 644 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
27+17.00 грн
30+13.96 грн
34+12.46 грн
39+10.80 грн
50+9.81 грн
100+9.06 грн
250+8.48 грн
500+8.14 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFR193WH6327XTSA1 BFR193WH6327XTSA1 Infineon Technologies 8552infineon_high_linearity_lna_bfr193w.pdffolderiddb3a30431400ef6801.pdf Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 580mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-323 T/R
на замовлення 16805 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
42+18.09 грн
70+10.89 грн
100+9.59 грн
Мінімальне замовлення: 42 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFR193WH6327XTSA1 BFR193WH6327XTSA1 Infineon Technologies 8552infineon_high_linearity_lna_bfr193w.pdffolderiddb3a30431400ef6801.pdf Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 580mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-323 T/R
на замовлення 12381 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
40+18.90 грн
59+12.95 грн
67+11.38 грн
100+9.36 грн
250+8.53 грн
500+8.06 грн
1000+7.92 грн
3000+7.79 грн
6000+7.66 грн
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFR193WH6327XTSA1 BFR193WH6327XTSA1 Infineon Technologies infineon-bfr193w-ds-en.pdf?folderId=db3a30431400ef68011425b1354605c1&fileId=db3a30431400ef68011426b3b6650674 Description: RF TRANS NPN 12V 8GHZ PG-SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 10.5dB ~ 16dB
Power - Max: 580mW
Current - Collector (Ic) (Max): 80mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 30mA, 8V
Frequency - Transition: 8GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
Supplier Device Package: PG-SOT323
Part Status: Active
на замовлення 1211 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+20.97 грн
22+14.06 грн
25+12.50 грн
100+10.09 грн
250+9.31 грн
500+8.83 грн
1000+8.31 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFR193WH6327XTSA1 BFR193WH6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon_BFR193W_DS_v01_01_en.pdf RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTOR
на замовлення 564 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BFR193WH6327XTSA1 BFR193WH6327XTSA1 INFINEON INFNS22472-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BFR193WH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 580 mW, 80 mA, SOT-323
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 580mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 80mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 8GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 4065 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFR193WH6327XTSA1 BFR193WH6327XTSA1 INFINEON INFNS22472-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BFR193WH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 580 mW, 80 mA, SOT-323
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 580mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 80mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 8GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 4065 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFR193WH6327XTSA1 8552infineon_high_linearity_lna_bfr193w.pdffolderiddb3a30431400ef6801.pdf
BFR193WH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 580mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-323 T/R
на замовлення 12381 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1246+11.38 грн
1461+9.71 грн
1484+9.55 грн
1508+9.07 грн
1534+8.25 грн
3000+7.79 грн
6000+7.66 грн
Мінімальне замовлення: 1246 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFR193WH6327XTSA1 BFR193WH6327-dte.pdf
BFR193WH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 20V; 80mA; 0.58W; SOT323
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 20V
Collector current: 80mA
Power dissipation: 0.58W
Case: SOT323
Mounting: SMD
Frequency: 8GHz
Kind of package: reel; tape
на замовлення 644 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
27+17.00 грн
30+13.96 грн
34+12.46 грн
39+10.80 грн
50+9.81 грн
100+9.06 грн
250+8.48 грн
500+8.14 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFR193WH6327XTSA1 8552infineon_high_linearity_lna_bfr193w.pdffolderiddb3a30431400ef6801.pdf
BFR193WH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 580mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-323 T/R
на замовлення 16805 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
42+18.09 грн
70+10.89 грн
100+9.59 грн
Мінімальне замовлення: 42 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFR193WH6327XTSA1 8552infineon_high_linearity_lna_bfr193w.pdffolderiddb3a30431400ef6801.pdf
BFR193WH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 580mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-323 T/R
на замовлення 12381 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
40+18.90 грн
59+12.95 грн
67+11.38 грн
100+9.36 грн
250+8.53 грн
500+8.06 грн
1000+7.92 грн
3000+7.79 грн
6000+7.66 грн
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFR193WH6327XTSA1 infineon-bfr193w-ds-en.pdf?folderId=db3a30431400ef68011425b1354605c1&fileId=db3a30431400ef68011426b3b6650674
BFR193WH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: RF TRANS NPN 12V 8GHZ PG-SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 10.5dB ~ 16dB
Power - Max: 580mW
Current - Collector (Ic) (Max): 80mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 30mA, 8V
Frequency - Transition: 8GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
Supplier Device Package: PG-SOT323
Part Status: Active
на замовлення 1211 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
15+20.97 грн
22+14.06 грн
25+12.50 грн
100+10.09 грн
250+9.31 грн
500+8.83 грн
1000+8.31 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFR193WH6327XTSA1 Infineon_BFR193W_DS_v01_01_en.pdf
BFR193WH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTOR
на замовлення 564 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BFR193WH6327XTSA1 INFNS22472-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BFR193WH6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BFR193WH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 580 mW, 80 mA, SOT-323
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 580mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 80mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 8GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 4065 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFR193WH6327XTSA1 INFNS22472-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BFR193WH6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BFR193WH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 580 mW, 80 mA, SOT-323
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 580mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 80mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 8GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 4065 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.