Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BFR31,215 NXP Semiconductors
Description: JFET N-CH 10MA SOT23, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), FET Type: N-Channel, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4pF @ 10V, Current Drain (Id) - Max: 10 mA, Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB), Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V, Power - Max: 250 mW, Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 2.5 V @ 0.5 nA, Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1 mA @ 10 V.
Інші пропозиції BFR31,215
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| BFR31.215 | NXP | BFR31.215 BFR31 N-JFET; unipolar; 25V; 1mA; SOT23 Транзистори |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
| BFR31,215 | NXP |
 JFET N-CH 10MA 250MW SOT23 Транзистори |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
 |
BFR31,215 | NXP USA Inc. |
Description: JFET N-CH 10MA SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) FET Type: N-Channel Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4pF @ 10V Current Drain (Id) - Max: 10 mA Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB) Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Power - Max: 250 mW Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 2.5 V @ 0.5 nA Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1 mA @ 10 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
 |
BFR31,215 | NXP |
Description: NXP - BFR31,215 - JFET-Transistor, JFET, 5 mA, -2.5 V, SOT-23, 3 Pins, 150 °C Transistormontage: Oberflächenmontage Qualifikation: - Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 5 Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 1 Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3 Pins Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: - Produktpalette: - Transistortyp: JFET Betriebstemperatur, max.: 150 Gate-Source-Sperrspannung, max.: -2.5 SVHC: No SVHC (15-Jan-2019) |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
|
|
BFR31,215 | NXP |
Description: NXP - BFR31,215 - JFET-Transistor, JFET, 5 mA, -2.5 V, SOT-23, 3 Pins, 150 °C Transistormontage: Oberflächenmontage Kanaltyp: n-Kanal Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: - Qualifikation: - SVHC: No SVHC (15-Jan-2019) |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 150 шт В кошику од. на суму грн. |
| BFR31,215 | NXP Semiconductors |
Trans JFET N-CH 25V 10mA 3-Pin TO-236AB T/R |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. |
| BFR31.215 |
Виробник: NXP
BFR31.215 BFR31 N-JFET; unipolar; 25V; 1mA; SOT23 Транзистори
BFR31.215 BFR31 N-JFET; unipolar; 25V; 1mA; SOT23 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| BFR31,215 |
|
Виробник: NXP
JFET N-CH 10MA 250MW SOT23 Транзистори
JFET N-CH 10MA 250MW SOT23 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| BFR31,215 |
|
Виробник: NXP USA Inc.
Description: JFET N-CH 10MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4pF @ 10V
Current Drain (Id) - Max: 10 mA
Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB)
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Power - Max: 250 mW
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 2.5 V @ 0.5 nA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1 mA @ 10 V
Description: JFET N-CH 10MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4pF @ 10V
Current Drain (Id) - Max: 10 mA
Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB)
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Power - Max: 250 mW
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 2.5 V @ 0.5 nA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1 mA @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| BFR31,215 |
|
Виробник: NXP
Description: NXP - BFR31,215 - JFET-Transistor, JFET, 5 mA, -2.5 V, SOT-23, 3 Pins, 150 °C
Transistormontage: Oberflächenmontage
Qualifikation: -
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 5
Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 1
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -
Produktpalette: -
Transistortyp: JFET
Betriebstemperatur, max.: 150
Gate-Source-Sperrspannung, max.: -2.5
SVHC: No SVHC (15-Jan-2019)
Description: NXP - BFR31,215 - JFET-Transistor, JFET, 5 mA, -2.5 V, SOT-23, 3 Pins, 150 °C
Transistormontage: Oberflächenmontage
Qualifikation: -
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 5
Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 1
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -
Produktpalette: -
Transistortyp: JFET
Betriebstemperatur, max.: 150
Gate-Source-Sperrspannung, max.: -2.5
SVHC: No SVHC (15-Jan-2019)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику
од. на суму грн.
| BFR31,215 |
|
Виробник: NXP
Description: NXP - BFR31,215 - JFET-Transistor, JFET, 5 mA, -2.5 V, SOT-23, 3 Pins, 150 °C
Transistormontage: Oberflächenmontage
Kanaltyp: n-Kanal
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -
Qualifikation: -
SVHC: No SVHC (15-Jan-2019)
Description: NXP - BFR31,215 - JFET-Transistor, JFET, 5 mA, -2.5 V, SOT-23, 3 Pins, 150 °C
Transistormontage: Oberflächenmontage
Kanaltyp: n-Kanal
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -
Qualifikation: -
SVHC: No SVHC (15-Jan-2019)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику
од. на суму грн.
| BFR31,215 |
|
Виробник: NXP Semiconductors
Trans JFET N-CH 25V 10mA 3-Pin TO-236AB T/R
Trans JFET N-CH 25V 10mA 3-Pin TO-236AB T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.